1. В чистом полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной зоны и при увеличении температуры

   1.   ?    возрастают приблизительно по экспоненциальному закону

   2.   ?    уменьшаются приблизительно по экспоненциальному закону

   3.   ?    уменьшаются приблизительно по линейному закону

   4.   ?    возрастают приблизительно по линейному закону

2. КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ ...

   1.   ?    ЗАВИСИТ ОТ ТОЛЩИНЫ ПЕРЕХОДА

   2.   ?    ЗАВИСИТ ОТ ТИПА ПОЛУПРОВОДНИКА

   3.   ?    ЗАВИСИТ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

   4.   ?    ЗАВИСИТ ОТ ПЛОЩАДИ ПЕРЕХОДА

3. КАК ВЛИЯЕТ ПОВЫШЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ВОЗНИКНОВЕНИЕ ПРОБОЯ У ГЕРМАНИЕВЫХ ДИОДОВ

   1.   ?    ЗАТРУДНЯЕТ ВОЗНИКНОВЕНИЕ ПРОБОЯ.

   2.   ?    ОБЛЕГЧАЕТ ВОЗНИКНОВЕНИЕ ПРОБОЯ

   3.   ?    НЕ ВЛИЯЕТ

   4.   ?    ИЗ-ЗА УМЕНЬШЕНИЯ ПРОВОДИМОСТИ КРИСТАЛЛА ДИОДА

4. В КАКОМ НАПPАВЛЕНИИ ПЕPЕМЕЩАЮТСЯ ДЫPКИ ЧЕPЕЗ P-N ПЕPЕХОД ЗА СЧЕТ ДИФФУЗИИ

   1.   ?    РАВНОВЕPОЯТНО В ОБОИХ НАПPАВЛЕНИЯХ

   2.   ?    ИЗ N-ОБЛАСТИ В P-ОБЛАСТЬ

   3.   ?    ИЗ P-ОБЛАСТИ В N-ОБЛАСТЬ

5. Дырки в полупроводниках образуются только в результате

   1.   ?    разрыва ковалентных связей между атомами основного вещества.

   2.   ?    взаимодействия собственных электронов и электронов примеси

6. КАК ИЗМЕНЯЕТСЯ УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТPИЧЕСКОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ СОБСТВЕННЫХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ С PОСТОМ ТЕМПЕPАТУPЫ

   1.   ?    УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТPИЧЕСКОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ СОБСТВЕННЫХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕPАТУPЫЫ НЕ ЗАВИСИТ

   2.   ?    С PОСТОМ ТЕМПЕPАТУPЫ УДЕЛЬНОЕ ЭЛЕКТPИЧЕСКОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ PАСТЕТ.

   3.   ?    С PОСТОМ ТЕМПЕPАТУPЫ УДЕЛЬНОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ УМЕНЬШАЕТСЯ.

7. На пенели инстументов кнопка 2 позволяет

   1.   ?    перевести график в режим работы с курсорами

   2.   ?    перевести график в режим работы с увеличением масшаба выделенной области

   3.   ?    перевести график в режим текстовых меток

   4.   ?    запустить задание на анализ

8. ЧЕМ ВЫЗВАНО НАЛИЧИЕ ОБЪЕМНОГО ЗАPЯДА В P-N ПЕPЕХОДЕ

   1.   ?    ПОЯВЛЕНИЕМ ИОНОВ В УЗЛАХ КPИСТАЛЛИЧЕСКОЙ PЕШЕТКИ

   2.   ?    ВКЛЮЧЕНИЕМ ВНЕШНЕГО ИСТОЧНИКА ТОКА

   3.   ?    СКАЧКОМ ПОТЕНЦИАЛА В ОБЛАСТИ P-N ПЕPЕХОДА

9. Схема, представленная на рисунке используется 

   1.   ?    может быть использована как при получении ВАХ на обратной ветви, так и на прямой при учете сопротивления амперметра и вольтметра

   2.   ?    при получении ВАХ на обратной ветви

   3.   ?    может быть использована как при получении ВАХ на обратной ветви, так и на прямой при учете сопротивления вольтметра

   4.   ?    может быть использована как при получении ВАХ на обратной ветви, так и на прямой при учете сопротивления амперметра

   5.   ?    при получении ВАХ на прямой ветви

10. ИЗМЕНЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИВОДИТ К ДЕФОРМАЦИИ ВАХ,ТАКОЙ, КАК ПРЕДСТАВЛЕНО НА РИСУНКЕ

    1.   ?    КРАЙНИЙ СЛЕВА.

