- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
- •Исследование влияния параметров элементов схемы на работу базового логического элемента 2и-не ттлш серии 1531
- •Москва, 2013
- •1.Анализ схемы заданного блэ
- •1.1Логические операции и таблица истинности
- •1.2 Структурная схема
- •1.3. Принципиальная схема
- •1.4 Постановка задачи исследования базового логического элемента
- •2. Анализ работы базового логического элемента в статическом и динамическом режимах
- •3.2. Влияние изменения r1,r2.R3,r4,r12,c1 на величины ,
- •3.3. Влияние изменения r1,r2,r3,r4,r12,c1 на величины
- •3.4.Анализ результатов и выбор оптимальных величин для r1,r2,r3,r4,r12,c1.
3.4.Анализ результатов и выбор оптимальных величин для r1,r2,r3,r4,r12,c1.
Для нахождения оптимальных значений указанных компонентов необходимо знать критерии оптимальности. В данном случае будем минимизировать потребляемую схемой мощность и увеличивать быстродействие (уменьшать ) при сохранении допустимых выходных уровней. Для этого покажем зависимости параметров и от значений сопротивлений R1,R2,R3,R4,R12 и емкости C1.
На рисунке 46 представлена зависимость этих параметров от величины R1.
Рисунок 46 - Изменение значений и от величины R1.
Из рисунка видно общую тенденцию, которая заключается в том, что при уменьшении средней потребляемой мощности быстродействие ухудшается, то есть среднее время задержки прохождения сигнала увеличивается. Также видно, что средняя мощность с ростом R1 падает сначала резко, а затем ее падение уменьшается. Среднее же время задержки возрастает почти линейно. Примем как оптимальное значения R1 = 3000 Ом.
На рисунке 47 представлена зависимость и от величины R2.
Рисунок 47 - Изменение значений и от величины R2.
Видно, что имеет небольшой выброс при R2 = 5000 Ом. Существенно также, что возрастает незначительно. Выберем как оптимальное значение сопротивления R2 = 4000 Ом.
На рисунке 48 представлена зависимость и от величины R3.
Рисунок 48 - Изменение значений и от величины R3.
Рисунок 48 показывает, что при изменении R3 в обозначенных пределах довольно сильно меняется (от 20 до 42 мВт). Выбираем как оптимальное значение R3 =1500 Ом.
На рисунке 49 представлена зависимость и от величины R4.
Рисунок 49 - Изменение значений и от величины R4.
Видно, что изменения как , так и незначительные. Будем считать , что оптимальное значение R4 = 2000 Ом.
На рисунке 50 представлена зависимость и от величины R12.
Рисунок 50 - Изменение значений и от величины R12.
Графики показывают, что при незначительном изменении (от 27 до 23 мВт) среднее время задержки изменяется почти линейно в зависимости от мощности, в области значений R12 (от 400 до 2400 Ом). Выбираем оптимальное значение R12 = 1600 Ом.
На рисунке 51 представлена зависимость и от величины C1.
Рисунок 51 - Изменение значений и от величины C1.
Рисунок 51 показывает, что при увеличении емкости нагрузки C1 возрастают обе величины ( и ), причем возрастает почти в 2 раза. Принимаем как оптимальное значение C1 = 15 пФ.
Заключение
В работе проанализировано функционирование конкретного базового элемента И-НЕ серии 1531 с помощью программы схемотехнического моделирования Micro Cap 9. Предложены оптимальные значения величин входящих в этот элемент резисторов с точки зрения минимальной средней потребляемой мощности и максимального быстродействия. Полученные результаты могут быть полезны при проектировании интегральных микросхем, а также при анализе принципиальных схем радиоэлектронных устройств.
Список использованных источников
1. Амелина М.А.,Амелин С.А. Программа схемотехнического моделирования Micro-Cap 8. – М.: Горячая линия –Телеком, 2007.
2. Бабич Н.П., Жуков И.А. Основы цифровой техники / Учебное пособие. - М.: Издательский дом «Додека – XXI», К.: «МК-Пресс», 2007.
3. Новожилов О.П. Основы цифровой техники / Учебное пособие. – М.: И П РадиоСофт, 2004.
4.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов. Под ред. О.П. Глудкина - М.: Горячая Линия – Телеком, 2003.
5. Цифровые интегральные микросхемы: Справочник / П.П.Мальцев , Н.С.Долидзе, М.И.Критенко и др.- М.: Радио и связь,1994.
6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ: Практическое пособие для вузов, 2-е издание, перераб. и доп. – М.: Высшая школа ,1990.
7.Жеребцов И.П. Основы электроники.- 5-е издание, перераб. и доп.- Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1989.
8.Бакалов В.П. и др. Основы теории электрических цепей и электроники: Учебник для вузов/ В.П. Бакалов, А.Н. Игнатов, Б.И. Крук – М.: Радио и связь,1989.
9.Айсберг Е. Транзистор… Это очень просто! Пер. с франц. Изд. 4-е, перераб. - М., «Энергия», 1977.