- •Предисловие
- •Глава 1. Организация и методика проектирования
- •1.1. Общие рекомендации
- •1.2. Сигналы и каналы связи в радиоэлектронных системах.
- •1.3. Радиопередающие устройства в каналах связи радиоэлектронных систем
- •Глава 2. Применение устройств формирования сигналов в радиоэлектронных системах.
- •2.1. Рэс с текущей и задержанной информацией.
- •2.2. Рэс спутниковой связи.
- •2.3. Телеметрические рэс.
- •2.4. Радиорелейные линии связи – ррлс.
- •2.5. Радиостанции оперативной связи.
- •2.6. Радиоэлектронные системы с задержанной информацией.
- •2.6.1. Навигационные радиопередатчики-радиомаяки.
- •2.6.2. Охранные рэс.
- •2.6.3. Рэс дистанционно управляемых механизмов (замков, станков и т.П.)
- •2.6.4. Радиоэлектронные системы опознавания и разведки.
- •2.6.5. Многоканальный приемо-передатчик с автоматическим управлением.
- •Глава 3. Проектирование устройств формирования сигналов.
- •3.1. Функциональная схема.
- •3.2. Структурная схема.
- •3.2.1. Структурная схема передающего модуля.
- •3.2.2. Структурная схема передатчика службы спасения.
- •3.2.3. Структурные схемы транзисторных передатчиков.
- •3.2.4. Структурная схема синтезатора частот.
- •3.3. Принципиальная схема.
- •3.3.1. Принципиальная схема передающего модуля.
- •3.3.2. Принципиальные схемы синтезаторов частот.
- •3.3.5. Принципиальные схемы транзисторного передатчика.
- •3.4. Конструкция.
- •3.5. Техническая документация. Оформление проекта.
- •3.5.1. Пояснительная записка.
- •3.5.2. Чертежи.
- •Библиографический список.
- •1. Учебники и учебные пособия.
- •2. Системное проектирование.
- •3. Функциональное проектирование.
- •Приложение п3. Перечень элементов к принципиальной схеме рис 3.16.
- •Наименование
- •Передающий модуль
- •Наименование
- •Приложение п7. Микросхемы усилителей мощности.
- •Приложение п8. Микросхемы фильтров на поверхностно-аккустических волнах (пав).
- •Приложение п12. Микросхемы демодуляторов.
- •Приложение п16. Микросхемы передатчиков.
- •Приложение п17. Параметры биполярных транзисторов.
- •Приложение п18. Параметры типового режима биполярных транзисторов. Предельные эксплуатационные данные.
- •Оглавление.
- •Глава 1. Организация и методика проектирования 4
- •Глава 2. Применение устройств формирования сигналов в радиоэлектронных системах. 9
- •Глава 3. Проектирование устройств формирования сигналов. 37
Приложение п8. Микросхемы фильтров на поверхностно-аккустических волнах (пав).
|
|
Минимальное |
Ширина |
Ширина |
Неравномерн |
|
Температурн |
|
|
|
|
вносимое |
|
|
|
||||
|
Диапазон |
|
полосы |
полосы |
ость ДЧХ в |
Гарантирова |
ый |
|
|
Микросхема |
рабочих |
затухание в |
пропускания |
пропускания |
полосе |
нное |
коэффицент |
Тип корпуса |
|
полосе |
|
|
|
||||||
|
частот, МГц |
пропускания, |
по уровню |
по уровню |
пропускания, |
затухание, дБ |
частоты, |
|
|
|
|
дБ |
ЗдБ, МГц |
40дБ, МГц |
дБ |
|
ррт/К |
|