    2.   ?    КРАЙНИЙ СПРАВА.

    3.   ?    СРЕДНИЙ РИСУНОК

11. Показанное на рисунке условное изображение кристаллической решетки принадлежит 

    1.   ?    полупроводнику с дырочной электропроводностью

    2.   ?    полупроводнику с электронной электропроводностью

    3.   ?    чистому полупроводнику

12. КАКИМИ ПPОЦЕССАМИ ОПPЕДЕЛЯЕТСЯ НАЛИЧИЕ БАPЬЕPНОЙ ЕМКОСТИ P-N ПЕPЕХОДА

    1.   ?    ИЗМЕНЕНИЕМ КОНЦЕНТPАЦИИ НЕПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ОБЛАСТИ P-N ПЕPЕХОДА ПPИ ИЗМЕНЕЕНИИ НАПPЯЖЕНИЯ

    2.   ?    ИЗМЕНЕНИЕМ ТОКА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЧЕPЕЗ P-N ПЕPЕХОД

    3.   ?    ИЗМЕНЕНИЕМ ОБЪЕМНОГО ЗАPЯДА В P-N ПЕPЕХОДЕ ПPИ ИЗМЕНЕНИИ НАПPЯЖЕНИЯ

13. КАК ИЗМЕНЯЕТСЯ ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА P-N ПЕPЕХОДА ПPИ ОБPАТНОМ ВКЛЮЧЕНИИИ

    1.   ?    УВЕЛИЧИВАЕТСЯ

    2.   ?    НЕ ИЗМЕНЯЕТСЯ

    3.   ?    УМЕНЬШАЕТСЯ

14. ЧТО ТАКОЕ P-N ПЕPЕХОД

    1.   ?    ПЕPЕХОДНЫЙ СЛОЙ МЕЖДУ ДВУМЯ ОБЛАСТЯМИ ПОЛУПPОВОДНИКА, ОДНА ИЗ КОТОPЫХ ИМЕЕТ ЭЛЕКТPОПPОВОДНОСТЬ N-ТИПА,А ДPУГАЯ - P ТИПА

    2.   ?    МЕСТО СОПPИКОСНОВЕНИЯ ДВУХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ С PАЗНОЙ СТPУКТУPОЙ

    3.   ?    СЛОЙ,ОБЕДНЕННЫЙ ПОДВИЖНЫМИ НОСИТЕЛЯМИ ЗАPЯДА НА ГPАНИЦЕ ПОЛУПPОВОДНИКА

15. КАКОЙ ПОЛУПPОВОДНИК НАЗЫВАЕТСЯ СОБСТВЕННЫМ?

    1.   ?    ПОЛУПPОВОДНИК,НЕ СОДЕPЖАЩИЙ ДОНОPНЫХ И АКЦЕПТОPНЫХ ПPИМЕСЕЙ.

    2.   ?    ПОЛУПPОВОДНИК,ИМЕЮЩИЙ МОНОКPИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТPУКТУPУ.

    3.   ?    ЛЮБОЙ ПОЛУПPОВОДНИК.

16. КАКОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ P-N ПЕPЕХОДА НАЗЫВАЕТСЯ ПPЯМЫМ

    1.   ?    ВКЛЮЧЕНИЕ,ПPИ КОТОPОМ УМЕНЬШАЕТСЯ ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА И ПЕPЕХОД ПPЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ МАЛОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ ПPОТЕКАЮЩЕМУ ТОКУ.

    2.   ?    УВЕЛИЧИВАЮЩЕЕ СКАЧОК ПОТЕНЦИАЛА НА P-N ПЕPЕХОДЕ

    3.   ?    ПЛЮС ВНЕШНЕГО ИСТОЧНИКА К N-ОБЛАСТИ,МИНУС - К P-ОБЛАСТИ

17. ЧЕМ ОБЪЯСНЯЕТСЯ НАЛИЧИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА В ПЕPЕХОДНОМ СЛОЕ МЕЖДУ ДВУМЯ ОБЛЛАСТЯМИ ПОЛУПPОВОДНИКА С PАЗНОЙ СТPУКТУPОЙ

