549_Sovremennye_problemy_telekommunikatsij_
.pdf№ |
Пров. |
|
|
|
Напряжение на выводах |
|
|
|
||||
вывод |
13 |
14 |
15 |
16 |
17 |
18 |
20 |
21 |
22 |
23 |
24 |
|
1 |
20 |
* |
* |
* |
* |
* |
0 |
* |
0 |
* |
0 |
* |
2 |
20 |
* |
* |
* |
* |
* |
0 |
* |
0 |
* |
0 |
* |
3 |
3 |
* |
* |
* |
* |
* |
0 |
* |
0 |
* |
0 |
* |
4 |
3 |
* |
* |
* |
* |
* |
0 |
* |
0 |
* |
0 |
* |
Одним из важных мероприятий, обеспечивающих качество, надѐжность, выявление скрытых дефектов изготавливаемых приборов является эффективное проведение электротоковой тренировки (ЭТТ) приборов перед измерениями. Требованием такого рода испытаний является обеспечение максимально возможных внутренних переключений при максимально- допустимом напряжении питания и температуре окружающей среды. Схема подключения при проведении ЭТТ приведена на рис. 3 а. На схему с источника питания «U1» подается напряжение 36 В, генератор «G1» формирует входной сигнал прямоугольной формы частотой 10кГц и амплитудой 10 В. Выходные сигналы, контролируемые приборами «PV1» и «PV2», должны соответствовать рис. 3 б и иметь амплитуду выходных сигналов не менее
25 В.
Для задания электрического режима разработан пятиканальный эквивалент нагрузки. Схема эквивалента позволяет проводить одновременное тестирование до пяти ИМС ППН, поэтому предусмотрены защитные предохранители с внешней индикацией для каждого из подключаемых приборов.
а) б)
Рис. 3. Схема подключения (а) и временные диаграммы входных и выходных сигналов (б) при испытаниях ЭТТ
Алгоритм проведения граничных испытаний ИМС ППН приведѐн на рис. 4. В соответствие с алгоритмом определены базовые конструктивно-технологические запасы, приведѐнные в табл. 3, которые рекомендованы для введения в конструкторскую документацию.
421
Начало |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оценкатепловых |
|
|
|
|
||
характеристик |
|
|
|
|
||
|
|
Воздействие |
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
повышенной |
||
|
|
|||||
|
|
|
|
температурысреды |
||
|
|
|
|
|||
Воздействие |
||||||
|
|
|
|
|||
тепловогоудара |
|
|
|
|
||
|
|
Воздействие |
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
ступенчатой |
||
|
|
|
|
электрической |
||
Воздействие |
||||||
|
|
нагрузкипри |
||||
изменений |
|
|
||||
|
|
повышенной |
||||
температурысреды |
|
|
||||
|
|
рабочей |
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
температуресреды |
||
|
|
|
|
|||
Воздействие |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|||
одиночныхударов |
|
|
|
|
||
|
|
Определение |
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
предельных |
||
|
|
|
|
значений |
||
Определение |
||||||
|
|
электрических |
||||
резонансных |
|
|
||||
|
|
режимов |
||||
частот |
|
|
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Конец
Рис. 4. Последовательность проведения граничных испытаний ИМС ППН
5. Результаты
По результатам испытаний опытных образцов определены реальные запасы по электрическим параметрам, которые приведены в табл. 3. Из табл. 3 следует, что реальные запасы по электрическим параметрам разработанных микросхем превышают производственные запасы, определяемые как двойная погрешность измерений.
