- •Задание
- •Реферат
- •Содержание
- •Введение
- •1 Составление структурной схемы
- •3 Выбор элементной базы
- •4 Узлы схемы, расчёт навесных элементов.
- •4.1 Параллельный ограничитель.
- •4.2 Транзисторный усилитель (ключ).
- •4.3 Расчет жмв.
- •4.4 Формирователь с интегрирующей цепью заряда конденсатора.
- •4.5 Устройство задержки.
- •П. 4.1. Транзистор кт315а
- •Диод д2б
- •П. 4.4. Диод д101
- •П. 2.2. Базовый логический элемент ттл
3 Выбор элементной базы
Рекомендуется выбирать цифровые микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), имеющие большую помехоустойчивость, сравнительно высокое энергопотребление. Так, микросхемы серии К 155 имеют среднее быстродействие (до 10 МГц), высокую устойчивость к механическим воздействиям, работают при температуре от –60 до +125С и получили достаточно широкое распространение в отечественной практике.
Данные микросхем серии К 155 можно выбрать в 2 и прил. 3, Рекомендуемые транзисторы в схемах ключей а также диоды показаны в прил. 2 и в 3, 4.
Принципиальная схема селектора малых импульсов приведена прил. 1.
4 Узлы схемы, расчёт навесных элементов.
4.1 Параллельный ограничитель.
+E
U1
R2
Eсм
R
U1
U2 t
VD
U1
R1
Eсм
t
Rн= 1кОм; Rг=600 Ом
Есм =0,8 В – положительный уровень
Выбираем диод Д 2Б
Rпр=200 Ом Rобр=100 кОм
R+Rг<Rн => R<1000-600=400 Ом
Принимаем R=3,9*102=390 Ом
Pr=(5-0,8)2/390=0,03=0,045Вт
R= МЛТ-390Ом-0,125Вт
Ток делителя Iд=10*Iпр=10*0,005=0,05А
R1=Есм/(Iд+Iпр)=0,8/(0,05-0,005)=17,8 Ом
Выбираем R1=18Ом
PR1=4,22/18=0,98 Вт
R1- МЛТ – 18Ом – 1Вт
R2=(Е-Есм) / Iд=(5-0,8) / 0,05=84 Ом
Выбираем R2=82Ом
PR2=4,22/82=0,215 Вт
R2- МЛТ- 82ОМ-0,25Вт
4.2 Транзисторный усилитель (ключ).
+E
VT
Rк R1
Cp1 R2
Rэ
Cэ
Cp2
Выбираем транзистор КТ 315 А
На входных характеристиках (см.прил.2) строим нагрузочную прямую при L=5B и Iкн=20 мА. Рабочую точку на нагрузочной прямой выбираем на пересечении ik=5 мА с нагрузочной прямой. В этом случае амплитуда отрицательных импульсов составит 3,5В
Определяем Iоб=0,1 мА ;Iок=5 мА
По входной характеристике при Iб=0,1 мА и Т=25оС
Находим Uбэ=0,5 В
Принимаем Uэ=0,2 В*Ек=0,2*5=1В
Находим Rэ=Uэ/(Iок+Iоб)
Rэ=1/(5+0,1)=196 Ом Берём Rэ=200 Ом
РRэ=12/200=5 мВг
Rэ-МЛТ-200Ом-0,125В
Rст=Rэ/(Sн-1), Sн=10
Rст=200/(10-1)=1,8кОм
R2=E*R(E-Uоб-Uэ-Iоб*Rст); R2=5*1800/(5-0,1-1-0,1*103*1800)=2432Ом
Принимаем R2-МЛТ-820Ом-0,125Вт
Rст=R1//R2
R1= Rст* R2/( R2- Rст); R1=1800*2432/(2432-1800)=6927Ом
Принимаем R1-МЛТ-68кОм-0,125Вт
Rк=(Eк-Uэ)/Iок
Rк=(5-1)/0,005=800Ом
Принимаем Rк-МЛТ-820Ом-0,125Вт
Задаётся ∆=0,12 и ∆Cр1=∆Ср2=∆Ср3=0,04
Ср=tи/∆С*R Cp1=Cp2=24*10-6/820*0,04=0,73мкФ
Принимаем Cp1=Cp2=1мкФ типа К-53-1
Rк//Rэ=tи/Сэ
Сэ=tи/ ∆э(Rк//Rэ) Cэ=24*10-6/(0,04*160)=3,4мкФ
Принимаем Сэ=3,9мкФ типа КЛС
4.3 Расчет жмв.
+E
t
Uвых t
E1
E0
E1
E0
Uвх
R VD
D1 D2
&
Uвых C
&
Uвх
tи
Рассчитать ЖМВ при tи=24мкс и Т=45мкс
R>Rмин=(E-E0)/(n*Iмакс)
где n=10 нагрузочная способность элементов ТТЛ
Iмакс=1,6мА максимальное значение входного тока элемента
Rмин=(5-0,1)/(10*0,0016)=306Ом
Принимаем R=360Ом
PR= (E-E0)2/R; PR=(5-0,1)2/360=0,07Вт
Выбираем R-МЛТ-360Ом-0,125Вт
С= tи/(R//Rб)*ln[(E-E0)/(E-Uпор)]
R//Rб=(360*4000)/(360+4000)=330Ом
Rб-сопротивление в цепи базы логического элемента
Rб=4кОм
Uпор=1,5В-пороговое напряжение
С=24*10-6/(330*ln[(5-0,1)/(5-1,5)])=0,22мкФ
Принимаем С типа КЛС-0,22мкФ
tи расч=С* R//Rб*ln[(E-E0)/(E-Uпор)]
tи расч=0,22*10-6330* ln[(5-0,1)/(5-1,5)])=0,000024=24мкс
δtи=(24-24)/24*100%=0
Выбираем диод Д101
Iдоп=30мА
Rпр=Uпр/Iпр=2/0,002=1кОм
i=Uд/(R0вых+Rпр)
где Rпр=1кОм –прямое сопротивление диода
Uд= Uпор-E0 –падение напряжения на диоде
Uд=1,5-0,1=1,4В
i=1,4/(40+1000)=0,0013A<0,03A
Время задержки ЖМВ состоит из задержки D; tз=t01з=29нс