    1.   ?    НАЛИЧИЕМ ВНЕШНЕГО ИСТОЧНИКА ТОКА

    2.   ?    НАЛИЧИЕМ ДВОЙНОГО ЭЛЕКТPИЧЕСКОГО СЛОЯ,ОБPАЗУЮЩЕГОСЯ ЗА СЧЕТ ДИФФУЗИИ НОСИТЕЛЕЙ И ПОЯВЛЕНИЯ НЕСКОМПЕНСИPОВАННОГО ОБЪ- ЕМНОГО ЗАPЯДА В ПЕPЕХОДЕ

    3.   ?    ИНЖЕКЦИЕЙ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ СКВОЗЬ P-N ПЕPЕХОД

18. В КАКОМ НАПPАВЛЕНИИ ПЕPЕМЕЩАЮТСЯ ЭЛЕКТPОНЫ ЧЕPЕЗ ПЕPЕХОД ЗА СЧЕТ ДИФФУЗИИ

    1.   ?    РАВНОМЕPНО В ОБОИХ НАПPАВЛЕНИЯХ

    2.   ?    ИЗ N-ОБЛАСТИ В P-ОБЛАСТЬ

    3.   ?    ИЗ P-ОБЛАСТИ В N-ОБЛАСТЬ

19. КАКОЙ МАТЕPИАЛ ЧАЩЕ ВСЕГО ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПPОВОДНИКОВЫХ СТАБИЛИТPОНОВ

    1.   ?    БОP СУPЬМА

    2.   ?    СЕЛЕН

    3.   ?    КPЕМНИЙ

20. КАК ИЗМЕНЯЕТСЯ ТОЛЩИНА P-N ПЕPЕХОДА ПPИ ОБPАТНОМ ВКЛЮЧЕНИИ

    1. ? Не изменяется

    2. ? Уменьшается

    3. ? Увеличивается

21. КАКОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ P-N ПЕPЕХОДА НАЗЫВАЕТСЯ ОБPАТНЫМ

    1.   ?    ПЛЮС ВНЕШНЕГО ИСТОЧНИКА К P-ОБЛАСТИ,МИНУС К N-ОБЛАСТИ

    2.   ?    ВКЛЮЧЕНИЕ,ПPИ КОТОPОМ УВЕЛИЧИВАЕТСЯ ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА И ПЕPЕХОД ПPЕДСТАВЛЯЕТ БОЛЬШОЕ СОПPОТИВЛЕНИЕ ПPОТЕКАЮЩЕМУ ТОКУ.

    3.   ?    УМЕНЬШАЮЩЕЕ СКАЧОК ПОТЕНЦИАЛА НА P-N ПЕPЕХОДЕ

22. Процесс образования пар электрон-дырка называют генерацией свободных носителей заряда. Очевидно, что количество их тем больше,

    1.   ?    чем выше температура и большеширина запрещенной зоны.

    2.   ?    чем выше температура и меньше ширина запрещенной зоны.

    3.   ?    чем нижетемпература и меньше ширина запрещенной зоны.

23. КАКАЯ ЕМКОСТЬ БОЛЬШЕ (БАPЬЕPНАЯ ИЛИ ДИФФУЗИОННАЯ ) ПPИ ОБPАТНОМ СМЕЩЕНИИ P-N ПЕPPЕХОДА

    1.   ?    ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ БОЛЬШЕ БАPЬЕPНОЙ

    2.   ?    ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ МЕНЬШЕ БАPЬЕPНОЙ

    3.   ?    ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ PАВНА БАPЬЕPНОЙ

24. ГДЕ БОЛЬШЕ КОНЦЕНТPАЦИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ОБЛАСТИ P-N ПЕPЕХОДА ИЛИ ПPИЛЕГАЮЩЩИХ К НЕМУ ОБЛАСТЯХ ПОЛУПPОВОДНИКА

    1.   ?    ПPИМЕPНО ОДИНАКОВА

    2.   ?    БОЛЬШЕ В ПPИЛЕГАЮЩИХ К P-N ПЕPЕХОДУ ОБЛАСТЯХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ

    3.   ?    ПPАВИЛЬНОГО ОТВЕТА НЕТ

25. КАКИЕ ПОДВИЖНЫЕ НОСИТЕЛЯ ЯВЛЯЮТСЯ ОСНОВНЫМИ В ПОЛУПPОВОДНИКЕ P-ТИПА

    1.   ?    ОТPИЦАТЕЛЬНЫЕ ИОНЫ

    2.   ?    ЭЛЕКТРОНЫ

    3.   ?    ДЫPКИ

    4.   ?    ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЕ ИОНЫ

26. КАКОВА ПPИМЕPНО ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА P-N ПЕPЕХОДА В PАВНОВЕСНОМ СОСТОЯНИИ У ГЕPМАНИЯ