Таблица 3. Технологические запасы по электрическим параметрам
Наименование пара- |
|
|
|
|
Измеренное |
Конструктивно- |
||
Буквенноеобоз |
|
Нормапараметра |
значение пара- |
технологические запа- |
||||
метра, единица изме- |
Температурако |
|||||||
метра по про- |
сы реального значения |
|||||||
рения, режим измере- |
начениепараме |
рпуса, о С |
|
|
||||
|
|
токолу №1 (К1) |
от норм ТУ, % |
|||||
ния |
тра |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
неменее |
неболее |
неменее |
неболее |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Выходное напряжение |
|
25 ± 10 |
|
|
14,67 |
15,37 |
55,00 |
|
источника 1, В, при |
U01 |
|
14,4 |
15,6 |
|
|
|
|
85 ± 3 |
14,62 |
15,31 |
51,67 |
|||||
Iоut1 = 0 и при UСС = |
||||||||
|
|
|
||||||
36,0 В |
|
– 60 ± 3 |
|
|
14,69 |
15,39 |
51,67 |
|
Выходное напряжение |
|
25 ± 10 |
|
|
-15,36 |
-14,65 |
58,33 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
источника 2, В, при, |
U02 |
|
–15,6 |
–14,4 |
|
|
|
|
85 ± 3 |
-15,32 |
-14,60 |
53,33 |
|||||
Iоut2=0 и при UСС= 36,0 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
-15,40 |
-14,68 |
60,00 |
||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток нагрузки источ- |
Iоut1 |
25 ± 10 |
120 |
130 |
121,23 |
127,83 |
75,40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
422
ника 1, мА, при UСС = |
|
85 ± 3 |
|
|
120,60 |
127,29 |
45,80 |
|
18,0 В, RL = 120 Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
121,85 |
128,76 |
63,00 |
||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток нагрузки источ- |
|
25 ± 10 |
|
|
121,09 |
128,06 |
61,20 |
|
Iоut2 |
|
|
|
|
|
|
||
ника 2, мА, при UСС = |
85 ± 3 |
120 |
130 |
120,59 |
127,47 |
49,40 |
||
18,0 В, RL = 120 Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
122,37 |
128,68 |
52,60 |
||
|
|
|
|
|||||
Ток потребления, мА, |
ICC |
25 ± 10 |
|
|
9,58 |
12,72 |
29,33 |
|
при UСС = 36,0 В, |
85 ± 3 |
– |
18 |
10,40 |
13,53 |
24,83 |
||
UDЕ = 0 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
8,47 |
11,76 |
34,67 |
||
|
|
|
|
|||||
Ток потребления в |
|
25 ± 10 |
|
|
2,51 |
2,89 |
35,78 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
ждущем режиме, мА, |
IСС1 |
85 ± 3 |
– |
4,5 |
3,01 |
3,38 |
24,89 |
|
при UСС = 36,0 В, UDЕ |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||
= = 5,5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
2,23 |
2,59 |
42,44 |
||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Динамический ток |
|
|
|
|
|
|
|
|
потребления в рабо- |
|
|
|
|
|
|
|
|
чем режиме без |
IСС2 |
25 ±10 |
– |
36 |
23,67 |
28,52 |
20,78 |
|
нагрузки, мА, при UСС |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
= 36,0 В, UDЕ = 0В, f = |
|
|
|
|
|
|
|
|
100 кГц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток утечки выхода |
|
25 ± 10 |
|
|
12,27 |
15,82 |
80,23 |
|
ШИМ источника 1, |
IOZ1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
мкА, при UСС = 36 В, |
85 ± 3 |
– |
80 |
15,22 |
20,79 |
74,01 |
||
напряжении на выводе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
LX+ ULX+ = 0 В |
|
– 60 ± 3 |
|
|
10,22 |
14,82 |
81,48 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток утечки выхода |
|
25 ± 10 |
|
|
18,09 |
22,66 |
84,89 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
