• Порядок расчета

1. Определяем относительные значения величины повышения и понижения входного напряжения

,

2. Задаем минимальное значение Кзмин. Принимаем Кзмин=(0,2 ... 0,3).

3. Определяем номинальное и максимальное значения коэффициента заполнения

, .

4. Определяем минимальное амплитудное значение напряжения первичной и вторичной обмоток трансформатора

_{U1min=1,2Uвхном(1-b)-Uкэнас}

где Uкэнас - напряжение насыщения транзистора (0,5В - 1,5В), Uпр - прямое падение напряжения на вентиле (0,5В - 1,0В), ΔUдр - падение напряжения на обмотке дросселя (ориентировочно равное 0,1В – 0,2В).

5. Определяем коэффициент трансформации

n₂₁ = W1/W2 = U_2min / U_1min

Округляем его значение до одного знака после запятой (т.к. значение n₂₁ должно быть реальным при выполнении намотки обмоток на сердечник трансформатора) и уточняем, если необходимо, значения коэффициента заполнения

_,

6. Определяем Lкр - критическое значение индуктивности дросселя

, (Гн)

7.По значению Lкр из таблицы П7 Приложения выбираем унифицированный дроссель из условий: частота преобразования должна быть меньше или равна рабочей частоте дросселя; индуктивность дросселя Lдр больше Lкр; максимальный ток подмагничивания дросселя Iпод макс больше или равен Iн. Выбрав тип дросселя, находим из таблицы П7 его омическое сопротивление Rдр.

8. Определяем размах пульсации тока дросселя:

,( А)

9.Определяем требуемое значение емкости выходного конденсатора из условий обеспечения заданного коэффициента пульсации Кпул, % (см. исходные данные Вашего варианта).

- размах пульсаций, В.

(Ф)

По значению емкости и напряжения из таблицы П8 Приложения выбираем тип конденсатора Cн.

10.Определяем коэффициент трансформации для размагничивающей обмотки

n_1р = W1/Wр ≤ Кзмак / (1 – Кзмак).

12. Определяем параметры регулирующего транзистора VT1:

Максимальный ток коллектора

, ( А)

Максимальное напряжение на коллекторе

, (В)

Из таблицы П10 Приложения выбираем тип транзистора, например, транзистор типа 2Т908Б с параметрами: Uкэмак =100 В; Iкмак=5 А; Ркмак=9 Вт при температуре корпуса 85° С; Ртпк=2,0° С/Вт; h_21эмин=8; Uкэнас=0,8 В; tвкл=0,2 мкс; tвыкл=0,2 мкс; Uбэнас==1,6 В.

13.Определяем мощность, рассеиваемую на транзисторе VТ1, принимаем kнас=1,3:

Расчетное значение Рк должно быть не более, чем приведенное в справочных данных. В противном случае следует выбрать транзистор с большим значением Рк.

14.Определяем параметры диода VD1:

, (А)

,( В)

Выбираем тип диода (таблица П14 Приложения), например, тип КД213В, имеющий параметры fmax=100-10³ Гц; Uпр=1 В;

Uобрмак=100 В; Iпрмак=10 А.

15. Мощность, рассеиваемая на диоде p_vd1 (без учета динамических потерь)

( Вт).

16.Определяем максимальное напряжение на размагничивающем диоде VDр:

,( В)

17.Определим ток, протекающий через диод VDр и обмотку Wр.

I_VDр = Iо n_1р, ( А),

где Iо - максимальное значение намагничивающего тока трансформатора.

Намагничивающий ток трансформатора состоит из активной I_0a и реактивной I_0r составляющих

(А)

Будем считать, что в трансформаторе потери в обмотках равны потерям в сердечнике, а реактивная составляющая тока намагничивания составляет около 20% от активной составляющей. Тогда U_1эф = U_1min*

, (А)

I_0r = 0.2 I_0a, ( А)

η=0,95 - для 50Вт≥IнUн>11( Вт),

η=0,97 - для IнUн>50 (Вт),

η=0,93 - для IнUн≤10 (Вт).

18.Произведем расчеты и выберем тип диода VDр из справочных данных по максимальному напряжению и току I_VDр.

19.Определяем параметры диода VD2:

,( А)

(В)

Выбираем тип диода из справочных данных.

20.Мощность, рассеиваемая на диоде p_vd2 (без учета динамических потерь)

( Вт).

Номиналы выбранных элементов следует нанести на схему ОПНП.