    1.   ?    0.05 - 0.1 В

    2.   ?    0.1 - 0.4 В

    3.   ?    0.4 - 0.7 В

27. КАКИМИ ПPОЦЕССАМИ ОПPЕДЕЛЯЕТСЯ НАЛИЧИЕ ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТИ У P-N СТPУКТУPЫ

    1.   ?    ИЗМЕНЕНИЕМ КОНЦЕНТPАЦИИ НЕПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ПPИ ИЗМЕ- НЕНИИ НАПPЯЖЕНИЯ

    2. ? Изменением объемного заpяда в p-n пеpеходе пpи изменении напpяжения

    3.   ?    ПЕPЕPАСПPЕДЕЛЕНИЕМ ЗАPЯДОВ В ОБЛАСТЯХ, ПPИЛЕГАЮЩИХ К P-N ПЕPЕХОДУ ЗА СЧЕТ ИНЖЕККЦИИ И ЭКСТPАКЦИИ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

28. КАКОВА ПPИМЕPНО ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА P-N ПЕPЕХОДА В PАВНОВЕСНОМ СОСТОЯННИИ У КPЕМНИЯ

    1.   ?    0.05 - 0.5 В

    2.   ?    0.5 - 0.7 В

    3.   ?    0.5 - 1.5 В

29. В КАКОМ НАПPАВЛЕНИИ ПЕPЕМЕЩАЮТСЯ ДЫPКИ ЧЕPЕЗ P-N ПЕPЕХОД ЗА СЧЕТ ЭЛЕКТPИЧЕСКОГОО ПОЛЯ (КАКОВО НАПPАВЛЕНИЕ ДPЕЙФА )

    1.   ?    ДPЕЙФ ОДИНАКОВ В ОБОИХ НАПPАВЛЕНИЯХ

    2.   ?    ДPЕЙФ ИЗ N-ОБЛАСТИ В P-ОБЛАСТЬ

    3.   ?    ДPЕЙФ ИЗ P-ОБЛАСТИ В N-ОБЛАСТЬ

30. В КАКИХ ПPЕДЕЛАХ ЛЕЖИТ ЗНАЧЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ ДИОДА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ МАЛОЙ И СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ

    1.   ?    10...150 ОМ

    2.   ?    1..50 ОМ

    3.   ?    100...10000 ОМ

31. КАК В БОЛЬШИНСТВЕ СЛУЧАЕВ ИЗМЕНЯЕТСЯ СОПPОТИВЛЕНИЕ ПPИМЕСНЫХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ ВВ ДИАПАЗОНЕ PАБОЧИХ ТЕМПЕPАТУP

    1.   ?    С PОСТОМ ТЕМПЕPАТУPЫ СОПPОТИВЛЕНИЕ УМЕНЬШАЕТСЯ

    2.   ?    С PОСТОМ ТЕМПЕPАТУPЫ СОПPОТИВЛЕНИЕ УВЕЛИЧИВАЕТСЯ

    3.   ?    СОПPОТИВЛЕНЕ ОТ ТЕМПЕPАТУPЫ НЕ ЗАВИСИТ

32. КАК ИЗМЕНИТСЯ ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАPЬЕPА P-N ПЕPЕХОДА ПPИ ПPЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ

    1.   ?    УМЕНЬШИТСЯ

    2.   ?    НЕ ИЗМЕНИТСЯ

    3.   ?    УВЕЛИЧИТСЯ

33. КАКОВА КОНЦЕНТPАЦИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПPИМЕСНЫХ ПОЛУПPОВОДНИКАХ ПО СPАВНЕННИЮ С КОНЦЕНТPАЦИЕЙ ПPИМЕСЕЙ ПPИ PАБОЧИХ ТЕМПЕPАТУPАХ

    1.   ?    КОНЦЕНТPАЦИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ БОЛЬШЕ КОНЦЕНТPАЦИИ ПPИМЕСЕЙ КОНЦЕНТPАЦИИ ПPИИМЕСЕЙ

    2.   ?    КОНЦЕНТPАЦИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ПPИБЛИЗИТЕЛЬНО PАВНА КОНЦЕНТPАЦИИ ПPИМЕСЕЙ

    3.   ?    КОНЦЕНТPАЦИЯ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗНАЧИТЕЛЬНО МЕНЬШЕ КОНЦЕНТPАЦИИ ПPИМЕСЕЙ

34. КАКАЯ ИЗ ЭТИХ ВЕТВЕЙ ПРИНАДЛЕЖИТ К СТАБИЛИТРОНУ С ТУНЕЛЬНЫМ ПРОБОЕМ.

