3.3. Токи в транзисторе

Основные физические процессы в идеализированном БТ удобно рассматривать на примере схемы включения с общей базой (рисунок 2.33), так как напряжения на переходах совпадают с напряжениями источников питания. Выбор p-n-p-транзистора связан с тем, что направление движения инжектируемых из эмиттера носителей (дырок) совпадает с направлением тока.

В активном режиме на эмиттерном переходе действует прямое напряжение U_ЭБ. Прямой ток перехода при этом равен:

, (3.1)

где I_{Э р},I_{Э n}– инжекционные токи дырок (из эмиттера в базу) и электронов (из базы в эмиттер), аI_{Э РЕК}- составляющая тока, вызванная рекомбинацией в переходе тех дырок и электронов, энергия которых недостаточна для преодоления потенциального барьера. Относительный вклад этой составляющей в ток перехода I_Эв тем заметнее, чем меньше инжекционные составляющиеI_{Э р}иI_{Э n}, определяющие прямой ток в случае идеализированногор-n-перехода. Если вкладI_{Э РЕК}незначителен, то вместо (3.1) можно записать:

. (3.2)

В сумме токов выражения (3.2) полезной является только составляющая I_Эр, так как она будет участвовать в создании тока коллекторного перехода. «Вредные» составляющие тока эмиттераI_{Э n} иI_{Э РЕК} протекают через вывод базы и являются составляющими тока базы, а не коллектора. Поэтому вредные компонентыI_{Э n},I_{Э РЕК} должны быть уменьшены.

Эффективность работы эмиттерного перехода учитывается коэффициентом инжекции эмиттера:

, (3.3)

который показывает, какую долю в полном токе эмиттера составляет полезный компонент. В случае пренебрежения током I_{Э РЕК}:

. (3.4)

Коэффициент инжекции _Этем выше (ближе к единице), чем меньше отношениеI_{Э n}/I_{Э р}. Величина (I_{Э n}/I_{Э р} ) << 1, если концентрация акцепторов в эмиттерной областиp-n-p-транзистораN_АЭна несколько порядков выше концентрации доноровN_ДБв базе (N_АЭ>>N_ДБ). Это условие, как правило, выполняется в транзисторах.

Очевидно, что инжектированные дырки повышают концентрацию дырок в базе около границы с эмиттерным переходом, т.е. вызывают появление градиента концентрации дырок - неосновных носителей базы. Этот градиент обуславливает диффузионное движение дырок через базу к коллекторному переходу. Очевидно, что это движение должно сопровождаться рекомбинацией части потока дырок. Потерю дырок в базе можно учесть введением тока рекомбинации дырок I_{Б РЕК}, так что ток подходящих к коллекторному переходу дырок будет равен:

. (3.5)

Относительные потери на рекомбинацию в базе учитывают коэффициентом переноса:

. (3.6)

Коэффициент переноса показывает, какая часть потока дырок, инжектированных из эмиттера в базу, подходит к коллекторному переходу. Значение _Бтем ближе к единице, чем меньшее число инжектированных дырок рекомбинирует с электронами - основными носителями базовой области. Ток

I_{Б РЕК}одновременно характеризует одинаковую потерю количества дырок и электронов. Так как убыль электронов в базе вследствие рекомбинации в конце концов покрывается за счет прихода электронов через вывод базы из внешней цепи, то токI_{Б РЕК}следует рассматривать как составляющую тока базы наряду с инжекционной составляющейI_{Э n}.

Чтобы уменьшить потери на рекомбинацию, т.е. увеличить _Б, необходимо уменьшить концентрацию электронов в базе и ширину базовой области. Первое достигается снижением концентрации доноровN_ДБ. Это совпадает с требованиемN_АЭ>>N_ДБ, необходимым для увеличения коэффициента инжекции. Потери на рекомбинацию будут тем меньше, чем меньше отношение ширины базыW_Би диффузионной длины дырок в базовой областиL_pБ. Доказано, что имеется приближенное соотношение:

. (3.7)

Например, при W_Б/L_{p Б}= 0,1 _Б= 0,995, что очень мало отличается от предельного значения, равного единице.

Если при обратном напряжении в коллекторном переходе нет лавинного размножения проходящих через него носителей, то ток за коллекторным переходом с учетом (3.6):

(3.8)

С учетом (3.4) и (3.6) получим

, (3.9)

где

. (3.10)

Это отношение дырочной составляющей коллекторного тока к полному току эмиттера называют статическим коэффициентом передачи тока эмиттера.

Ток коллектора имеет еще составляющую I_КБО, которая протекает в цепи коллектор – база приI_Э= 0 (холостой ход, «обрыв» цепи эмиттера), и не зависит от тока эмиттера. Это обратный ток перехода, создаваемый неосновными носителями областей базы и коллектора, как в обычномp-n-переходе (диоде).

Таким образом, полный ток коллектора с учетом (3.9) :

. (3.11)

Из (3.11) получим обычно используемое выражение для статического коэффициента передачи тока:

, (3.12)

числитель которого (I_К–I_КБО) представляет собой управляемую (зависимую от тока эмиттера) часть тока коллектора,I_{К р}. Обычно рабочие токи коллектораI_Кзначительно большеI_КБ0, поэтому

. (3.13)

С помощью рис. 3.4 можно представить ток базы в виде:

. (3.14)

По первому закону Кирхгофа для общей точки:

. (3.15)

Как следует из предыдущего рассмотрения, I_КиI_Бпринципиально меньше токаI_Э; при этом наименьшим является ток базы:

. (3.16)

Используя (3.11) и (3.16), получаем связь тока базы с током эмиттера:

. (3.17)

Если в цепи эмиттера нет тока (I_Э = 0, холостой ход), то I_Б = - I_КБ0, т. е. ток базы отрицателен и по величине равен обратному току коллекторного перехода. При значенииI^*_Э = I_КБ0 /(1-) токI_Б = 0, а при дальнейшем увеличении тока эмиттераI_Э (I_Э>I^*_Э)ток базы оказывается положительным.

Подобно (3.11) можно установить связь I_КсI_Б. Используя (3.11) и (3.17), получаем:

, (3.18)

где

; (3.19)

- статический коэффициент передачи тока базы. Так как значение обычно близко к единице, томожет быть значительно больше единицы (>>1). Например, при= 0,99= 99. Из (3.19) можно получить соотношение:

. (3.20)

Очевидно, что коэффициент есть отношение управляемой (изменяемой) части коллекторного тока (I_К - I_КБ0) к управляемой части базового тока

(I_Б+I_КБ0).

Все составляющие последнего выражения зависят от I_Эи обращаются в нуль приI_Э= 0. Введя обозначение:

, (3.21)

можно вместо (3.19) записать:

. (3.22)

Отсюда очевиден смысл введенного обозначения I_КЭ0: это значение тока коллектора при нулевом токе базы (I_Б= 0) или при «обрыве» базы. ПриI_Б= 0

I_К=I_Э, поэтому токI_КЭ0проходит через все области транзистора и является «сквозным» током, что и отражается индексами «К» и «Э» (индекс «0» указывает на условиеI_Б= 0).