Условные обозначения силовых полупроводниковых приборов (спи) и модулей (спм)

Группа

СПП

Тип силового полупроводникового прибора (модуля)

Условное обозначе­ние типа, подтипа

Графическое обозначение

1

2

3

4

1

Не управляемые вентили Автотракторные Высокочастотные и диоды Шоттки

В

ВА

ВЧ

Стабилитроны кремниевые силовые

Ограничители напряжения ПОН, малоёмкостные ПОН, защитные диоды

СК

КС

КР

Симметричные ограничители напряжения, защитные диоды

КР

(МО)

2

Незапираемый тиристор Тиристор лавинный с водяным охлаждением

Т

ТЛ

ТВ

Тиристор симметричный (симистор)

ТС

Фототиристор

ТФ

Тиристор оптронный

ТО

Тиристор-диод

ТД

3

Запираемый тиристор

ТЗ

Транзисторы биполярные (К, 2-кремниевые),

(Г, 1-германиевые)

Т

КТ

2Т

1

2

3

4

3

Транзисторы полевые

(К, 2-кремниевые, А, 3-арсенид-галлиевые)

а) с управляющим p-n переходом

б) с встроенным каналом

в) с индуцированным каналом (MOSFET)

"n-канальные", "р-канальные"

г)совмещенные (биполярные с изолированным затвором IGBT) с n-каналом

П,

КП,

2П,

ЗП

а

б

в

г

4

Тиристор-диод

Тиристор-тиристор

Диод-диод

Симисторные

МТД,

МТТ

МДД

М2ТС

Силовые: IGBT-модули:

одиночные ключи

МТКИ

Силовые: IGBT-модули:

полумосты

М2ТКИ

М2ТКИ2

Модули силовые: оптотиристорные

М2ТОТО

Силовые:

MOSFET(полевые) модули: полумосты

М2ТПИ

М2ТПИ2

№

п/п

Тип, семейство

прибора, модуля

Параметры

I_П, А

U_ПН, В

I_К, I_С, А

U_КЭ,U_СИ, В

t_ВС, мкс

1.

Диоды стандартные

60÷

60000

400÷

10000

Диоды быстро-восстанавливающиеся

20÷

450

100÷

6500

0,1÷

1,0

2.

Тиристоры

10÷

5000

100÷

6000

Тиристор-диод

28÷

5700

400÷

3600

3.

Запираемые тиристоры GTO

1000÷

6000

2500÷

6000

GTO, GCT

630÷

4000

1200÷

6600

GCT, IGCT

1000÷

4000

1200÷

4500

4.

IGBT транзисторы

10÷60

400÷

6500

IGBT модули

10÷2800

600÷

6500

IGBT модули

200÷2400

1200÷

3300

Интеллектуальные IGBT модули (ЕРМ)

300÷1800

1200÷

1700

5.

Полевые

транзисторы

MOSFET

1÷200;

R_СИ =

0,003÷10

(Ом)

20÷

1000

MOSFET модули

70÷450; R_СИ=0,003÷17 (Ом)

100÷

800

Параметры диода

Условное обозначение (тип) диода

ВЗ-250

ВЛ-320

ВВ-500

ВВ-1250

I_п.(А) с типовым охладителем при θ_c°С=40 °С и V_в, м/с

0

6

12

80

200

250

-

-

320

I_п.(А) с типовым охладителем при θ_c°С =З0 °С и Q_c, л/мин

1

3(4)

6

-

(465)

-

820

955

1100

I_удр.(кА) при длительности 10 мс и температуре структуры

θ_pn°C

140

25

4.0

4.4

6.6

7.2

6.6

7.2

15

16.5

ʃI²dt, (А²·с) при длительности 10 мс и температуре структуры θ_pn°C

140

25

80000

97800

217800

260000

217800

260000

1125000

1360000

I_об, (mA) при V_п. и температуре структуры 140 °С, не более

10

5

7

30

U_п, (В)

600÷3600

600÷1200

150÷1500

50÷1400

U_н.п., (В)

700÷4200

600÷1200

175÷1750

175÷1620

U_р, (В)

400÷2400

600÷1200

100÷1000

100÷1000

Δu, (В) при I_п.