|
ФП3П7-507-1 |
22,500 |
14,0 |
1,60 |
3,06 |
1,5 |
- |
-72 |
DIP 29К |
|
ФП3П7-507-2 |
62,000 |
20,0 |
7,80 |
9,50 |
1,2 |
45 |
-72 |
DIP 5К |
|
ФП3П7-507-3 |
32,760 |
14,5 |
1,36 |
2,57 |
2,0 |
- |
-72 |
DIP 29К |
|
ФП3П7 -507-5 |
96,000 |
18,0 |
7,50 |
9,00 |
1,5 |
50 |
-72 |
DIP 5К |
I |
ФП3П7 -508-6 |
305,625 |
12,0 |
3,50 |
7,80 |
1,8 |
42 |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7-508-1 |
195,000 |
15,0 |
14,50 |
22,00 |
1,5 |
45 |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7-508-2 |
205,000 |
15,0 |
15,00 |
22,00 |
1,5 |
45 |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-001 |
46,000 |
2,5 |
0,60 |
- |
- |
50 |
-70 |
К 155.15 |
|
ФП3П7 -509-101 |
108,000 |
8,0 |
1,50 |
3,60 |
- |
55 |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-103 |
162,000 |
4,5 |
3,10 |
- |
- |
- |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-201 |
293,000 |
4,5 |
5,50 |
- |
- |
70 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-203 |
228,000 |
4,5 |
5,00 |
- |
- |
48 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-302 |
320,000 |
5,0 |
5,80 |
- |
- |
- |
-72 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-304 |
380,000 |
5,5 |
7,00 |
14,00 |
- |
65 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-401 |
400,000 |
5,2 |
7,00 |
14,00 |
- |
65 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-403 |
430,500 |
3,5 |
7,00 |
18,00 |
- |
65 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-501 |
500,000 |
1,0 |
3,00 |
40,00 |
- |
45 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7 -509-602 |
624,000 |
4,5 |
15,00 |
- |
- |
45 |
-70 |
QLCC 10.10-1 |
|
ФП3П7-509-701 |
718,000 |
4,0 |
16,00 |
- |
- |
45 |
-70 |
QLCC 10.10-1 |
|
ФП3П7 -509-801 |
803,000 |
7,5 |
14,00 |
60,00 |
- |
65 |
-70 |
DIP4K |
|
ФП3П7-512-2 |
568,000 |
4,5 |
10,00 |
- |
- |
35 |
-70 |
QLCC 10.10-2 |
|
ФП3П7 -512-4 |
600,000 |
4,5 |
15,00 |
- |
- |
35 |
-70 |
QLCC 10.10-2 |
|
Приложение П9. Микросхемы запоминающих устройств. |
|||||||
Микросхема |
Тип памяти |
Организация (бит) |
Время выборки адреса (tа), нс |
Динамический ток потребления (Icco), мА |
Ток потребления (Icc), мА |
Ток потребления в режиме хранения (Iccs), мА |
Тип корпуса |
537РУ3А |
ОЗУ |
4096×1 |
230 |
20 |
- |
0,001 |
427.18-2.03 |
537РУ13 |
ОЗУ |
1024×4 |
160 |
60 |
- |
0,010 |
427.18-2.03 |
537РУ14А |
ОЗУ |
409×1 |
80 |
35 |
- |
0,005 |
2107.18-1 |
КА537РУ10 |
ОЗУ |
2048×8 |
180 |
60 |
- |
0,400 |
4192Ю.24-1 |
Н537РУ14А |
ОЗУ |
4096×1 |
80 - 130 |
35 |
- |
0,005 |
Н09.18-1В |
КР537РУ10 |
ОЗУ |
2048×8 |
180 |
60 |
- |
0,400 |
239.24-2 |
КР537РУ10Б |
ОЗУ |
2048×8 |
210 |
70 |
- |
1,000 |
239.24-2 |
КР537РУ25А |
ОЗУ |
2048×8 |
50 |
50 |
- |
0,010 |
239.24-2 |
541РТ1 |
ПЗУ |
256×4 |
70 |
- |
100,0 |
- |
402.16-21 |
К541РУ1 |
ОЗУ |
4096×1 |
120 |
- |
95,0 |
- |
427.18-2.03 |
К541РУ2 |
ОЗУ |
1024×4 |
120 |
- |
100,0 |
- |
427.18-2.03 |