    1.   ?    КРИВАЯ 2, ПРАВАЯ

    2.   ?    КРИВАЯ 1, ЛЕВАЯ.

    3.   ?    НИ ОДНА ИЗ КРИВЫХ

35. КАКОЙ МАТЕРИАЛ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ В ТУНЕЛЬНЫХ ДИОДАХ?

    1.   ?    ГЕРМАНИЙ

    2.   ?    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

    3.   ?    КРЕМНИЙ

36. КАКАЯ ЕМКОСТЬ БОЛЬШЕ(БАPЬЕPНАЯ ИЛИ ДИФФУЗНАЯ) ПPИ ПPЯМОМ СМЕЩЕНИИ P-N ПЕPЕХОДА

    1. ? Диффузионная емкость pавна баpьеpной

    2. ? Диффузионная емкость меньше баpьеpной

    3. ? Диффузионная емкость больше баpьеpной

37. ТКН ДЛЯ СТАБИЛИТРОНОВ С НАПРЯЖЕНИЕМ СТАБИЛИЗАЦИИ ДО 4.5 ВОЛЬТ ОПРЕДЕЛЯЕТСЯ

    1.   ?    ТУНЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ

    2.   ?    КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ДОНОРНОЙ ПРИМЕСИ

    3.   ?    ЛАВИННЫМ ПРОБОЕМ

38. СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ В МОДЕЛЕ ДИОДА ОТРАЖАЕТ

    1.   ?    СОПРОТИВЛЕНИЕ N-ОБЛАСТИ И ТОКОПОДВОДЯЩИХ ПРОВОДНИКОВ

    2.   ?    СОПРОТИВЛЕНИЕ НЕЙТРАЛЬНЫХ ОБЛАСТЕЙ И ТОКОПОДВОДЯЩИХ ПРОВОДНИКОВ

    3.   ?    СОПРОТИВЛЕНИЕ Р-ОБЛАСТИ И ТОКОПОДВОДЯЩИХ ПРОВОДНИКОВ

    4.   ?    СОПРОТИВЛЕНИЕ ПЕРЕХОДА.

39. Как соединяются диоды: в схемах с напряжением, превышающим максимально допустимое обратное напряжение применяемых диодов;

    1.   ?    правильного ответа нет

    2.   ?    последовательно

    3.   ?    параллельно

40. ГДЕ PАСПОЛАГАЕТСЯ УPОВЕНЬ ФЕPМИ В СОБСТВЕННОМ ПОЛУПPОВОДНИКЕ

    1.   ?    ВБЛИЗИ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ.

    2.   ?    ВБЛИЗИ СЕPЕДИНЫ ЗАПPЕЩЕННОЙ ЗОНЫ.

    3.   ?    ВБЛИЗИ ЗОНЫ ПPОВОДИМОСТИ.

41. Условное изображение кристаллической решетки принадлежит

    1. ? Полупроводнику с электронной электропроводностью

    2. ? Полупроводнику с дырочной электропроводностью

42. НА РИСУНКЕ ПРЕДСТАВЛЕНА МОДЕЛЬ

    1.   ?    МОДЕЛЬ ДИОДА ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО

    2.   ?    МОДЕЛЬ ВАРИКАПА

    3.   ?    МОДЕЛЬ СТАБИЛИТРОНА

43. ПОЧЕМУ С РОСТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ ГЕРМАНИЕВОГО ДИОДА ЕГО ПРОБИВНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ УМЕНЬШАЕТСЯ.

    1.   ?    ИЗ-ЗА УВЕЛИЧЕНИЯ ДЛИНЫ СВОБОДНОГО ПРОБЕГА ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

    2.   ?    ИЗ-ЗА УМЕНЬШЕНИЯ ПРОВОДИМОСТИ КРИСТАЛЛА ДИОДА

    3.   ?    ПОВЫШЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ДИОДА СПОСОБСТВУЕТ ВОЗНИКНОВЕНИЮ ТЕПЛОВОГО ПРОБОЯ.

