Lecture_1 SIBGUTI_с вопросами
.pdf
Развитие технологии - тренды
Многоуровневая металлизация/планаризация
Пассивация |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
металл-5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ИМД4 |
|
|
металл-4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИМД3 |
BEOL |
металл-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИМД2 |
|
|
|
|
металл-2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ИМД |
|
TiSi2 |
|
металл-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Спейсер |
|
|
Siпк |
|
ПМД |
Вольфрам |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p+ |
p+ |
LOCOS |
n+ |
|
n+ |
|
ТермическийSiO2 |
|
|
|
|
ТермическийSiO2 |
|
|
|
|
|
|
|
FEOL |
n-карман |
|
|
|
|
p-карман |
|
|
|
Подложка |
|
|
|
|
СибГУТИ, декабрь 2010
Развитие технологии - тренды
Тотальный контроль качества для обеспечения 100% выхода годных изделий
Менеджмент
(система качества)
КАЧЕСТВО
Технология |
|
Информация |
(опережающий уровень) |
|
(измеряемые параметры) |
|
|
|
СибГУТИ, декабрь 2010
Развитие технологии - тренды
Статистический контроль качества изделий:
СибГУТИ, декабрь 2010
Заключение
Даже достаточно неглубокий анализ тенденций развития микроэлектроники дает представление
о взаимосвязях разработок изделий, технологии
и качества продукции, что, в конечном счете, определяет экономику производства и важнейший
фактор цену изделий.
Что будет для НАНО?
СибГУТИ, декабрь 2010
Заключение
Из 3-х вариантов наноэлектроники:
1.Развитие путем эволюционного
совершенствования существующих «кремниевых»
планарных технологий - есть ограничения
кремния.
2. Более глубокое модифицирование планарной технологии и распространение ее на другие материалы и ситуации - наиболее вероятно.
3. Создание принципиально новой электроники следующих поколений на основе «некремниевых
устройств» - очень дорого, развитие с начала.
СибГУТИ, декабрь 2010
Вопросы для самопроверки
1.Каким математическим законом описываются зависимости изменения рабочей частоты микропроцессоров, проектных норм, количества транзисторов на кристалле от времени?
2. Какие изделия электроники стали движущими силами развития микроэлектроники на 1-м и 2-м этапах ее
развития?
1.Какова ориентировочная средняя доля изделий электроники в мировом валовом продукте (%)?
2.Каков ориентировочный ежегодный мировой прирост изделий электроники (%)?
3.Каково ориентировочное время падения цен изделий электроники в два раза после их выпуска в продажу?
4.Какую максимальную величину составлял мировой объем производства изделий электроники ?
5.Сколько может составлять максимальная доля кремниевых компонентов (по стоимости) в современных
изделиях электроники?
8.Что производит т.н. Wafer Fab или Foundry предприятие: интегральные микросхемы, кремниевые пластины, пластины с чипами?
9.Где (исторически и географически) сложилась наибольшая концентрация Foundry предприятий?
10. Что такое «International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)»? Для кого она существует:
-для производителей микросхем,
-для производителей оборудования,
-для всех участников микроэлектронного бизнеса в глобальном масштабе?
11.Для чего необходим и какие основные направления включает в себя тотальный контроль качества в микроэлектронном производстве?
СибГУТИ, декабрь 2010