Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Методы оптимизации эксперимента в химической технологии

..pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
13.27 Mб
Скачать

+

2

Am +

2

dWh +

2

+

 

1 < i < f < k < q

1< « f < k < q

 

K * < j < k < q

 

 

 

+

2

dUkl

 

(VI.92)

 

 

1<i<f<k<l<q

 

 

 

Так как в выражениях (VI.89) —(VI.92) ^ зависит только от состава смеси, для трехкомпонентных смесей можно заранее построить линии равного значения £ для полиномов различных степеней (рис. 63, 64).

Рис. 63. Изолинии ^ для полиномов второго порядка (а) и неполного третьего порядка (б)

а

*3 ХЧ0

о

х

'

 

Рис. 64. Изолинии £ для полиномов

третьего

порядка (а)

и четвертого порядка (б)

Зная дисперсию воспроизводимости, число параллельных опытов п, лег­ ко найти ошибку предсказанных значений отклика в любой точке

диаграммы

состав —свойство, воспользовавшись для этого соответ­

ствующей

величиной

снятой с графика. Проверку адекватности

проводят в каждой контрольной точке. Для этого составляют от­

ношение

Д|/___

,—

(V I.93)

* =

АУУп

4

у Л Т Г

 

 

 

 

v*У-+*Л -

 

 

где Ду = 1Уэксп—>расч1; Л-число параллельных опытов

в каждой точке.

Величина t, распределенная по закону Стьюдента, сравнивается с табличным значением tp, (J), р уровень значимости; / —число контроль­ ных точек;/ —число степеней свободы дисперсии воспроизводимости.

Гипотеза об адекватности уравнения принимается, если /эксп< < Табл для всех контрольных точек. Адекватность можно также проверять

по нескольким точкам с использованием

х2-к:ритерия.

 

При построении доверительного интервала для значений отклика

D - 4 < S < J + 4.

(VI 94)

4 - <,/*. / !Л

<VI 95)

 

У

 

 

где к число определяемых

коэффициентов в полиноме. С

учетом

(VI 88)

 

 

 

А

,

-1/2

(VI .96)

Для тройных систем при построении доверительных интервалов можно воспользоваться контурными картами (см. рис. 63, 64), под-

ставляя в них к изолиниям вместо £, значение tpjk ^—— £1/2 .

V п

Пример 1. Изучалась зависимость реакционной способности и пористости кокса от состава шихты. В качестве компонентов шихты были взяты угли четырех технологи­ ческих групп: Гб xi, 2Ж26 —Х2, КЮ —хз, К + К2 —хл. Опыты проводились на укруп­

ненной Лабораторной установке. Характеристикой реакционной способности кокса (ур) служила константа скорости реакции С + СО2 -2СО , определенная при 1000°С. Порис­

тость кокса СУП) определялась по отношению истинной и кажущейся плотностей. По­ лагая, что поверхности отклика физико-химических характеристик рассматриваемых смесей могут быть аппроксимированы полиномами невысоких порядков, определим уравнение регрессии в виде полинома второго порядка.

Р е ш е н и е . Для решения задачи был использован симплекс-решетчатый план {4. 2}. Матрица планирования второго порядка для четырехкомпонентной смеси и ре­ зультаты опытов (каждый опыт был повторен два раза) приведены в таблице.

Номер

Х\

*2

Х э

опыта

 

 

 

1

1

0

0

2

0

1

0

3

0

0

1

4

0

0

0

5

0,5

0,5

0

6

0,5

0

0,5

7

0,5

0

0

8

0

0,5

0,5

9

0

0,5

0

10

0

0

0,5

Ха

0

0

0

1

0

0

0,5

0

ои» оTyi

Обозначение

 

УП

отклика

 

 

У\

1,48

54,0

У2

0,32

55,2

Уз

0,50

43.3

У*

0,53

45.3

У\2

0,63

53,1

У\з

0,92

48,0

.Ум

1,08

49,0

.V23

0,39

46,3

У2А

0,38

47,1

V34

0,54

44,0

Коэффициенты уравнений рассчитаны по формулам (VI.26). Для зависимости реак­ ционной способности от состава шихты имеем:

= 1.48, pt = 0,32, р8= 0,50, Р4= 0,53,

Рм = tyi* — 2yt — 2yt = 4- 0,63 — 2-1,48 — 2- 0,32 = — 1,08,

Pw = 4^18 — 2уг 2(/з = 4-0,92 2-1,48 — 2-0,50 = — 0,22, Рм = *Уи 2у! — 2yt = 4-1,08 — 2-1,48 — 2- 0,53 = 0,30,

?2з= 4^23 — 2«/2 — 2|/з = 4*0,39 — 2-0,32 — 2*0,50 —— 0,08, Р24= 4{/г* ”™2{/й— 2{/4 = 4* 0,38 — 2*0,32 — 2*0,53 = — 0,18, р84= 4{/342уа— 2{/4= 4*0,54 — 2*0,50 — 2*0,53= 0,1.

