Вольт-амперные характеристики мдп-транзисторов

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа I_c =f(U_си) показаны на рис. 6а.

Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n-типа I_c=f(U_зи) приведена на рис. 6б.

Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения U_си. Ток I_c = 0 при U_си=0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.

б)

Рис. 6. Семейство стоковых характеристик (а); стоко-затворная характеристика (б)

Основные параметры мдп-транзисторов

Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n-переходом.

Что касается входного сопротивления то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n-переходом. Входное сопротивление у них составляет r_вх =10¹²…10¹⁴ Ом.

Порядок выполнения работы

1. Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый полевой транзистор (5);

2. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения напряжения затвор-исток Е2; Установить напряжение на втором затворе E28 В;

3. Провести измерения при пяти значениях напряжения на затворе Е1 выбираемых самостоятельно ( с равным интервалом) из диапазона  0,6-2,0 В, для этого:

3.1. установить выбранное значение E1;

3.2. переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;

3.3. прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условию:

Р=I3·E3<20 мВт

где - мощность, рассеиваемая на транзисторе;

3.4. изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока стока I3 от напряжения сток-исток Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на затворе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►);

4. По полученным значениям построить семейство выходных характеристик полевого транзистора (по оси ординат (Y) – ток I3; по оси абсцисс – напряжение Е3 (X));

5. Уменьшить  в два раза напряжение на втором затворе E2;

6. Повторить исследования пункта 5 настоящего руководства;

7. По полученным данным построить стоко-затворные характеристики при различных напряжениях на втором затворе Е₂.

Требования к отчету

Отчет о лабораторной работе должен содержать:

• краткие теоретические сведения;

• описание экспериментальной установки;

• таблицы с результатами экспериментов;

• графики;

• выводы по работе.

Лабораторная работа № 4 исследование статических вольт-амперных характеристик тиристора

Цель работы:

1. Изучение статических вольт-амперных характеристик полупроводникового тиристора;

2. Приобретение навыков экспериментального измерения статических вольт-амперных характеристик маломощных полупроводниковых приборов.