Электр.Презентация 2
.pdf
№26 Сравнение графиков идеальной ВАХ для Si и Ge |
|
IПР[mA,A] |
|
Ge |
Si |
UОБР |
UПР |
0.4В |
0.7В |
IОБР[uA] |
|
№27 Факторы зависимости Ipn(ПР) от температуры
Прямое включение
|
|
U |
I I |
S |
e T |
|
|
C ростом Т:
φТ - увеличивается, вызывает уменьшение I, IS - увеличивается, вызывает увеличение I.
При изменении Т на 200ОС (-80 - +120)ОС: φТ - увеличивается ~ в два раза
e(U/φТ ) – уменьшается ~ в 7 раз
IS - увеличивается не менее чем на ~ 3-4 порядка
№28 Факторы зависимости Ipn(ОБР) от температуры
I I S
При изменении Т на 200ОС (-80 - +120)ОС:
IS - увеличивается не менее чем на ~ 3-4 порядка
Область pn-перехода содержит:
очень мало атомов примеси уже активированных, атомы ПП с 8 электронами – устойчивые оболочки.
Ток IS определяется носителями, которые возникают от тепловой генерации, как в собственном ПП
№29 Зависимость ВАХ от температуры
I T2 > T1 |
|
I |
T2 > T1 |
|
|
|
T2 |
T1 |
I2 |
|
|
|
|
T2 |
|
||
|
|
|
|
T1 |
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
I1 |
|
|
|
|
|
U |
|
U |
|
|
|
(б) |
|
U |
(а) |
U2 |
U1 |
|
|
|
|
|
|
|||
ДИОД Особенности реальной ВАХ
диода
№30 |
Движение носителей (электронов) в диоде. |
|||
|
n+-эмиттер |
инжекция |
|
|
|
|
|
|
|
|
n+ |
|
|
p |
|
|
диффузия |
экстракция |
|
|
|
|
|
|
|
|
p-база |
|
|
|
– |
U |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
n+ |
|
p |
|
|
катод |
|
анод |
|
№31 Особенности идеального pn-перехода.
Основные допущения для идеальной ВАХ
1)pn-переход - односторонний
2)генерации/рекомбинации носителей в
pn-переходе - НЕТ
3) поле сосредоточенно только в pn-переходе
Выводы, например, для p -n+-перехода
1)ток инжекции только электронный
2)pn-переход не влияет на IПР
3)движение электронов в базе – только
диффузия (нет сопротивления)
№32 Различия идеальной и реальной ВАХ
I
прямая
A
Real
Ideal
экспонента |
экспонента |
U |
|
||
|
|
№33 Учет объемного сопротивления базы.
n+ |
|
|
|
p |
|
|
p-база |
|
|
– |
|
U |
+ |
|
|
|
|
|
|
rE≈0 |
rpn |
r |
rB |
|
|
|
|
B |
|
|
– |
UПР |
+ |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
U pn |
|
UПР |
I |
rB |
№34 Вырождение ВАХ.
|
UПР |
I rB |
|
|
I |
|
||
I |
I S e |
|
T |
; UПР |
ln |
I rB |
||
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
I S |
|
|
U |
I |
|
|
ln |
|
|
|
|
I S |
I |
rB |
|
|
||
|
|
|
I |