Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЦСП Скалин Ю.В.doc
Скачиваний:
85
Добавлен:
22.11.2019
Размер:
4.07 Mб
Скачать

3.2. Амплитудно-импульсные модуляторы и временные селекторы

Амплитудно-импульсные модуляторы ЦСП осуществляют дис­кретизацию аналоговых сигналов в тракте передачи. Временные селекторы ВС распределяют на приеме импульсы группового АИМ сигнала по входам трактов низкочастотных окончаний каналов (НКО). В качестве таких устройств применяются быстродействую­щие электронные ключи, управляемые импульсным напряжением, называемым импульсной несущей. Параметры модулято­ров и временных селекторов во многом определяют параметры каналов и оказывают большое влияние на уровень шумов.

Проникновение импульсного управляющего напряжения или его остатка на выход модулятора приводит к смещению произволь­ным образом амплитуды импульса АИМ сигнала на входе кодера и увеличению погрешности при выполнении операций квантования и кодирования, что вызывает возрастание шумов в канале. Увели­чению шумов в канале способствует также проникновение с вре­менного селектора на вход ФНЧ тракта приема остатков управля­ющих импульсов. Мощность остатков управляющих импульсов не должна превышать 0,001 пикового значения мощности сигнала. Это достигается применением балансных схем модуляторов и ВС. Требования к балансировке ВС могут быть несколько снижены, так как затухание ФНЧ-3,4 в тракте приема на частоте 8 кГц до­статочно велико.

К амплитудно-импульсным модуляторам и временным селек­торам предъявляют весьма высокие требования по быстродейст­вию и линейности амплитудной характеристики в широком диапа­зоне частот входных сигналов. От их быстродействия зависит уро­вень переходной помехи между каналами, а от линейности ампли­тудной характеристики — нелинейных искажений.

Если учесть, что к модуляторам и временным селекторам предъ­являются практически одинаковые требования, становится понят­ным, что они не отличаются по схемной реализации.

В качестве электронного ключа можно использовать диодный мост. Такой диодный мост из VDi...VD4 изображен на рис. 3.3, где дана и его эквивалентная схема. Управляет работой диодов на­пряжение импульсной несущей £/„ес. Эта схема является одной из разновидностей балансных схем модуляторов. Она более удобна для применения, так как не требует дифференциальных трансфор­маторов. Для обеспечения баланса моста, что исключает проник­новение на выход схемы ключа остатков управляющего напряже­ния, необходим подбор диодов по параметрам. На практике исполь­зуются интегральные сборки, в которых диоды выполнены на одном кристалле и обладают практически одинаковыми параметрами.

Рис. 3.3. Последовательно-ба­лансная схема модулятора (а) и ее эквивалентная схема (б)

Рассмотрим другие схемы модуляторов. На рис. 3.4, а представ­лена схема несбалансированного ключа, собранного на транзисто­ре. При отсутствии управляющего напряжения Uy транзистор VT закрыт и на входном сопротивлении нагрузки модулятора RH от­сутствует ток сигнала /с. Появление положительного управляюще­го напряжения приводит к снижению внутреннего сопротивления транзистора, и в нагрузке появляется ток, вызванный напряжени­ем Uc. В то же время напряжение Uy, приложенное к базе VT, при­водит к появлению в эмиттерной цепи и нагрузке тока импульной несущей /у значительной величины.

Этот недостаток устраняется использованием схемы сбаланси­рованного ключа (рис. 3.4,6). Управляющее импульсное напряже­ние С/у поступает одновременно на базы VTt и VT2, при этом токи эмиттерных цепей /у] и /у2 в нагрузке противофазны. Таким обра­зом, в случае идентичности параметров транзисторов суммарный ток импульсной несущей будет равен нулю. Практически же из-за отличия параметров VTi и VT2 удается добиться лишь частичного подавления импульсной несущей. Наилучшие результаты дости­гаются при единой технологии изготовления VTj и VT2 на одном кристалле микросхемы,. Поэтому в типовой аппаратуре в качестве активных элементов модуляторов и временных селекторов чаще всего используют интегральные транзисторные сборки

Рис 3.4. Принципиальные схемы ключей на транзисторах

.

Сопротивление ключа в открытом состоянии определяется уп­равляющим током базы /б.у и имеет ярко выраженный минимум. Поэтому резисторами R) и R2 (или R3) подбирается такой ток ба­зы, чтобы обеспечить минимально возможное затухание ключа.

Как отмечалось ранее, для выполнения последующих операций квантования и кодирования необходимо преобразовать сигнал АИМ-1 в АИМ-2, при этом длительность последнего должна быть достаточной для проведения этих операций. В ЦСП наибольшее распространение получила схема, где сигналы АИМ-1 всех кана­лов объединяются в групповой сигнал АИМ-1, и преобразование сигналов АИМ-1 в АИМ-2 происходит в групповом тракте. Струк­турная схема преобразования сигналов АИМ-1 в АИМ-2 в группо­вом тракте приведена на рис. 3.5, а.

Схема содержит электронные ключи, накопительный конденса­тор и операционные усилители. Ключи на входе являются ам­плитудно-импульсными модуляторами каналов и включаются по­очередно, их число равно числу каналов. Ключ Кл2 работает одно­временно с Кл1 и подключает на короткое время заряда т3 накопи­тельный конденсатор, который заряжается до уровня амплитуды АИМ сигнала. Для уменьшения времени заряда конденсатора уси­литель Ус1 имеет достаточно малое выходное сопротивление. Да­лее ключи КЛ) и Кл2 размыкаются. Усилитель Ус2 имеет высоко-омное входное сопротивление, что обеспечивает практически по­стоянное значение напряжения заряда конденсатора на весь пери­од квантования и кодирования сигнала. Для подготовки накопи­тельного конденсатора к следующему отсчету сигнала АИМ-1 он разряжается на землю. Это производится подачей напряжения Up на Кл3

Рис. 3.5. Структурная схема группового АИМ тракта (а) и временная диаграм­ма, поясняющая ее работу (б)

46

Рис. 3.6. Функциональная схема группового АИМ тракта

.

Длительность импульса АИМ-2 будет определяться как тдим-2 = 1/(«/д), где /д — частота дискретизации; п — число ка­налов. Реальное время кодирования Ткод=£^Таим-2 — т3—тР. На рис. 3.5,6 приведены временные диаграммы, поясняющие работу схемы.

Функциональная схема построения группового тракта АИМ сигнала показана на рис. 3.6. Распределитель канальный РК фор­мирует импульсы управления работой ключей. В схеме имеется дополнительный ключ, собранный на транзисторной сборке А2, для разряда на землю элементов группового тракта сигналов АИМ-1. Он работает одновременно с ключом разряда накопитель­ного конденсатора. На выходе схемы два инвертирующих усилите­ля Ус2 и Ус3 включены последовательно для получения симметрич­ного сигнала относительно земли. Это позволяет значительно уменьшить влияние помех, наводимых на вход кодера, и в 2 раза увеличить амплитуду сигнала. Аналогичная схема используется в системе передачи ИКМ-15, где импульсы имеют следующие пара­метры: X АИМ-1 =2,5 мкс, т3=1,5 мкс, тр=1 МКС, Т АИМ-2 =7,8 мкс.

В некоторых случаях ключ Кл3, показанный на рис. 3.5, а, не применяется. Это возможно, если время заряда накопительного конденсатора достаточно для полной его перезарядки после преды­дущего сигнала до уровня последующего. Такая схема использу­ется в системе ИКМ-30.