Таким образом, полином второго порядка для реакционной способности в четырех­ компонентной системе имеет вид

у9 =

1,48 хх+

0,32 х* + 0,50 х3 + 0,53 ж4— 1,08ххха — 0,22 ^*3+

 

-J- 0,3 ххх4— 0,08 xtXa— 0,18 х2х4+ 0,1 х3х4.

(VI .97)

Для пористости

 

 

Рм = 6,4,

 

р4 = 54,0, ps = 55,2,

Ра = 43,3, р4=45,3,

р18 =

— 2 ,6 ,

Э14 = — 2 . 6 ,

Раз = — 1 1 ,8 , р*4 =

1 2 ,6 ,

Р34 = - 1 , 2

иуравнение регрессии

=54,0 + 55,2 х2+ 43,3 х8+45,Зх4— 6,4 xjx*—2,6 х ^ —

 

 

— 2,6 Х!**— 11,8X2X312,6X2X41,2 X3X4.

 

(VI.98)

Для проверки адекватности полученных уравнений были использованы 25 контроль­

ных точек (таблица ниже).

 

 

 

 

 

 

 

 

Н о м е р

О б о з н а ч е ­

'vpэ к с

 

Д ур

Уэкс

 

Д уп

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о п ы т а

н и е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о т к л и к а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

112

0,77

0,99

0,22

53,5

53.1

0,4

0,72

3,16

0,3

 

1,15

1.19

0,04

51.0

50.8

0,2

0,72

0,575

0,15

2

/1 1 1 3

51.3

1,0

0,72

0,72

0,72

3

y U \ A

1,25

1.20

0,05

50.3

0,80

 

0,31

0,34

0,03

49.0

50.1

1,1

0,72

0,43

4

/2 2 2 3

1,37

 

0,39

0,34

0,05

52.3

50.4

1.9

0,72

0,72

5

/2 2 2 4

45.0

43,6

1.4

0,72

0,43

0,5

6

/3 3 3 4

0,55

0,52

0,03

0,72

0,86

0,7

7

/1 2 2 2

0,35

0,41

0,06

57.2

53.8

2,6

 

/1 3 3 3

0,75

0,70

0,05

44.0

45.5

1.5

0,72

0,72

1,2

8

 

0,94

0,82

0,12

48,9

47.0

1.9

0,72

1,72

0,4

9

/1 4 4 4

43.4

44.0

0,7

0,72

1,0

0,75

10

/2 3 3 3

0,51

0,44

0,07

0,74

0,8

 

0,36

0,45

0,09

46.3

45.4

0,9

0,72

И

/2 4 4 4

44.5

44.6

0,1

0,72

1,34

0,6

12

/3 4 4 4

0,57

0,50

0,07

0,59

0,74

1,95

/1 1 2 3

0,82

0,77

0,05

52.4

49.8

2.6

1,3

1,2

13

 

0,90

0,81

0,09

51.5

50.1

1.4

0,59

14

/1 1 2 4

0,17

47.0

48.4

1.4

0,59

2,54

0,3

15

/1 1 3 4

0,17

1,00

50.6

49.5

1,1

0,59

0,3

0,5

16

 

0,49

0,51

0,02

0,59

0,15

0,4

/1 2 2 3

0,52

0,53

0,01

48.0

49.8

1,8

17

/1 2 2 4

46.7

45.8

0,9

0,59

0,15

1,3

18

/1 3 3 4

0,76

0,75

0,01

1.9

0.59

0,6

0,7

/2 2 3 4

0,44

0,40

0,04

48,4

46.5

 

 

19

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Номер

Обозначе­

у Р

 

ДуР

Хэкс

5>-п

Д у11

%

/ р

гп

опыта

ние

•^экс

 

 

 

 

 

 

 

