ФЭЛ_Полупроводниковая оптоэлектроника_ЭНЭ

210141.68 Полупроводниковая оптоэлектроника

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ)

Магистерская программа

П р о г р а м м а н а п р а в л е н а н а п о д г о т о в к у высококвалифицированных специалистов, ориентированных на разработку, создание и исследования полупроводниковых оптоэлектронных приборов, в том числе светодиодов и полупроводниковых лазеров от ультрафиолетового до среднего инфракрасного диапазона, работающих в импульсном и непрерывном режимах генерации, фотоприемников и солнечных элементов, фотонных кристаллов и пористых материалов,

технологий роста полупроводниковых наногетероструктур и новых материалов, необходимых для разных приложений опто-, микро- и

наноэлектроники, спинтроники и техники устройств высокой мощности, систем волоконно-оптической связи, солнечных электростанций и др.

П р а к т и ч е с к и е навыки студенты получают в научных лабораториях Ф Т И , о с н а щ е н н ы х с о в р е м е н н ы м т е х н о л о г и ч е с к и м ,

д и а г н о с т и ч е с к и м и э к с п е р и м е н т а л ь н ы м оборудованием.

Зарубежные стажировки: Технический университет г. Лапперанта

(Финляндия), Университетский колледж Лондона (Англия),

Университет г. Данди (Шотландия), Иннолюм (г.Дортмунд, Германия)

и др.

Выпускники программы востребованы на таких

предприятиях как: ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ЗАО “Светлана РОСТ”,

ОАО “Полупроводниковые приборы”, ЗАО “Научное и технологическое оборудование”, Институт аналитического приборостроения РАН и других.

оптоэлектроника аяПолупроводников 68.210141