- •3. Собственные и примесные полупроводники
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Тема 2. Электронно-дырочный переход.
- •1.Формирование р-п-перехода
- •2.Р-п-переход при отсутствии внешнего напряжения.
- •3.Р-п-переход при прямом напряжении.
- •4.Р-п-переход при обратном напряжении.
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •1. Устройство полупроводниковых диодов
- •Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
- •Дифференциальные параметры диода и емкости диода
- •5. Пробой диода.
- •Туннельный пробой.
- •Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
Лавинный пробой.
Лавинный пробой происходит в результате лавинного размножения носителей заряда в р-п-переходе под действием сильного поля. При высокой напряженности поля подвижные носители заряда на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов, под действием которой появляются новые пары носителей заряда. При достаточно большой напряженности поля, когда исходная пара носителей заряда в среднем порождает более одной новой пары, ионизация приобретает лавинный характер, что вызывает лавинный рост обратного тока. При этом обратный ток ограничивается резистором, включенным последовательно с диодом.
Интенсивность ударной ионизации оценивают коэффициентом размножения носителей заряда М, который равен отношению числа носителей заряда, покидающих р-н-переход, к числу носителей заряда, вошедших в р-п-переход.
Напряжение лавинного пробоя зависит от температуры. С повышением температуры уменьшается длина свободного пробега носителей заряда, в результате уменьшается энергия, которую приобретает носитель заряда на длине свободного пробега в электрическом поле. Поэтому лавинный пробой наступает при более высоком обратном напряжении.
Тепловой пробой.
Тепловой пробой обусловлен перегревом р-п-перехода обратным током.