отклика

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

>>2334

0,48

0,46

0,02

46,8

44,4

2,4

0,59

0,3

1,0

21

> 4233

0,58

0,63

0,05

45,7

46,7

1,0

0,59

0,74

1,4

22

> 4 2 4 4

0,59

0,68

0,09

47,0

47,6

0,6

0,59

1,34

0,8

23

> 4344

0,78

0,80

0,02

49,0

46,4

2,6

0,59

0,3

1,2

24

>>2344

0,42

0,44

0,02

46,0

44,8

1,2

0,59

0,3

0,8

25

>>1234

0,60

0,65

0,05

48,0

47,0

1,0

0,44

0,78

0,79

Координаты контрольных точек выбраны таким образом, чтобы иметь возможность при неадекватности уравнений регрессии (VI.97) и (VI.98) построить полином четвер­ того порядка (см. рис. 62, г).

Для каждой контрольной точки составлялось /-отношение:

t — Ay V n

Sy V 1 i

Ошибка воспроизводимости при определении реакционной способности кокса —0,075, при определении пористости —.sJJ — 1,5. Число степеней свободы —35. Число парал­ лельных опытов в каждой точке п —2. Для каждой проверочной точки определялась

величина

 

2

*1+

2

“*/’

 

\ < i < q

\ < i < ! < q

 

где а/ = хД2х/ -

1); а у = 4х,х/.

 

 

 

При уровне

значимости /? —0,05

и /д,—35

/табл =3,6. Следовательно, оба уравне­

ния оказались адекватными эксперименту.

Полученные уравнения позволяют определить величины реакционной способности и пористости кокса для любого состава шихты из углей рассмотренных групп. На основании найденных уравнений регрессии (VI.97) и (VI.98) были построены проекции линий равных значений свойств на сечения (рис. 65) х, —0,0 и х, —0,3.

Ъ ® ХГ°>3

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0$ 0,6

0,7

0,8 0,9

1,0

53,552,051,050,049,048$48,047,547,046J546,0

-------► Хт

 

 

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0J

 

 

 

 

х3

Рис.

65.

Линии

равных

значений свойств;

а — xt — 0; 6— х\ — 0,3

Рис. 66. Системы эвтектического типа

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофаз­ ных участков сложных систем или если изучаемое свойство опреде­ ляется только одной фазой. Попытки использовать метод симплекс­ ных решеток для построения зависимостей свойств от состава цели­ ком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критически­ ми точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа Pb - Cd - Bi не привели к успе­ ху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и б). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априор­ ную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пере­ сечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника,, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой

системы Pd - Cd - Bi внутри каждого треугольника был реализован неполно-кубический симплекс-решетчатый план (табл. 78).

Та б л и ц а 78. Матрица планирования для получения неполно-кубических полиномов

втреугольниках I, II, III

Н о м е р

 

В к о д и р о в а н н о м м а с ш т а б е

 

В н а т у р а л ь н о м

Т е м п е р а т у р а л и к в и ­

о п ы т а

 

 

 

 

 

 

 

м а с ш т а б е

 

 

д у с а у , °С

 

 

 

*2

*3

*4

 

РЬ

C d

 

Bi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

1

0

 

0

0

0

0

100

0

 

0

 

у \ -

327

2

 

0

1

 

0

0

0

0

82

18

 

0

 

у г - 2 4 8

3

 

0

0

 

1

0

0

0

45

0

 

55

 

. у з - 1 2 7

4

 

Уг

Уг

 

0

0

0

0

91

9

 

0

У12— 276

5

 

Уг

0

 

Уг

0

0

0

72,5

0

 

27,5

у 13 = 2 2 8

6

 

0

Уг

 

Уг

0

0

0

63,5

9

 

27,5

угз — 180

7

 

Уз

Уз

 

Уз

0

0

0

75,7

6

 

18,3

у 12з — 230

8

 

0

0

 

0

1

0

0

0

100

0

 

У 4 - 3 2 1

9

 

0

0

 

0

0

1

0

0

40

 

60

 

ув — 149

10

 

0

Уг

 

0

Уг

0

0

41

59

 

0

У24 -

278

11

 

0

У2

 

0

0

Уг

0

41

29

 

30

у г б - 2 2 0

12

 

0

0

 

0

'6

Я

0

0

70

 

30

У45 -

254

13

 

0

Уз

 

0

Уз

Уз

0

27

53

 

20

У245

257

14

 

0

0

 

0

0

0

1

0

0

 

100

 

ув — 271

15

 

0

0

 

14

0

Уг

0

22,5

20

 

