- •Оглавление
- •Тема 1 1
- •Тема 2 4
- •Тема 1 Характеристика производства мэи.
- •Тема 2
- •Элементы конструкций мэи.
- •Тема 3
- •Тонкопленочные проводники и контактные площадки.
- •Тема 4
- •Эпитаксия.
- •Тема 5
- •Пленки на Si и других полупроводниках.
- •Тема 6
- •Литография.
- •Тема 7
- •Диффузия.
- •Тема 8
- •Тонкопленочная технология.
- •Тема 9
- •Влияние технологических факторов на свойства тонкопленочных элементов.
- •Тема 10
- •Методы ионного распыления.
- •Тема 11
- •Технология производства биполярных имс с диодной изоляцией элементов (обратно-смещенным p-n-переходом).
- •Тема 12
- •Технология изготовления мдп-микросхем.
- •Тема 13
- •Технологические процессы изготовления плат гибридных интегральный микросхем (гимс), гибридных больших интегральных схем (гбис) и микросборки (мс).
- •Тема 14
- •Толстопленочная технология.
Тема 14
Толстопленочная технология.
Последовательность этапов производства толстопленочных ИМС:
Повторное процесса при нанесении проводников R, C
Подготовка подложек
Трафаретная печать
Сушка и вжигание
Армирование и облуживание
К
К
К
К
Подгонка резисторов
Установка компонентов
Герметизация
Испытание
«К» - промежуточный контроль.
Особенности толстопленочных технологий.
Толщина толстых пленок от 0,5 микрон до 50 микрон.
Трудоемкость изготовления по этой технологии в три раза меньше, чем по тонкопленочной технологии.
Более высокий процент выхода годных.
Не требует тщательного соблюдения чистоты производственных помещений.
Менее дорогостоящая технология (более простое и дешевое оборудование; дешевые подложки; рациональное использование материалов).
Более мобильные технологии.
Недостатки толстопленочной технологии:
Значительный разброс сопротивлений и емкостей.
Отсутствие перспектив создания толстопленочных активных элементов.
Требования к подложкам:
Высокая прочность.
Необходимая плоскостность или плоскопараллельность.
Высокая теплопроводность.
Хорошая адгезия к наносимым материалам.
Высокая термическая (до 1000 °C) и химическая стойкость.
Минимальное газовыделение.
Согласование ТКЛР подложек и материалов и слоев.
Определенное значение .
Пасты.
Оксиды для создания диэлектрических слоев.
Паста состоит из двух фаз: твердая фаза и жидкая фаза.
Твердая фаза (75%):
Металл (для проводящих паст).
Оксиды металлов (для диэлектрических и резистивных паст).
Фритта.
Жидкая фаза (25%)
Смолы (или смолообразующие добавки 3,5%).
Растворитель (
Компоненты, изменяющие текучесть пасты (
ПАВЫ (поверхностно-активные волны 3%).
Тиксотропия – зависимость текучести пасты от прилагаемого давления – основное свойство. Второе свойство – вязкость и текучесть.
Диэлектрические пасты.
Диэлектрик конденсатора.
Диэлектрический слой в многослойной коммутационной микроплате.
Проводниковая паста (проводящая паста).
Проводники.
Электроды конденсаторов.
Контактные площадки.
Металлизация по кромкам.
Сквозная металлизация отверстий.
Требования к проводниковым пастам.
Высокая удельная проводимость.
Адгезия и подложкам.
Способность к соединению (микроконтактирование).
Возможность нанесения тонких линий.
Совместимость паст.
Выдерживает условия эксплуатации.
С помощью разных паст можно получить разные требования.
Минимальная ширина линий от 50 до 250 мкм.
Сопротивление проводниковых паст находится в диапазоне от 0,003 до 0,09 .
Температура сжиганий 650 – 1000 °C.
Из чего делают пасту: Au; Au – Pt; Au – Pd; Ag – Pd.
Резистивные пасты.
Резисторы.
Термисторы.
Из чего делают пасту: Pd + PdO (требования определяет резистивность пасты); Ag – Pd.
2Pd + O2 = 2PdO
При получении на основе этих паст низкоомных и высокоомных резисторов, ТКС у них будет разное.
Паста на основе Ar-Pd (серебро-паладиевая паста).
2Pd+02=2PdO (300-400)°С.
Pd+Ag=PdAg
Ag
ТКС
PdAg
PdO
ТКС
стекло
Диэлетрические пасты.
Требования к этим пастам:
Идентичность ТКЛР ().
Хорошая адгезия.
Инертность материалов по отношению друг к другу.
Минимальный тангенс угла диэлектрических потерь .
Оптимальное значение (пробои).
Изготовление масок.
Трафареты:
Фольговые трафареты (25 – 125 мкм).
Сетчатые трафареты (диаметр сетки: 0,1 – 0,002 мм).
Технологические параметры процесса:
h – толщина между трафаретом и подложкой (составляет 0,25 – 1,5 мм).
Pр – давление ракеля (10 – 15 кг на 1 мм длины лезвия).
Vр – скорость ракеля (15 ).
Натяжение сетки.
Вжигание паст.
Вжигание паст.
Для вжигания используют трех-пятизонные конвейерные печи.
Технологические факторы процесса термообработки:
Температура.
Скорость движения подложки через печь.
Этапы сушки:
Выравнивание поверхности.
Испарение жидкой органики.
Среда (воздух, азот).
Создание:
Осткловлевание.
Спекание.
Вжигание в подложку.