ШИМ источника 2, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
мкА, при UСС = 36 В, |
IOZ2 |
85 ± 3 |
– |
150 |
22,42 |
29,22 |
80,52 |
|
напряжении на выводе |
|
|
|
|
|
|
|
|
LX- ULX- = -16 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
напряжении на выводе |
|
– 60 ± 3 |
|
|
15,34 |
21,27 |
85,82 |
|
В UB = -16 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Входной ток высокого |
|
25 ± 10 |
|
|
0,05 |
0,17 |
82,60 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
уровня вывода управ- |
IIH |
85 ± 3 |
|
|
0,33 |
0,48 |
52,50 |
|
ления режимом, мкА, |
-1 |
1 |
||||||
|
|
|
|
|||||
при UСС1 = 10В, UDЕ |
|
– 60 ± 3 |
|
|
0,03 |
0,20 |
79,70 |
|
=5,5 B |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Входной ток низкого |
|
25 ± 10 |
|
|
0,04 |
0,17 |
83,10 |
|
уровня вывода управ- |
|
|
|
|||||
IIL |
|
-1 |
1 |
|
|
|
||
ления режимом, мкА, |
85 ± 3 |
0,34 |
0,47 |
52,70 |
||||
при UСС1 = 10В, UDЕ = |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
0,04 |
0,20 |
79,70 |
||
0 B |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||
Сопротивление сило- |
|
25 ± 10 |
|
|
3,94 |
5,18 |
26,00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
вого ключа источника |
RON1 |
|
– |
7 |
|
|
|
|
85 ± 3 |
4,82 |
6,04 |
13,71 |
|||||
1 в открытом состоя- |
||||||||
|
|
|
||||||
нии, Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
3,32 |
4,54 |
35,14 |
||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сопротивление сило- |
|
25 ± 10 |
|
|
3,91 |
5,16 |
26,29 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
вого ключа источника |
|
|
|
|
|
|
|
|
RON2 |
85 ± 3 |
– |
7 |
4,81 |
6,08 |
13,14 |
||
2 в открытом состоя- |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
нии, Ом |
|
– 60 ± 3 |
|
|
3,31 |
4,58 |
34,57 |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
|
346 |
358 |
19,08 |
|
Частота ШИМ, кГц, |
f |
|
– |
280 |
|
|
|
|
85 ± 3 |
324 |
342 |
13,58 |
|||||
при UСС = 18,0 В |
||||||||
|
|
|
||||||
|
|
– 60 ± 3 |
|
|
354 |
362 |
20,90 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
423
6. Заключение
Таким образом, разработанная АСТПП, включающая производственную методику диагностики скрытых дефектов на уровне топологического проектирования методами неразрушающего контроля, расширенную систему контролируемых параметров с целым рядом дополнительных измерений, нестандартные измерительные комплексы на базе типовых позволит отбраковать потенциально ненадѐжные приборы и сохранить работоспособность ИМС ППН, а разработанные тесты, интегрированные в САПР, позволят выявить возможные дефекты на ранних этапах проектирования и устранить их с минимальными затратами.
Разработанные ИМС ППН имеют достаточные конструктивно-технологические запасы и запасы по электрическим параметрам. Минимальная предельная норма напряжения питания и входных напряжений, на уровне «не менее -0,3 В», обеспечивается конструкцией ИМС, так как обратно смещѐнный кремниевый диод между общим и любым другим выводом имеет напряжение открывания на уровне 0,6 В.
Литература
1.Волкенштейн С. Лазерная фотоакустическая диагностика скрытых дефектов в изделиях электроники //Компоненты и технологии. – 2007. – №11. – С.154-158.
2.Вологдин Э.Н., Лысенко А.П.Радиационная стойкость биполярных транзисторов, МГИЭМ, М., 2000.
