8.2. Экспериментальное определение -параметров в схеме с оэ

Параметры иопределяются в режиме короткого замыкания выхода. Схема такого соединения показана на рис. 8.4,а. Режим короткого замыкания выхода обеспечивается конденсатором, который осуществляет замыкание коллектора по переменной составляющей коллекторного тока. Последовательно с конденсатором включено сопротивление<<для измерения этого тока. Необходимый статический режим работы транзистора (ив рабочей точке) устанавливается подбором значений сопротивления. Входной сигнал на базу подается от генератора ГНЧ через блокирующий конденсатори сопротивление. Это сопротивление применяется для измерения входного тока. Проведя с помощью осциллографа измерения напряжений,и, можно найти параметрыи:

Измерение параметров ипроводятся по схеме (рис. 8.4,б).

Режим холостого хода на входе транзистора обеспечивается большим значением сопротивления (порядка 1 МОм). Переменный сигнал от ГНЧ подается на коллектор через сопротивление, необходимое для измерения тока. Измерив напряжений,и, можно найти:

Для сохранения режима работы транзистора в схемах (рис. 8.4) необходимо обеспечить равенство суммарного сопротивления в коллекторной цепи схемы (рис. 8.4,б) сопротивлениюсхемы (рис. 8.4,а).

8.3. Выполнение работы

1. Провести экспериментальное измерение -параметров транзистора для различных эмиттерных токовпри частоте 1 кГц.

2. Провести экспериментальное измерение -параметров транзистора для различных частот при выбранном токе.

8.4. Содержание отчета

1. Цель работы, схемы включения биполярного транзистора СВЧ.

2. Графики зависимостей -параметров от токаи частоты.

3. Результаты расчета эквивалентной схемы по измеренным -пара-метрам. Значение емкостиберется из справочника.

4. Y-параметры по рассчитанной эквивалентной схеме для различных частот. Графики частотных зависимостей проводимостей транзистора.

5. Результаты расчета проводимостей по -параметрам, измеренных на различных частотах. Графики частотных зависимостей проводимостей.

Список литературы

1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. М: Мир, 1984.

2. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение/ Под ред. Г. Уотсона. М.: Мир, 1972.

3. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ/ Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. М.: Мир, 1979.

4. В. М. Березин, В. С. Буряк, Э. М. Гутцайт, В. П. Марин. Электронные приборы СВЧ: Учебн. пособие для ВУЗов./ М.: Высш. шк., 1985.

Оглавление

1. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕТЕКТОРНЫХ ДИОДОВ 3

2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ 13

И ОГРАНИЧИТЕЛЯ НА P-I-N ДИОДАХ 13

3.ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕНЕРАТОРА 25

НА ЛАВИННО-ПРОЛЕТНОМ ДИОДЕ 25

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕНЕРАТОРА И УСИЛИТЕЛЯ 33

НА ДИОДЕ ГАННА 33

4.1. Основные теоретические положения 33

4.3. Описание экспериментальной установки 43

4.4. Предварительное задание 44

5. ИССЛЕДОВАНИЕ УМНОЖИТЕЛЯ ЧАСТОТЫ 46

НА ВАРАКТОРНОМ ДИОДЕ 46

6. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ 55

ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ 55

7. ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 68

ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ 68

8. ИССЛЕДОВАНИЕ СВЧ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 76

Оглавление 84

Редактор Н. В. Лукина

Подписано в печать 12.10. Формат 6084 1/16.

Бумага офсетная. Печать офсетная. Печ. л. 5,0

Гарнитура «Times». Тираж 75 экз. Заказ

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»