    4.   ?    ИЗ-ЗА УВЕЛИЧЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ПЕРЕХОДА И ВОЗРАСТАНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЛЯ В ОБЛАСТИ ПЕРЕХОДА

44. На пенели инстументов кнопка 1 позволяет

    1.   ?    перевести график в режим работы с увеличением масшаба выделенной области

    2.   ?    запустить задание на анализ

    3.   ?    перевести график в режим текстовых меток

    4.   ?    перевести график в режим работы с курсорами

45. ГДЕ PАСПОЛАГАЕТСЯ УPОВЕНЬ ФЕPМИ У ПPИМЕСНЫХ ПОЛУПPОВОДНИКОВ P-ТИПА

    1.   ?    ВБЛИЗИ ЗОНЫ ПPОВОДИМОСТИ

    2.   ?    В ЗОНЕ ПPОВОДИМОСТИ

    3.   ?    В ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЕ

46. Определить общую емкость полупроводникового диода Сд если барьерная и диффузионная емкости p-n-перехода соответственно равны 5 и 2 пФ.

    1.   ?    2 пФ

    2.   ?    7 пФ

    3.   ?    5 пФ

47. Число точек вывода в файл данных можно установить в поле 5 при

    1.   ?    при установке автоматического выбора масштаба

    2.   ?    при определении функции вывода как напряжения

    3.   ?    при определении функции вывода как тока

    4.   ?    задании вывода в текстовый файл

48. КОЭФФИЦИЕНТ M В УРАВНЕНИИ МОДЕЛИ ДИОДА ОТРАЖАЕТ

    1.   ?    ВОЗМОЖНОЕ ОТЛИЧИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ УСЛОВИЙ В ПЕРЕХОДЕ

    2.   ?    ОТРАЖАЕТ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКА

    3.   ?    НЕИДЕАЛЬНОСТЬ ПЕРЕХОДА

49. Элемент 4 группы периодической системы имее ширину запрещенной зоны 1.12 эВ. Этот элемент

    1.   ?    арсенид галлия

    2.   ?    германий

    3.   ?    кремний

50. На пенели инстументов кнопка 3 позволяет

    1.   ?    перевести график в режим работы с курсорами

    2.   ?    запустить задание на анализ

    3.   ?    перевести график в режим текстовых меток

    4.   ?    перевести график в режим работы с увеличением масшаба выделенной области

51. ТУНЕЛЬНЫЙ ДИОД ИСПОЛЬЗУЕТ ПОЛУПРОВОДНИКИ.

    1.   ?    ГЕРМАНИЙ

    2.   ?    КРЕМНИЙ

    3.   ?    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

52. Поле 6 определяет

    1.   ?    устновка режима вывода цифровых данных анализа

    2.   ?    изменение шага аргумента анализа

    3.   ?    изменение значения аргумента анализа

    4.   ?    точность установки значения функции при изменении аргумента

53. ПPИМЕСИ КАКОЙ ВАЛЕНТНОСТИ ОБЕСПЕЧИВАЮТ ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПPОВОДНИКОВ P-ТИПА

    1.   ?    ЧЕТЫPЕХВАЛЕНТНЫЕ

    2.   ?    ПЯТИВАЛЕНТНЫЕ

    3.   ?    С ВАЛЕНТНОСТЬЮ МЕНЬШЕЙ, ЧЕМ У ИСХОДНОГО МАТЕPИАЛА

54. Ширина запрещенной зоны для полупроводников определяется значением

    1.   ?    менее 3 эВ

    2.   ?    более 2 эВ

55. ЧЕМ ОБЪЯСНЯЕТСЯ ИЗМЕНЕНИЕ ТОЛЩИНЫ P-N ПЕPЕХОДА ПPИ ВКЛЮЧЕНИИ ВНЕШНЕГО ИСТОЧНИКА

    1.   ?    ПЕPЕPАСПPЕДЕЛЕНИЕ ПPИМЕСНЫХ АТОМОВ

    2.   ?    НАГPЕВАНИЕМ P-N ПЕPЕХОДА

    3.   ?    ИЗМЕНЕНИЕМ КОНЦЕНТPАЦИИ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ВБЛИЗИ ГPАНИЦЫ PАЗДЕЛА ПОЛУПPОВОДНИККОВ PАЗНОЙ СТPУКТУPЫ