3.Достанко А.П., Ануфриев Д.Л., Горлов М.И. Конструкционные методы повышения надежности интегральных схем, Мн.: Интегралполиграф, 2007
Губкина Валерия Руслановна
Аспирант кафедры САПР СибГУТИ, e-mail:vg@sibsutis.ru
Глухов Александр Викторович
К.т.н., доцент кафедры САПР СибГУТИ, заместитель генерального директора по НР ОКБ ОАО «НЗПП с ОБК», email:gluhov@nzpp.ru
РогулинЛеонид Юрьевич
Аспирант кафедры САПР СибГУТИ,e-mail: rogulinleonid@gmail.com
Test method for the detection of latent defects IC voltage converter
V.R. Gubkina, A.V. Glukhov, L.Y. Rogulin
This article presents the technique of testing with the most optimal choice of the control parameters to identify hidden defects directly in the manufacturing process of integrated circuits on the basis of the instrument-technological modeling.
Tested integrated circuit of the voltage Converter, showed that in a sample of 30 pieces of chips and work for 3 000 hours at an ambient temperature of 850С there were no failures.
Developed a method of testing allows us to solve the problem of real production – a high percentage yield while reducing the topological size and complexity of the products and reduce time to production by pre-debugging and optimization of technological processes and designs.
Keywords: topology, voltage converter, IC,testing.
424
3. Состав комплекса
Комплекс разработан на базе плат и программы «Presenter» компании СофтЛабНск в тесном сотрудничестве с Институтом автоматики и электрометрии СО РАН.
Также комплекс включает в себя Chromakey (зеленый экран) – довольно большой по размеру со сглаженными переходами, к тому же необходимо чтобы фон был равномерно подсвечен и при этом не давать отражений на преподавателя и различные объекты находящиеся в кадре (например, стул, текст лекций и т.д.). Лекция снимается с помощью камеры которая имеет 3CMOS матрицу, для записи или передачи голоса лучше использовать отдельный микрофон, вся лекция собирается и записывается, либо транслируется в сеть с помощью мощного ПК.
4. Возможности практического применения комплекса
На примере материала необходимого для лекции будут описаны возможности представленного комплекса.
Перед запуском лекции происходит keying (вырезание преподавателя из зеленого фона) и совмещение его с виртуальной студией. После того, как данное действие совершено, можно начать запись или вещание лекции. Вступительное слово о преподаваемом материале может сказать преподаватель, после чего имеется возможность вывести виртуальную доску.
Рис. 1. Программа «Presenter» с вставленным изображением лектора
Доска может располагаться слева или справа от лектора, также во весь экран. В последнем режиме имеется возможность показа преподавателя поверх доски в маленьком окошке в одном из четырех углов. Представленные режимы отображения можно переключать с помощью горячих клавиш, что позволяет упростить процесс ведения лекции.
Для более полного представления материала имеется возможность включения в лекцию видео материалов, графических файлов (фотографий, графиков, схем и т.д.), файлов презентаций (как со встроенной анимацией и переключением файлов, так и с управлением непосредственно во время лекции), а также файлов 3D моделей со встроенной анимацией, помимо которой лектор может выполнять круговой обзор модели самостоятельно.
Если преподаватель желает что либо особо подчеркнуть или указать на какую либо особенность отображаемой на доске информации, то имеется возможность использовать инструмент маркер, ластик и кнопку снятия отметок. После снятия подчеркиваний лектор может вывести изображение на весь экран, что бы студенты еще раз просмотреть материал обращая особое внимание на указанные прежде детали.
Загрузив все файлы в проект, преподаватель имеет возможность до начала лекции составить ее сценарий. Таким образом лектор заранее продумывает как будет представлен
426
материал, расположить очередность файлов, а также настроить вывод определений во весь экран, чтобы студенты могли записать определение, либо отметить важные моменты на изображении.
Файл проекта сохраняется на жестком диске и в последующем, при добавлении новых данных не требуется составления сценария с нуля, можно внести лишь необходимые правки в лекцию и пересохранить проект.
Таким образом представленный комплекс наиболее полно отвечает, как потребностям преподавателей для представления материала, так и студентов, давая им наиболее полное представления о изучаемом предмете. Данный метод обучения прекрасно подходит как для дистанционной или заочной форм обучения, так и для очной формы обучения. Преподаватель может как заранее записать лекции на случай невозможности вести ее лично, так и проводить обучение в "прямом эфире" по ходу лекции взаимодействуя со студентами и меняя ход повествования.