57,5

у з б - 1 2 7

16

 

0

0

 

Уг

0

0

'/2

22,5

0

 

77,5

у зв - 2 0 4

17

 

0

0

 

0

0

Уг

Уг

0

20

 

80

У5в — 185

18

 

0

0

 

Уз

0

1/4

Уз

15

13,3

71,7

У35в — 160

По результатам опытов (табл. 78) были найдены неполные куби­

ческие полиномы:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

треугольник I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у = 327 хх-f- 248 х2+

127 х3— 46 ххх2+ 4 ххх3— 30 х2х3+ 108ххх2х3\

(VI .99)

 

треугольник II

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у = 248 х2+ 321 *4+

149 хь— 26 х2х4+ 86 х2хь

76 х4х5+ 69 х2 х4 хь\

(VI. 100)

 

треугольник III

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у =

127х3-}■*149 л* + 271 хв — 44 *3*5-f- 20 х3хв -f- 100 x6xe-f~39 х3хъх8>

(VI. 101)

где

у

температура

ликвидуса,

°С,

х -Р Ь ;

х2—сплав РЬ

с

18% Cd;

х3 —сплав

Bi с

45% Pb;

х4 —Cd;

х5 —сплав

Bi

с

40%

Cd;

xe-B i.

 

Все

полиномы

оказались

адекватными.

Затем

была

проведена

графическая экстраполяция (рис. 66, г), давшая возможность весьма точно определить линии кристаллизации двойных эвтектик в тройных сплавах и координаты точки тройной эвтектики.

В симплекс-решетчатых планах при получении полиномов невы­ соких степеней коэффициенты определяют по результатам опытов, в большинстве которых присутствуют не все компоненты. Естествен­ но, что результаты опытов с чистыми компонентами несут мало информации о свойствах изучаемой системы. Для систем компонен­

тов

4 можно использовать паланы Ламбра-

*t

киса—обычные симплексные решетки Шеффе,

 

но не включать в эти решетки чистые компо­

 

ненты, а вместо них ставить опыты в q точках

 

с координатами

 

 

 

 

 

1

 

 

 

*1=- * 2 = ••• = xq = -------:

 

Например, при построении полинома второй

 

степени в четырехкомпонентной системе сле­

 

дует

четыре точки с координатами xi = хг =

 

=х3=х4 = 1

(см. рис. 61, а) заменить четырьмя

 

точками с

координатами

xi = хг = хз = х а = Уз

Рис. 67. План Ламбракиса

(рис.

67).

Таким образом,

план Ламбракиса

 

вместо четырех опытов в вершинах тетраэдра включает четыре опыта

в центрах треугольников, образующих данный

тетраэдр (xi23, Х124,

Х134 и Х234), и шесть опытов

в центрах граней

тетраэдра (Х12, xi3,

Х14, Х23,

Х24 и Х34).

планирование. В

симплекс-центроидных

3.

Симплекс-центроидное

планах Шеффе содержится 2q- 1 точек, q из которых приходится на чистые компоненты, Q на двухкомпонентные смеси, Q —на трех­ компонентные смеси и т. д. и одно наблюдение —на ^-компонентную смесь. Координаты точек в симплекс-центроидных планах (1, 0,...,0), 0/2, 1/г, 0,...,0),...,(1/<7, 1/<7,...,1/<?), а также все точки, которые можно полу­ чить из этих перестановками координат. Таким образом, план содержит точку в центре (центроид) симплекса и центроиды всех симплексов низшей размерности, его составляющих.

Полиномы, получаемые по симплекс-центроидным планам, содер­

жат столько

же коэффициентов, сколько точек

в плане, и для

^-компонентной смеси имеют вид

 

 

у = 2

М< +

2

h i *i *]+

2

Pw *i xi xk +

1< l <q

\<i< J <q

l < i < J <k <q

 

 

+

?12 ... q*1*2

V

(VI. 102)

Для данного числа компонентов q можно составить единственный симйлекс-центроидный план. Симплекс-решетчатый план для построе­ ния полинома неполной третьей степени является симплекс-центроид­ ным планом для трехкомпонентных систем (см. рис. 61, б). Построим в качестве примера симплекс-центроидный план для четырехкомпонент­

ной

системы

(q «= 4).

Число

опытов

в плане

N=2q- 1 = 24 - 1 = 15.

Расположение

точек

на

концентрационном тетраэдре

показано

на

рис.

