Порядок выполнения работы
1. Исследование зависимости входного тока от входного напряжения биполярного транзистора при фиксированном выходном напряжении
Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый биполярный транзистор (4);
Установить Еоп=+12 В;
Измерить зависимость входного тока базы I1 от напряжения база-эмиттер Е1 измерить при двух значениях напряжения коллекторного питания Е3=0 В, Е3=1 В для этого:
3.1. Установить значение напряжения Е3=0В;
3.2. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения входного тока базы I1 и напряжения база-эмиттер Е1;
3.3. Изменяя значения тока I1 в интервале от 0,1 ÷0,5 мА с шагом 0,1 мА, записать значения напряжения Е1
3.4. По полученным значениям построить семейство входных статических характеристик (по оси ординат (Y)– ток I1 ; по оси абсцисс(X) – напряжение Е1).
Переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3
Установить значение напряжения Е3=1 В с точностью ±0,05 В;
Повторить пункты 3.2 -3.4 настоящего руководства.
Исследование зависимости тока коллектора транзистора от коллекторного напряжения
Провести измерения при трех значениях напряжения на базе Е1 выбираемых из самостоятельно из диапазона 0,6÷0.67 В, для этого:
1. Установить выбранное значение напряжения Е1
2. Переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;
3. Прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться появления на экране «точки максимума» (таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условиям:
Р=I3·E3<20 мВт
где
-
мощность, рассеиваемая на коллекторе.
4. Изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока коллектора I3 от напряжения коллектора Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на базе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►).
5. По полученным данным построить семейство выходных характеристик биполярного транзистора (по оси ординат (Y)– ток I3; по оси абсцисс (X) – напряжение Е3).
Требования к отчету
Отчет о лабораторной работе должен содержать:
краткие теоретические сведения;
описание экспериментальной установки;
таблицы с результатами экспериментов;
графики;
выводы по работе.
Лабораторная работа № 3 исследование статических вольт-амперных характеристик полевого транзистора
Цель работы:
1. Изучение статических вольт-амперных характеристик полупроводникового полевого транзистора;
2. Приобретение навыков экспериментального измерения статических вольт-амперных характеристик маломощных полупроводниковых приборов.
Краткие теоретические сведения
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и предназначенный для усиления мощности электрических колебаний.
Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствие этого транзисторы называют полевыми.
По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n-перехода и с изолированным затвором (МДП- или МОП- транзисторы). Транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.
В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: полевые транзисторы с каналом р-типа и n-типа. Канал р-типа обладает дырочной проводимостью, а n-типа – электронной.