- •«Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей»
- •Реферат
- •Введение
- •1 Исходные данные
- •2 Исследование схемы нагрузки
- •2.1 Качественный анализ частотных характеристик входной функции
- •2.2 Нахождение операторного выражения входного сопротивления нагрузки
- •2.3 Нахождение частоты и сопротивления резонанса
- •2.4 Полоса пропускания цепи
- •3 Исследование модели транзистора с обобщенной нагрузкой
- •4 Исследование модели транзистора с заданной нагрузкой
- •4.1 Предполагаемый характер частотных характеристик передаточной функции полной цепи
- •4.2 Расчет ачх и фчх передаточной функции на основе нормированных выражений
- •4.3 Расчет ачх и фчх входной функции на основе нормированных выражений
- •5 Представление входного сопротивления полной цепи последовательной и параллельной моделями на одной из частот
- •6 Автоматизированный расчет
- •Заключение
- •Список использованной литературы
Введение
Целью данной курсовой работы является закрепление навыков нахождения частотных характеристик цепи различными способами.
Основными целями курсовой работы является формирование навыков обоснованных предположений о характере частотных характеристик цепи непосредственно по ее схеме, исследование и получение входных и передаточных операторных функций, расчет частотных характеристик по выражениям амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
Формирование навыков обоснованных предположений о характере частотных характеристик цепи непосредственно по ее схеме, формирование навыков получения и анализа операторных функций цепи и овладение для схем с зависимыми источниками методом узловых потенциалов в матричной форме как одним из базовых методов автоматизированного машинного анализа электрических цепей в частотной области в стационарном режиме.
1 Исходные данные
Шифр: Сх.14ТБ5ОЭМ2
Исходные данные нагрузки показаны в таблице 1.1.
Исходные данные транзистора показаны в таблице 1.2.
Таблица 1.1 – Исходные данные нагрузки
ρ, Ом |
N |
ωн |
K или Kт |
300 |
0,02 |
0,2 |
K |
Индивидуальная схема показана на рисунке 1.1.
Рисунок 1.1 – Схема нагрузки
Таблица 1.2 – Исходные данные транзистора М2
Rб, Ом |
Rэ, Ом |
fβ, МГц |
S0, мА/В |
Cэ, пФ |
|
|
|
|
|
Схема биполярного транзистора показана на рисунке 1.2.
Рисунок 1.2 – Схема биполярного транзистора М2
Нормировка параметров нагрузки:
Частота резонанса:
Круговая частота:
рад/с.
Для выбранной схемы нагрузки нормированные значения индуктивности и емкости равны:
.
.
;
Ом.
Параметры нагрузки показаны в таблице 1.3.
Таблица 1.3 – Параметры нагрузки
Параметры |
Rш, Ом |
С, нФ |
L1, мкГн |
L2, мкГн |
Ненормированные |
3000 |
|
|
|
Нормированные |
10 |
1 |
0,5 |
0,5 |
Нормировка параметров транзистора:
Нормированная крутизна транзистора:
.
Нормированные сопротивления транзистора при этом находятся как:
.
.
Нормированные значения емкостей транзистора рассчитываются как:
.
Полученные нормированные значения элементов транзистора внесены в таблицу 1.4.
Таблица 1.4 – Параметры транзистора
Параметры |
S0, мА/В |
Rб, Ом |
Rэ, Ом |
Cэ, пФ |
Ненормированные |
|
|
|
|
Нормированные |
|
|
|
|
2 Исследование схемы нагрузки