5. Заключение
Кардинальные изменения в формах организации и качестве мирового образования ожидается с внедрением в учебный процесс технологий дополненной реальности в едином 3D образовательном пространстве. 3D информационные технологии становятся основой и главной особенностью такого образовательного 3D информационного пространства.
Дополненная реальность позволяет перенести цифровые информационные образы из абстрактного компьютерного виртуального мира непосредственно в окружающий нас физический мир, совместить его с реальным учебным предметным пространством и организовать их интерактивное взаимодействие по заранее заданной методике учебного процесса. Физическое трехмерное учебное пространство учебных помещений университета непосредственно дополняется и наполняется взаимосвязанным трехмерным структурированным и динамичным информационным пространством самых различных цифровых образов образовательной мультимедийной информации.
Современные информационные технологии, с одной стороны, являются технической аппаратной средой и техническими средством проектирования, создания, хранения и технической поддержки функционирования этой образовательного пространства и, с другой стороны, создаваемые ими техническая цифровая информационная среда, становится непосредственной частью образовательной среды этого современного образовательного пространства. Примером такой новой техногенной информационной среды является пространство дополненной реальности (AugmentedReality - AR) [1]. Если раньше образовательный процесс происходил только в локальном физическом предметном пространстве отдельного образовательного учреждения, то теперь этот образовательный процесс происходит в некотором новом образовательном виртуальном пространстве. И более того, на основе 3D технологии дополненной реальности, появляется возможность создания принципиально новой комплексной среды, не просто сложения этих двух физической и виртуальной реальности, а качественно новой среды синергетического объединения в одно целое этих слагаемых социальных, технических, информационных систем [1].
Таким образом, представленный в докладе интерактивный аппаратно-программный комплекс для создания мультимедийных лекций, с возможностью их вещания в сеть отвечает современным стандартам преподавания и необходим в учебном процессе современного ВУЗа.
427
Литература
1. Долговесов Б. С., Морозов Б. Б. Опыт создания систем визуализации реального времени и их применение в тренажерных и обучающих системах //Труды 23-й Международной конференции по компьютерной графике и Зрению «Графикон–2013» (Владивосток, Россия, 16-20 сентября 2013), ИАПУ ДВО РАН, 2013. С. 131-134.
2. Мазурок Б. С., Долговесов Б. С., Коростелев Е. И., Артиков Т. Н., Артиков А.Н.
Программно-аппаратный комплекс интерактивных мультимедийных презентаций // Труды 23-й Международной конференции по компьютерной графике и Зрению «Графикон–2013» (Владивосток, Россия, 16-20 сентября 2013), ИАПУ ДВО РАН, 2013.
С. 152-156.
3. Долговесов Б. С., Мазурок Б.С., Морозов Б.Б. и др. Мультимедийная система виртуальной реальности для подготовки образовательных материалов // Материалы Международной конференции «Вычислительные и информационные технологии в науке, технике и образовании – 2013».( Усть-Каменогорск, Казахстан, 18-22 сентября 2013 г.). «Вестник ВКГТУ», «Вычислительные технологии. ИВТ СО РАН». Совместный выпуск. Усть- Каменогорск, 2013. С9-14.
Конюкова Ольга Леонидовна
И.о.доцента кафедры систем автоматизированного проектирования (САПР) СибГУТИ, e- mail:olgaleko@yandex.ru
Скоробогатов Роман Юрьевич
Аспирант второго курса кафедры САПР, ассистент кафедры САПР СибГУТИ. e-mail:ro-m-a-n@yandex.ru
Parameterization of functional blocks of integrated circuits at the design stage
O. Konyukova, R. Skorobogatov
Keywords:keying, chromakey
428