0.8

0.7

0.8

0.9

U₀, (В)

1.16

1.09

1.23

1.22

r_д.,(10^-5Ом)

88

42.6

35

23.2

R_T, (°С/Вт) при V_в, (м/с) Q_c, (л/мин)

0 (1)

6 (3)

12 (6)

R_в=0,09

0.77

0.28

0.24

R_в=0,09

0.77

0.28

0.22

R_в=0,09

(0.21)

(0.16)

(0.145)

R_ва =0,04

R_вк=0,15

(0.079)

(0.065)

(0.054)

Допустимая энергия лавинообразования, (Дж), не более

1.0

Тип прибора

P_дп.m=500 Вт, раб.темп.: - 65 °C… + 175 °C

U_обр,

В

I_обр,

мкА

U_прб, В

I_т,

мА

U_огр.m,

В

I_огр.m,

A

мин.

макс.

SA5.0

5

600

6.4

7.3

10

9.6

52

SA6.0

6

600

6.67

8.15

10

11.4

43.9

SA7.0

7

150

7.78

9.51

10

13.3

37.8

SA8.0

8

25

8.89

10.9

1

15

33.3

SA12

12

3

13.3

16.3

1

22

22.7

SA24

24

3

26.7

32.6

1

43

11.6

SA30

30

3

33.3

40.7

1

53.5

9.3

SA48

48

3

53.3

65.2

1

85.5

5.8

SA64

64

3

71.1

86.9

1

114

4.4

SA78

78

3

86.7

106

1

139

3.6

SA90

90

3

100

122

1

1 160

3.1

SA120

120

3

133

163

1

214

2.3

SA150

150

3

167

204

1

268

1.9

SA170A

170

3

189

209

1

275

1.8

КР457А

32

300

38

40

10

60

50

KF458A

320

500

350

380

10

560

18

КР192В9

105

(210)

150

110

220

115

1

160

320

1

0,8

М040-70ДА

40

1000

47

50

10

60

1200

Параметры

Форма тока

синусоидальная

прямоугольная

Угол проводим. β эл.град.

180

120

90

60

30

180

120

90

60

30

К_ф=I_V/I_V.СР

1.57

1.87

2.22

2.77

3.99

1.41

1.73

2.0

2.45

3.46

Параметры тиристоров

Типы тиристоров

ТД - 40

ТЧ - 125

ТВ - 800

I_п.(А) с типовым охладителем при

Q_в°С=40 °С и скорости охлаждающего воздуха V_в, м/с

0

6

12

22

40

—

40

80

125

—

—

—

I_п.(А) с типовым охладителем при Q_в°С=30°С и расходе воды Q_в л/мин

3

6

665

750

I_удр.(А) при длительности t_u=10 мс и

температуре структуры θ_pn°C

25

125

850

800

—

3200

7700

7000

ʃi²dt, (А²·c) при длительности t_u=10 мс и

θ_pn°C

25

125

3600

3200

—

48200

296450

245000

I_д (А) с типовым охладителем при f=50 Гц, угла проводимости 180 °С и θ_к°С =

70 °С

62.8

196

1250

I_ут, I_об (мА) при повторяющемся

напряжении и θ_pn°C= 125 °С

8

15

40

R_т (°С/Вт) при

V_в (м/с) Q_в (л/мин)

0 (1)

6 (3)

12 (6)

3.6

2.4

—

0.96

0.68

0.41

(0.081)

(0.070)

(0.059)

Параметры тиристоров

Типы тиристоров

ТД - 80

ТВ7 - 320

ТВ - 800

Время включения t_вк (мкс) при θ_pn=25°С, I_у = 2 A, di_y/dt - 2 А/мкс

I_у = 2 A, di_y/dt = 5 А/мкс

7

—

—

5

40

—

Время выключения (восстановления) t_вс (мкс) при θ_pn = 125 °С, di_a/dt = 5 А/мкс (ТВ-800); 10 А/мкс (ТД - 80); 25 А/мкс (ТВ7-320) для тиристоров групп:

0 (5)

1 (6)

2 (7)

3 (8)

4 (9)

не норм.

