4.4 Формирователь с интегрирующей цепью заряда конденсатора.

R_огр

U_вх

&

&

&

VD

E¹

D1

D2

D3

R

U_вых

U_вх

E⁰

t

С8

U_вых

E⁰

E¹

t

Т=29мкс; t_и=8мкс; Е'=3,5В; Е⁰=0,3В; I­_макс=1,6мА; n=10; V'=0,7В

t_и =С* R *ln[(E'-E⁰)/(E'-U_пор)]

R_мин= E'/(n I­_макс)

R_мин=3,5/(10*0,0016)=219Ом

R_кр=( V'-E⁰)/ I­_макс

R_кр=(0,7-0,3)/0,0016=250Ом

R_мин=219<R< R_кр=250

Принимаем R=240Ом

P_R=( E' -E⁰)²/R

P_R=(3,5-0,3)²/240=0,043Вт МЛТ-0,125Вт

Принимаем R –МЛТ - 240Ом – 0,125Вт

С= t_и/R*ln[(E'-E⁰)/( E'-U_пор)]

U_пор=1,5В-пороговое напряжение

С=8*10^-6/240*ln[(3,5-0,3)/(3,5-1,5)]=71нФ

Принимаем С=68нФ типа СКМ

t_{и расч}=240*68*10^-9ln1,6=7,67мкс

δ_tи=(8-7,67)/8*100%=4%

4%<5%

t_вос=3RC<t_п

t_вос=3*240*68*10^-9=49мкс

t_п=T-t_и; t_п=29-8=21мкс

t_вос> t_п

R_огр=( E'-U_д)/I_доп

Где I_доп=n I­_макс

U_д=0,8B – падение напряжения на открытом диоде.

R_огр=(3,5-0,8)/10*0,0016=169Ом

Принимаем R=180Ом

P_Rогр=(3,5-0,3)²/180=0,057Вт

Выбираем R-МЛТ-180Ом-0,125Вт

Выбираем диод Д 101

4.5 Устройство задержки.

При прохождении через логические элементы И-НЕ импульс кроме инвертирования ещё и задерживается на определённое время. При соединении четырёх элементов И-НЕ выходной импульс будет иметь ту же форму что и входной, но будет задержан по сравнению с входным на время t_з=t_з¹⁰+t_з¹⁰+ t_з¹⁰+t_з¹⁰ =29+15+29+15=88 нс.

Для обеспечения помехоустойчивости устройства вблизи разъема параллельно источнику питания включают два развязывающих конденсатора, один для исключения низкочастотных помех, другой – высокочастотных. Низкочастотный развязывающий конденсатор выбирается из расчета не менее 0,1 мкФ на одну микросхему, высокочастотный – не менее 0,002 мкФ.

С₉=3*0,1=0,3мкФ; Принимаем С₉=0,33мкФ типа К-53-1

С₁₀=3*0,002=0,006мкФ; Принимаем С₁₀=0,0068мкФ типа СКМ

Библиографический список

1. Гольденберг Л. М. Импульсные устройства: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1981. 224 с.

2. Интегральные микросхемы: Справочник / Б. В. Тарабрин, Л. Ф. Лунин, Ю. Н. Смирнов и др. / Под ред. Б. В. Тарабрина. 2-е изд., испр. М.: Энергоатомиздат, 1985. 528 с.

3. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник / В. Л. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. / Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 904 с.

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев и др. / Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.

Приложение 1

Приложение 2.

П. 4.1. Транзистор кт315а

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный высокочастотный маломощный в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис. П. 4.1).

Электрические параметры3, с. 175:

граничное напряжение при I_э = 5 мА – U_гр  15 В;

напряжение насыщения коллектор – эмиттер при I_к = 20 мА, I_б = 2 мА – U_кн  0,4 В;

напряжение насыщения база – эмиттер при I_к = 20 мА, I_б = 2 мА – U_бн  1,1 В;

статистический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_кэ = 10 В,

I_к = 1 мА –  = 20 – 90;

входное сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА выходная проводимость при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА обратный ток коллектора при Uкб = 10 В постоянный ток коллектора постоянная рассеиваемая мощность коллектора граничная частота

– Rвх  40 Ом; – Gвых = 0,3 мкСм; – Iко  1 мкА; – Iк0  100 мА; – Р = 150 мВт; – fгр = 100 МГЦ.

Характеристики транзистора КТ315А