Диод д2б

Диод выпрямительный германиевый точечный в стеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. П. 4.2). Маркируется желтой и белой цветными точками у положительного вывода.

Электрические параметры 4, с. 36:

постоянное прямое напряжение приI_пр = 5 мА – U_пр  1 В;

постоянное обратное напряжение – U_обр = 10 В;

постоянный обратный ток – I_обр  100 мкА;

средний выпрямленный ток на частотах до 0,1 МГц – I_ср = 16 мА;

средняя рассеиваемая мощность – Р = 16 мВт.

П. 4.4. Диод д101

Диод выпрямительный кремниевый точечный в металлостеклянном корпусе с гибкими ленточными выводами (рис. П. 4.3).

Электрические параметры4, с. 49:

постоянное прямое напряжение при I_пр = 2 мА – U_пр = 2 В;

постоянное обратное напряжение – U_обр = 75 В;

средний прямой ток – I_пр = 30 мА;

постоянный обратный ток –

I_обр  10 мкА.

Приложение 3.

П. 2.2. Базовый логический элемент ттл

Схема базового элемента на 2 входа (2И – НЕ) приведена на рис. П. 2.1.

Рис. П.2.1. Принципиальная схема базового элемента серии К 155

Входной каскад на многоэмиттерном транзисторе VTм реализует функцию И входных сигналов. Каждый из эмиттеров (обычно их число не более восьми) служит входом элемента. Взаимодействие между эмиттерами через участки пассивной базы практически отсутствует.

Выходной каскад на транзисторах VT1, VT2 и VT3 представляет собой сложный инвертор (НЕ). При поступлении на оба входа Х1 и Х2 высокого уровня (напряжение «1») Е¹  2,4 В, эмиттерные переходы VTм закроются и U_км возрастет, на вход VT1 будет подан высокий уровень напряжения, VT1 отпирается и насыщается. Отпирается и насыщается транзистор VT2 и на выходе схемы появляется низкий уровень напряжения U⁰_вых = Е⁰  0,4 В. При этом диод VD₀ обеспечивает запирание транзистора VT3 (падение напряжения на диоде U_D0 = 0,8 В).

Когда на один или несколько эмиттеров VTм подан низкий уровень (напряжение «0») Е⁰  0,4 В, эмиттерный переход открывается и U_км = U⁰_км станет низким. VT1 и VT2 закроются, а VT3 откроется. На выходе схемы появляется высокий уровень U¹_вых = Е¹  2,4 В.

При подаче на вход схемы напряжения «1»: входное сопротивление для одного входа R¹_вх  4 МОм, выходное сопротивление R¹_вых  80 Ом.

При подаче на вход схемы напряжения «0»: входное сопротивление R⁰_вх = R_б = 4 Ком, выходное сопротивление R⁰_вых  40 Ом.

Пороговое напряжение, ниже которого логический элемент (ЛЭ) находится в состоянии «0», т. е. выключен, а выше которого – в состоянии «1», т. е. включен, U_пор = 1,5 В.

При расчетах принимается Е¹ = 3,5 В, Е⁰ = 0,2 В.

Во избежание пробоя эмиттерного перехода VTм не допускается подача на вход ЛЭ напряжения, превышающего 5,5 В. Там, где входное напряжение может превысить 5,5 В, включают ограничивающий диод между входом и положительным полюсом источника.

При отрицательных напряжениях на входе возможен перегрев ЛЭ. Допустимое напряжение – 0,8 В. При более низких входных напряжениях необходимо для защиты ЛЭ включать ограничивающие диоды между эмиттером и «землей» (отрицательным полюсом источника). В микросхемах серии К155 ограничивающие диоды между эмиттером и «землей» уже имеются в самих элементах.

Переключение ЛЭ из одного состояния в другое происходит не мгновенно, а с некоторой задержкой (рис. П. 2.2). Задержка объясняется временем перезаряда паразитных емкостей и инерционностью транзисторов.

Основные электрические данные К 155 ЛАЗ:

время задержки распространения сигнала при включенииt^1.0_зд.р  15 нс – интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе ЛЭ от напряжения «1» к напряжению «0», измеренный на уровне 0,5;

время задержки при выключении t^0.1_зд.р  15 29 нс – интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе выходного напряжения от напряжения «0» к напряжению «1», измеренный на уровне 0,5;

коэффициент разветвления – количество единичных нагрузок (входов ЛЭ данной серии), которое можно подключать одновременно к выходу микросхемы, n = 10;

входной ток «1» I¹_вх  40 мкА;

входной ток «0» I⁰_вх  1,6 мА;

потребляемая мощность Р_пот = 110 мВт.

Микросхема К 155ЛАЗ содержит в одном корпусе четыре независимых друг от друга Лэ вида 2И – НЕ. Нумерация выводов показана на рис. П. 2.3, размеры корпуса – на рис. П. 2.4.

Рис. П. 2.3. Нумерация Рис. П. 2.4. Размеры

выводов К155ЛАЗ корпуса К155ЛАЗ

Приложение 4

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

Поз. обозн.	Наименование	Кол.	Примечание
С2, С6,C7 С8, С10 C1,C4,C3,C5, C9 DD1,DD2, DD3 R1 R2 R3,R9 R4,R6,R10,R11 R5 R12,R7 R8 R14 R13 VD1 VD2,VD3 VT1,VT2	Конденсаторы Конденсатор КЛС-2-а-М47–20±20 %, ОЖО. 460.020 ТУ Конденсатор СКМ-2-а-250-М330–560±10%, ОЖО. 464. 016 ТУ Конденсатор К-53-1-6-33±20 %, ОЖО. 464 023 ТУ Микросхемы Микросхема К155ЛАЗ, ГОСТ 18725–83 Резисторы Резистор МЛТ-0,125–390 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,25–82 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–68 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–820 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-1–18 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–200 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–360 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–240 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Резистор МЛТ-0,125–180 Ом±5 %, ОЖО. 467 107 ТУ Диоды Диод Д2Б, ГОСТ 14068–79 Диод Д101, ГОСТ 14068–79 Транзисторы Транзистор КТ315А, ЖК. 365. 200 ТУ	3 2 5 3 1 1 2 4 1 2 1 1 1 1 2 2