250

150

100

70

(50)

(30)

(20)

(15)

(12)

не норм.

250

150

—

—

Критическая скорость нарастания (В/мкс) прямого напряжения (du_a/dt)_кр при θ_pn = 125 °С, U_а=0.67U_пн для тиристоров групп:

0 (4)

1 (5)

2 (6)

3 (7)

— (200)

— (500)

50 (1000)

100

(200)

(500)

50 —

100 —

— (200)

20 (500)

50 —

100 —

Критическая скорость нарастания прямого тока (du_a/dt)_кр (А/мкс) при θ_pn = 125 °С, I_у=2 A, di_y/dt = 2 А/мкс, 5 А/мкс (ТВ7-320) для тиристоров групп:

0 (3)

1 (4)

2 (5)

— (70)

20 —

40 —

— (70)

— (100)

40 —

— (70)

21 —

40 —

Ток удержания I_уд (мА) при θ_pn = 25 °С

300

200

150

Параметры тиристоров

Типы тиристоров

ТЧ - 63

ТБЗ - 200

ТЗ - 800

Постоянное отпирающее напряжение U_y.o (В) и ток (I_y.o, А) управления при U_a= 12 В и θ_pn °С:

-60 °C

-50 °С

+25 °С

+110°С

+125°С

—

3.5; (1.6)

2.5; (0.75)

1.5; (0.4)

—

—

8; (0.75)

5.5; (0.35)

4.0; (0.22)

—

6; (0.6)

—

5; (0.3)

—

4; (0.25)

Неотпирающее постоянное напряжение управления U_y.н (В) и ток (I_y.н мA) при U_a =0.67U_п, R_y = 20 Ом, θ_pn =125 °С

U_a =U_п, R_y = 5 Ом, θ_pn =110 °С

U_a =0.67U_п, R_y = 20 Ом θ_pn =110 °С

—

—

0.25; (2)

—

0.2; (2)

—

0.2; (15)

—

—

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления (U_y.об В) и максимально допустимый

прямой импульсный ток управления

(I_у.max; А)

1,5; (25)

3;(25)

2; (10)

Схема

ВП

Вид

нагрузки

Основные параметры

Трансформатор

(ТР)

Силовые вентили (СПП)

Вентильная схема (ВС)

, (f_n) Гц

Двухполу- периодная с нулевым выводом

R

1.23

1.73

1.48

0.5

0.785

2

0.9

0.81

0.667

(100)

R

L

1.11

1.57

1.34

0.5

0.71

2

1.17

0.81

0.667

(100)

R

С

1.51

2.14

1.83

0.5

1.15

1.68×

3.075

—

(100)

Мостовая

R

1.23

1.23

1.23

0.5

0.785

0.9

0.81

0.667

(100)

R

L

1.11

1.11

1.11

0.5

0.71

0.9

0.81

0.667

(100)

R

С

1.51

1.51

1.51

0.5

1.15

0.84×

1.4

—

(100)

Схема

ВП

Вид

нагрузки

Основные параметры

Трансформатор

(ТР)

Силовые вентили (СПП)

Вентильная схема (ВС)

, (f_n) Гц

Трехфазная с нулевым выводом

R

1.22

1.48

1.35

0.33

0.583

1.17

0.97

0.25

(150)

R

L

1.21

1.48

1.35

0.33

0.58

1.17

0.97

0.25

(150)

R

С

2.06

2.1

2.08

0.33

0.8

2.34

1.4

0.97

(150)

Трехфазная

мостовая

R

1.05

1.05

1.05

0.33

0.58

2.34

0.998

0.057

(300)

R

L

1.05

1.05

1.05

0.33

0.58

2.34

0.998

0.057

(300)

R

С

1.28

1.28

1.28

0.33

0.65

2.33

2.44

0.998

(300)

Двойная трехфазная с уравнитель­ным реактором

R

1.05

1.48

1.26

0.167

0.29

1.17

0.998

0.057

(300)

RL

1.05

1.05

1.26

0.167

0.29

1.17

0.998

0.057

(300)

Проценты выполнения работы

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Номера учебной недели