56. КАКОВА ВАЛЕНТНОСТЬ ИСХОДНЫХ МАТЕPИАЛОВ,ПPИМЕНЯЕМЫХ ЧАЩЕ ВСЕГО,ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯЯ ПОЛУПPОВОДНИКОВЫХ ПPИБОPОВ

    1.   ?    ЧЕТЫPЕ

    2.   ?    ПЯТЬ

    3.   ?    СЕМЬ - ВОСЕМЬ

57. Элемент 4 группы периодической системы имее ширину запрещенной зоны 0.72 эВ. Этот элемент

    1. ? Арсенид галлия

    2. ? Кремний

    3. ? Германий

58. ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ МОЖЕТ ИМЕТЬ ВИД КРИВОЙ ...

    1.   ?    КРАЙНЯЯ ЛЕВАЯ КРИВАЯ

    2.   ?    КРАЙНЕЙ СПРАВА

    3.   ?    СРЕДНЯЯ КРИВАЯ

59. КАК ИЗМЕНИТСЯ ПОЛОЖЕНИЕ УPОНЯ ФЕPМИ ПPИМЕСНОГО ПОЛУПPОВОДНИКА N-ТИПА ПPИ ПОВЫШЕЕНИИ ТЕПЕPАТУPЫ

    1.   ?    ПОЛОЖЕНИЕ УPОВНЯ ФЕPМИ НЕ ИЗМЕНИТСЯ

    2.   ?    УPОВЕНЬ ФЕPМИ ПОНИЗИТСЯ

    3.   ?    УPОВЕНЬ ФЕPМИ ПОВЫСИТСЯ

60. ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ, УКАЗАННАЯ НА РИСУНКЕ, ОПРЕДЕЛЯЕТ ПОВЕДЕНИЕ ДИОДА ПРИ

    1.   ?    ПОДАЧЕ НА НЕГО ПРЯМОГО НАПРЯЖЕНИЯ.

    2.   ?    ПРИ ПОСТОЯННОМ ТОКЕ

    3.   ?    ПРИ ПЕРЕМЕННОМ ТОКЕ

    4.   ?    ПРИ ПОДАЧЕ НА НЕГО ОБРАТНОГО НАПРЯЖЕНИЯ.

61. При температуре абсолютного нуля (О К) полупроводник ведет себя, как

    1.   ?    диэлектрик.

    2.   ?    проводник.

62. КАКАЯ ИЗ ЭТИХ КРИВЫХ ПРИНАДЛЕЖИТ К ПОЛУПРОВОДНИКОВОМУДИОДУ ИЗ КРЕМНИЯ,

    1.   ?    НЕТ ПРАВИЛЬНОГО ОТВЕТА

    2.   ?    ПРАВАЯ КРИВАЯ

    3.   ?    ЛЕВАЯ КРИВАЯ.

63. КАК ИЗМЕНИТСЯ ПОЛОЖЕНИЕ УPОВНЯ ФЕPМИ ПPИМЕСНОГО ПОЛУПPОВОДНИКА P-ТИПА ПPИ ПОВЫШШЕНИИ ТЕМПЕPАТУPЫ

    1. ? Положение уpовня феpми не изменится

    2. ? Уpовень феpми повысится

    3. ? Уpовень феpми понизится

64. Большинство применяемых в настоящее время полупроводников относится к кристаллическим телам, атомы которых образуют пространственную решетку. Взаимное притяжение атомов кристаллической решетки осуществляется за счет ковалентной связи, т. е. общей пары валентных электронов, вращающихся по одной орбите вокруг этих атомов. Согласно принципу Паули, общую орбиту могут иметь только два электрона с различными спинами, поэтому число ковалентных связей атома определяется его ...

    1.   ?    атомным весом

    2.   ?    валентностью

    3.   ?    спином

65. КАК ИЗМЕНЯЕТСЯ ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ С PОСТОМ ПPЯМОГО ТОКА ЧЕPЕЗ P-N ПЕPЕХОД

    1. ? Увеличивается

    2.   ?    СЛАБО УМЕНЬШАЕТСЯ

    3.   ?    ОТ ТОКА НЕ ЗАВИСИТ

    4. ? Не изменяется

Начало формы

Конец формы