60.Влияние легирующих элементов на процессы отжига, закалки

. Большинство легирующих элементов затрудняют диффузионный распад аустенита, способствуя большему его переохлаждению. При одной и той же скорости охлаждения с увеличением содержания легирующих элементов в стали растет склонность аустенита к переохлаждению и, соответственно, более дисперсной становится ферритно-карбидная смесь, образующаяся при распаде аустенита. При достаточно большом содержании некоторых легирующих элементов, особенно хрома и вольфрама, аустенит даже при охлаждении на воздухе не претерпевает перлитного превращения вплоть до температуры бездиффузионного мартенситного превращения. В такой стали, охлажденной на воздухе, образуется мартенсит.

61.Троостит-условия получения

После отпуска при 300-4500С образуется сильно травящаяся игольчатая структура, состоящая из феррита и мельчайших пластин Fe3C, которую называют трооститом отпуска

62. Сорбит –условия получения

Структура, образовавшаяся после высокого отпуска закаленной стали, называется сорбитом отпуска.

63. Виды дефектов в материалах

Различают разные типы дефектов, которые проще всего классифицировать в соответствии с их размерностью: вакансии и междоузельные атомы (нульмерные или точечные дефекты), дислокации (одномерные или линейные дефекты) и межзеренные и фазовые границы (двумерные или плоские дефекты). (Точечные, линейные, поверхностные, объёмные)

64. Дислокации-виды и особенности получения, движения

Дислокации делятся на краевые, винтовые и смешанные.

Дислокации представляют собой возмущения кристаллической структуры вдоль некоторой линии. Тип дислокации проще всего представить линией, вдоль которой обрывается кристаллографическая плоскость (рис. 3.7). Эту линию обрыва кристаллографической «полуплоскости» часто называют краевой дислокацией. Можно рассмотреть и иной механизм ее возникновения при частичном рассечении кристалла вдоль некоторой плоскости, смещении образующихся частей перпендикулярно линии обрыва и последующем их совмщении. Дислокации другого типа образуются при смещении частей кристалла не перпендикулярно, а параллельно линии рассечения; они называются винтовыми дислокациями (рис. 3.8).

Дислокации, как и точечные дефекты могут передвигаться по решетке. Понятно, что на движение есть много ограничений, потому что дислокация всегда должна оставаться непрерывной линией. Возможны два типа движения: переползание и скольжение.

Переползанием называется движение краевой дислокации при продвижении лишней полуплоскости вглубь кристалла или наружу.

Скольжение - это движение краевой дислокации по нормали к плоскости скольжения, т.е. с вектором перемещения в плоскости скольжения.

65. Источник Франка-Рида

Поскольку длина скольжения обычно мала по сравнению с толщиной образца или размером кристалла, должны существовать и механизмы образования дислокаций внутри кристалла. Эти дислокации возникают за счет внутренних источников, наиболее известными из которых являются источники Франка—Рида (рис. 6.48). Ненапряженная конфигурация этих источников состоит из подвижного сегмента дислокации с длиной l в плоскости скольжения, которая может быть создана поперечным скольжением (см. ниже). Если приложено соответствующее напряжение, дислокационный сегмент выгибается, и радиус кривизны R связан с напряжением сдвига τ соотношением.

(Дислокационная линия закреплена с двух сторон. Это так называемый источник Франка-Рида. Приложенные напряжения выгибают линию дислокаций в дугу. Радиус кривизны зависит от приложенного напряжения τ и уменьшается по мере роста этого напряжения. Минимальный радиус получится, когда линия дислокаций примет форму полуокружности. Дальнейшее движение дислокации может приводить к увеличению радиуса кривизны линии дислокации, что должно соответствовать уменьшению напряжения τ. При неизменном же значении τ линия дислокации должна закручиваться вокруг точек D и D’. Линия дислокации образует большую петлю, которая в результате встречного движения m и n в конечном итоге превращается в замкнутую петлю дислокации и новую дислокацию DD’, аналогичную исходной. Далее пол действием напряжений процесс начинается снова, многократно повторяясь. Такие источники увеличивают количество дислокаций в десятки и сотни раз.)