Электр.Презентация 2
.pdf
№43 Упрощенная ВАХ для расчетов схем
I
V/R
IПР
-U |
|
V |
U |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Upn= 0.7B |
UR = I∙R |
|
|
||||
|
R |
|
|
|
|
V |
|
|
I |
V |
0.7 |
I |
D |
|
R |
||
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
Динамические свойства
pn-перехода (диода)
№44 Дифференциальное сопротивление на прямой
ветви ВАХ
|
I |
|
|
|
|
|
R |
U0 |
|
|
|
|
I0 |
|
|
ΔU |
|
|
|
|
rD |
||
|
|
A |
|
ΔI |
|
I0 |
|
I |
|
||
|
|
|
|
U U
U0
№45 Значение дифференциального сопротивления
на прямой ветви ВАХ
|
|
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I I |
S |
e T |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
dI |
1 |
|
|
|
|
|
U |
|
|
I |
|
I |
|
e |
|
|
|
|
|||||
S |
|
T |
|
||||||||
dU |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
rD |
dU |
T |
|
||
|
|
|
|
dI |
I |
Барьерная емкость pn-перехода
№46 Барьерная емкость pn-перехода
Области объемного заряда одинаковой величины и
различного знака аналогичны обычному плоскому
конденсатору
|
Q+ |
Q- |
n+ |
p |
|
|
|
Si |
Lpn
|
C |
ε |
ε0 S |
|
|
d |
|
ln |
lp |
|
№47 Зависимость барьерной емкости от Upn
|
|
|
при Upn = 0 |
|
|||
|
|
|
C BAR |
|
0 |
S pn |
|
|
|
|
|
Lpn0 |
|
||
|
|
|
|
|
|
||
n+ |
p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
при Upn ≠0 |
|
|||
|
|
C BAR |
0 |
S pn |
|
0 |
|
|
|
Lpn0 |
\ |
|
U \ |
||
|
|
|
0 |
||||
|
|
|
при \ UОБР .\ |
|
0 |
||
ln |
lp |
|
C BAR |
|
\UОБР . \ |
0.5 |
|
№48 Измерение барьерной емкости – схема
R |
UD |
R |
UС |
~ V~ |
D |
~ V~ |
C |
V= |
|
V= |
|
(a) |
|
|
|
(b) |
|
|
|
||
|
|
|
При обратном включении ток практически = 0, т.е диод должен вести себя, как обычный конденсатор с емкостью С=СБАР.
При подаче переменного напряжения с частотой f на обратно включенный
диод (|V~(MAX)| < V=), зависимость UD(MAX)(f) в схеме (a) должна быть такой же, как зависимость UC(MAX)(f) в схеме (b)
№49 Измерение барьерной емкости – формула
UD MAX |
UС MAX |
|
|
V MAX |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
ω |
2 |
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
1 |
|
|
|
||
2 |
f |
|
|
|
|
||
|
R C |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|||
При |
|
|
2 f RC |
||
UС MAX |
V MAX |
0.707 V MAX |
|||
|
|
|
|
||
2 |
|
||||
|
|
|
|||
№50 Выводы по барьерной емкости
При обратном включении (до пробоя) диод ведет себя, как конденсатор.
C увеличением UОБР значение СБАР падает, т.к. растет толщина pn-перехода Lpn.
C увеличением UПР значение СБАР должно возрастать но этот эффект маскируется действием другой емкости - диффузионной, которая появляется только при прямом включении.
Емкость pn-перехода при обратном включении:
Сpn=СБАР
Емкость pn-перехода при прямом включении:
Сpn=СБАР + СДИФ ≈ СДИФ
СДИФ >> СБАР