Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовая ТЭЦ — копия.docx
Скачиваний:
54
Добавлен:
20.04.2022
Размер:
506.3 Кб
Скачать

Введение

Целью данной курсовой работы является закрепление навыков нахождения частотных характеристик цепи различными способами.

Основными целями курсовой работы является формирование навыков обоснованных предположений о характере частотных характеристик цепи непосредственно по ее схеме, исследование и получение входных и передаточных операторных функций, расчет частотных характеристик по выражениям амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик с использованием автоматизированных методов анализа цепей.

Формирование навыков обоснованных предположений о характере частотных характеристик цепи непосредственно по ее схеме, формирование навыков получения и анализа операторных функций цепи и овладение для схем с зависимыми источниками методом узловых потенциалов в матричной форме как одним из базовых методов автоматизированного машинного анализа электрических цепей в частотной области в стационарном режиме.

1 Исходные данные

Шифр: Сх.14ТБ5ОЭМ2

Исходные данные нагрузки показаны в таблице 1.1.

Исходные данные транзистора показаны в таблице 1.2.

Таблица 1.1 – Исходные данные нагрузки

ρ, Ом

N

ωн

K или Kт

300

0,02

0,2

K

Индивидуальная схема показана на рисунке 1.1.

Рисунок 1.1 – Схема нагрузки

Таблица 1.2 – Исходные данные транзистора М2

Rб, Ом

Rэ, Ом

fβ, МГц

S0, мА/В

Cэ, пФ

Схема биполярного транзистора показана на рисунке 1.2.

Рисунок 1.2 – Схема биполярного транзистора М2

Нормировка параметров нагрузки:

Частота резонанса:

Круговая частота:

рад/с.

Для выбранной схемы нагрузки нормированные значения индуктивности и емкости равны:

.

.

;

Ом.

Параметры нагрузки показаны в таблице 1.3.

Таблица 1.3 – Параметры нагрузки

Параметры

Rш, Ом

С, нФ

L1, мкГн

L2, мкГн

Ненормированные

3000

Нормированные

10

1

0,5

0,5

Нормировка параметров транзистора:

Нормированная крутизна транзистора:

.

Нормированные сопротивления транзистора при этом находятся как:

.

.

Нормированные значения емкостей транзистора рассчитываются как:

.

Полученные нормированные значения элементов транзистора внесены в таблицу 1.4.

Таблица 1.4 – Параметры транзистора

Параметры

S0, мА/В

Rб, Ом

Rэ, Ом

Cэ, пФ

Ненормированные

Нормированные

2 Исследование схемы нагрузки

Соседние файлы в предмете Теория электрических цепей