Razd_material_1_lektsii_TPES

Получение заготовок и фиксирующих (базовых) отверстий

Сверление и очистка монтажных и переходных отверстий

Химическое и предварительное гальваническое осаждение тонкого слоя меди (альтернатива – прямая металлизация)

Гальваническое (электрохимическое) усиление меди по всей поверхности заготовки, толщина металлизации 35 мкм.

Подготовка поверхности; нанесение пленочного фоторезиста, толщина фоторезиста 50 мкм, и создание защитного рельефа

Травление меди и получение рисунка схемы

Удаление защитного рельефа (фоторезиста)

Нанесение паяльной маски

Облуживание монтажных поверхностей; маркировка; обработка контура; выходной контроль; упаковка

Рис. 18. Схема технологического процесса изготовления ДПП тентинг-методом.

Входной контроль нефольгированного диэлектрика

Получение заготовок и фиксирующих (базовых) отверстий

Нанесение адгезива методом погружения и его подготовка

Сверление и очистка монтажных и переходных отверстий

Сенсибилизация и активирование всей поверхности

Химическое и предварительное гальваническое осаждение тонкого слоя меди толщиной  1мкм.

Гальваническое (электрохимическое) усиление меди по всей поверхности заготовки, толщина металлизации 3 мкм.

Подготока поверхности; нанесение фоторезиста, толщина фоторезиста 30 мкм, и создание защитного рельефа

Гальваническое (электрохимическое) усиление меди, толщина металлизации 25 мкм.

Удаление защитного рельефа (фоторезиста)

Травление с вытравливанием 3 мкм меди и получение рисунка схемы

Нанесение паяльной маски

Облуживание монтажных поверхностей; маркировка; обработка контура; выходной контроль; упаковка

Рис. 19. Схема технологического процесса изготовления ДПП полуаддитивным методом с дифференциальным травлением.