61, в,

а соответствующий симплекс-центроидный план при­

веден в табл. 79.

для

qa 4 содержит

15

членов

и имеет

вид

Полином

(VI. 102)

У = $1*1 +

$2Х2 + Рз*3 “Ь ?4*4 +

?12Х1Х2 +

Pl3*l*8 +

Pl4*l*4 +

р23*2*3 +

 

+

024*2*4+

Рз4*8*4 +

Pl23*l*2*3 + Pl24*l*2*4 +

Pl84*l*3*4+ ?234*2*3*4 +

 

 

 

 

 

+

Pl234*l*2*3*4-

 

 

(VI. 103)

Т а б л и ц а

79.

Матрица симплекс-центрондного плана в четырехкомпонентной

 

 

 

 

 

 

системе

 

 

 

 

 

Номер

XI

Х7

да

ХА

У

Номер

х\

X I

ДО

ДС4

У

опыта

опыта

1

1

0

0

0

У 1

9

0

1/2

0

1/2

У2А

2

0

1

0

0

>*

10

0

0

Vb

V*

УЗА

3

0

0

1

0

.уз

11

1/3

1/3

1/3

0

У\23

4

0

0

0

1

ул

12

1/3

1/3

0

1/3

У\2А

5

1/2

1/2

0

0

>>12

13

1/3

0

1/3

1/3

>>134

6

1/2

0

1/2

0

>мз

14

0

1/3

1/3

1/3

>>234

7

1/2

0

0

1/2

y \ A

15

1/4

1/4

1/4

1/4

>>1234

8

0

1/2

1/2

0

>>23

 

 

 

 

 

 

Воспользовавшись свойством насыщенности плана, последователь­ но подставляя координаты экспериментальных точек 1 -г-15 в полином (VI. 103), определим коэффициенты полинома:

 

P i =

р2 =

*/2; Рз = </з*.

Ь = Уа >

 

(VI. 104)

 

Р12 =

4i/ia

— 2 |/!

 

 

 

 

 

 

Pis =

4^13 — 2у х — 2(/3

 

 

 

 

 

Pi4= 4^14 — 2Уг— 2уА

 

 

 

(VI .105)

 

Р28= 4(/23 — 2у2з

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?24 = 4(/842У2 — 2*/4

 

 

 

 

 

p84=^34—2t/3 —2у4

 

 

 

 

Р123 = 27|/12з— 12 (уi2 + Уis + У*з) + 3(yt + уг + Уз),

 

Pl24=

27у124 — 12 (у12+

</!4+

(/24) +

3(У! +

t/2 + У4)»

(VI . 106)

Pl84=

27l/l34 — 12 (у18+

(/l4+

1/34) +

3 (уу+

у8+

(/4),

 

?234 =

271/284 “ 12 ((/23 +

Уг4 +

«/84) +

3 ((/а +

08 +

04)»

 

Pl2»4 = 256(/1284 —

1 08 ((/128 +

У124 +

(/184 +

0234) + 32 ((/12 + 018 + 014 +

023 +

 

+ 024 + Узд — 4 1 + Уз + Уз + У*)-

 

(VI • 107)

Аналогично,

для полинома (VI. 102) «/-компонентной смеси имеем:

 

 

 

Pi = 0i.

 

 

 

(VI .108)

hi = 4у и — 2yi — 2yj = 2 [2уи (yt + yj)],

 

(VI.109)

hih =

27j/,/fc — 12 (yu + yih + yJh) +

3(yt + yj + Ук) =

 

= 3 [9yiJk 4 (уи + yih + yJh) + (yt + yj + yh)J,

(VI. 110)

hjhm = 256yijhm— 108(yijh + yijm + yihm + yJhm) + 32 (ytJ + ylk +

+ У1 т + yjk + yjm + Уkm) 4 (yt + yj +

Ук + Ут) = 4 [64уцкт 27 (уцъ +

+ УUrn + Угкт) + 8 (Уii +

 

У1к +

У1т +

У!к + Vim +

Укпд ~

 

(yi+yj + Ук + Ут)]-

(VI. 111)

В общем случае формула для коэффициентов уравнения регрессии, полученного по симплекс-центроидному плану, имеет вид

РU ... = г2 (~ Dr-' <r-* SSt ,

(VI.112)

/=1

 

 

где г—число индексов у коэффициента

SSt сумма результатов

опытов всех смесей из /-компонентов, взятых в равных пропорциях

(1/0. Например, для коэффициента Вок имеем г=3(/, у, к) и три суммы:

yi + yj + yh — SSx — для

1/ * = 1.

