Скачиваний:
3
Добавлен:
15.10.2023
Размер:
1.59 Mб
Скачать

75. Рекристаллизация собирательная- изменения в структуре, влияние на свойства

  • собирательную — неискажённые зёрна растут за счёт друг друга, вследствие чего средняя величина зерна увеличивается

Собирательная рекристаллизация – вторая стадия процесса, заключающаяся в росте образовавшихся новых зерен. Рост зерен обусловлен стремлением системы к более равновесному состоянию за счет уменьшения внутренней поверхности зерен. Особенность собирательной рекристаллизации – вторичная рекристаллизация – рост отдельных зерен за счет других.

76. Рекристаллизация вторичная-изменения в структуре, влияние на свойства

Термин «вторичная рекристаллизация» применим только к дискретному росту зерен. Это приводит к появлению зерен большого размера. При увеличении размера зёрен прочность материала уменьшается.

  • вторичную рекристаллизацию, которая отличается от собирательной тем, что способностью к росту обладают только немногие из неискажённых зёрен.

В ходе вторичной рекристаллизации структура характеризуется различными размерами зёрен (разнозернистость).

(Так как при вторичной рекристаллизации зёрна увеличивается в размерах, то прочность материала уменьшается)

77. Хрупкое разрушение-особенности 78. Вязкое разрушение –особенности 79. Отличия вязкого и хрупкого разрушений

80. Электронная микроскопия-особенности взаимодействия электронов с веществом

В результате взаимодействия ускоренных электронов с веществом происходит ряд процессов, которые приводят к выходу из исследуемого образца электронов или квантов электромагнитного излучения. Основными сигналами, которые регистрируются в сканирующем электронном микроскопе, являются вторичные электроны, отраженные электроны и рентгеновское излучение. Ускоренные электроны пучка (первичные электроны) проникают в материал на глубину порядка микрон, рассеиваясь (рис. 8).

Глубина проникновения определяется энергией первичных электронов и плотностью материала, в котором они рассеиваются. Электроны пучка, вылетевшие в результате рассеяния (столкновения с атомами и электронами образца) из образца назад называются отраженными (обратно-рассеянными) электронами

Соседние файлы в предмете Методы исследования состава и свойств материалов на основе редких элементов