(VI. 113)

+

+

=

— для

l// = i/2,

(VIЛ14)

Uijk = S$9 — Для 1/* = 1/а*

(VIЛ15)

Таким образом,

 

 

 

 

 

 

PiА = 3 1(— I)*"1 I8"1

 

+ ( -

I)8- 2

SS2+ ( - I)8"8 38“i SS8] =

= 3 l(yt + У}+ Уь) — 4 (ytf + yih + ^ fc) + 9уиЛ] .

(VI .116)

Проверку адекватности уравнения регрессии, полученного по симплекс-центроидному плану, и построение доверительных интерва­ лов значений свойств, предсказанных уравнением, осуществляют теми же способами, что и в методе симплексных решеток.

Пример 2. Изучалось влияние состава на активность (yi) и прочность (уа) плати­

нового катализатора на непористом металлическом носителе при 350°С. Суммарное мас­ совое количество компонентов от опыта к опыту поддерживалось постоянным. Приняв

а

его за единицу, можно записать, что Е х, —1, где xi компонент Pt / АЬОз —измельчен-

/-1

ный отработанный катализатор риформинга; Х2 и х$ компоненты —неорганические

окислы металлов И и III групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Р е ш е н и е . Был применен симплекс-центроидный план для д —3. Матрица пла­

нирования и результаты экспериментов представлены в таблице.

Номер опыта

*\

 

*3

У\ %

%

1

1

0

0

97,4

62

2

0

1

0

3,0

73

3

0

0

1

4,7

47

4

0,5

0,5

0

70,0

64

5

0,5

0

0,5

66,0

55

6

0

0,5

0,5

6,8

72

7

0,333

0,333

0,333

95,4

67

По формулам (VI.39) и (VI.40) определены коэффициенты уравнений регрессии для активности

Ух= 97,4хх + 3,0*2 “Ь4,7*з + 79,3х1х2-f- 59,9XIX8+ 11 ,8х2х8+

+ 1 ^б.ЗБ^лгаХз

(V I. 117)

289

и прочности катализатора

у, =

62*1 + 73*а +

47*3— 14*!** + 2*!*з +

48***, +

63*!*2*з.

(VI. 118)

Ошибка воспроизводимости при измерении активности катализатора ^ , —3,24, при

измерении прочности sy 2 —2,37.

 

и (VI. 118) проверялась по

критерию

Адекватность уравнений регрессии (VI. 117)

Стьюдента в.контрольных точках 8, 9 и 10 (таблица).

 

 

 

Номер опыта

 

хг

*3

У|.

У\

Уг

Уг

8

0,333

0,667

0

46

52

72

66

9

0,667

0,333

0

96

84

63

70

10

0,580

0,320

0,097

91

98

62

65

Для всех контрольных точек значения меритерия для уровня значимости р —0*05

меньше табличного. На рис. 68 показаны линии равного значения активности катализа­ тора у\ и прочности у2, построенные по уравнениям (VI. 117) и (VI. 118). Наибольшая

активность катализатора соответствует области, где значения компонента Jti > 0,4. Проч­ ность, равная 65%, является вполне удовлетворительной. Наибольший интерес представ­ ляют точки, лежащие на пересечении линии равного выхода уг —65% с линией равного выхода у\ —100%. Опыт 10 (см. таблицу и рис. 68), поставленный в указанной области,

дал хорошее (в пределах ошибки опыта) совпадение расчетных и экспериментальных результатов.

4. Планирование эксперимента при исследовании локальных участков диаграмм. При изучении диаграмм состав —свойство ^-компонентных смесей часто возникает необходимость исследовать зависимость свойст­ ва от состава не во всей области изменения концентрации компонен­ тов 0^ х , < 1,а в локальном участке диаграммы:

0 < flj < Xi < b i < 1, i = 1, 2, ... , q.

1. Исследуемая область —симплекс. Изучаемая локальная область на диаграмме может представлять собой неправильный симплекс,

координаты вершин которого А ^ ,

A2(J§

xSJ) известны.

 

Чтобы иметь возможность применять в этом случае планы, используемые для изучения полных диаграмм, проводят перенормиров-

Рис. 68. Линии равных значений у\

(—)

Рис. 69. Область исследования темпе­

ратуры кипения в системе К2НРО4

-

и Уг (------- )

 

 

К2СО3 - Н20