КР541РУ2 |
ОЗУ |
1024×4 |
120 |
- |
100,0 |
- |
2107.18-1 |
КР588РЕ1 |
ПЗУ |
4096×16 |
300 |
- |
10,0 |
0,040 |
239.24-1 |
1617РУ13А |
ОЗУ |
1024×4 |
140 |
55 |
- |
0,001 |
427.18-1.02 |
1617РУ14А |
ОЗУ |
4096×1 |
140 |
55 |
- |
0,001 |
427.18-1.02 |
1623РТ2А |
ПЗУ |
8192×8 |
100 |
- |
50,0 |
0,040 |
4119.28-6 |
КА1835РЕ1 |
ПЗУ |
16384×16 |
250 |
- |
40,0 |
0,015 |
4192Ю.24-1 |
KБ1835PE2-4 |
ПЗУ |
131072×8 |
200 |
- |
45,0 |
0,020 |
без корпуса |
КБ1835РЕ3-4 |
ПЗУ |
32768×8 |
200 |
- |
45,0 |
0,020 |
без корпуса |
INA2586N |
ПЗУ |
1024×8 |
100 |
- |
20,0 |
- |
2101.8-A |
IN24LC02N |
ПЗУ |
256×8 |
100 - 400 |
- |
1,0 - 3,0 |
0,100 |
2101.8-A |
IN24LC04N |
ПЗУ |
512×8 |
100 - 400 |
- |
1,0 - 3,0 |
0,100 |
2101.8-A |
IN24LC08N |
ПЗУ |
1024×8 |
100 - 400 |
- |
1,0 - 3,0 |
0,100 |
2101.8-A |
IN24LC16N |
ПЗУ |
2048×8 |
100 - 400 |
- |
1,0 - 3,0 |
0,100 |
2101.8-A |
INF8582EN-2 |
ПЗУ |
256×8 |
100 |
- |
1,6 - 2,5 |
0,010 |
2101.8-A |
INF8594EN |
ПЗУ |
512×8 |
100 |
- |
20,0 |
0,010 |
2101.8-A |
INF85116N |
ПЗУ |
2048×8 |
100 - 400 |
- |
1,0 |
0,010 |
2101.8-A |
Приложение П10. Микросхемы умножителей частоты. |
|||||
Микросхема |
Диапазон входных частот (f), ГГц |
Полоса рабочих частот по входу (∆f% от f) |
Входная мощность (Pвх), мВт |
Кратность умножения |
Выходная мощность (Pвых), мВт |
MXB-12-01 |
0,1 - 2 |
20 |
2,6 - 4 |
4 - 6 |
10 |
MXB-24-01 |
0,2 -4 |
20 |
2,6 - 4 |
4 |
10 |
MXS-12-01 |
0,1 - 2 |
10 |
2,6 - 4 |
4 - 6 |
10 |
MXS-24-01 |
0,2 -4 |
10 |
2,6 - 4 |
4 |
10 |
Приложение П11. Микросхемы делителей частоты. |
||||||||||
Микросхема |
Напряжение питания (Uпит), В |
Максималь- ное выходное напряжение (Uвых), В |
Потребля- емая мощность (Pпот), мВт |
Входная мощность (Pвх), мВт |
Выходная мощность (Pвых), мВт |
Коэффициент деления |
Диапазон частот входного синусоидального сигнала (fs) , МГц |
Диапазон частот импульсного входного сигнала (fи), МГц |
Диапазон температур окружающей среды,°С |
Тип корпуса |
КС193ИЕ7А КС193ИЕ7Б |
6,30± 5% |
0,60 - 1,00 |
993 |
|
|
4 |
200 - 2000; 200 - 1750 |
0 - 2000; 0 - 1750 |
-10…+70 |
2103.16-4 |
КС193ИЕ8 |
4,94-5,46 |
0,40 - 1,00 |
628 |
|
|
20/22 |
150 - 1300 |
- |
-60…+125 |
2103.16-4 |
КС193ИЕ9 |
4,94-5,46 |
0,50 - 1,20 |
- |
|
|
4 |
150 - 1300 |
- |
-60…+125 |
2103.16-4 |
КС193ПЦ1 |
4,75-5,25 |
2,40 - 5,25 |
525 |
|
|
640/704 |
- |
70 - 1000 |
-10…+70 |
2103.16-4 |
КС193ПЦ2А КС193ПЦ2Б |
5,98-6,62 |
0,60 - 1,00 |
990 |
|
|
4 |
500 - 2500; 500 - 2250 |
0 - 2500; 0 - 2250 |
-10…+70 |
201.16-13 |
HMMC-3002 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1/4 |
2 |
- |
0 - 16000 |
- |
Кристалл |
HMMC-3008 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1/4 |
8 |
- |
0 - 16000 |
- |
Кристалл |
HMMC-3022 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1/25 |
2 |
- |
0 - 12000 |
- |
Кристалл |
HMMC-3024 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1/25 |
4 |
- |
0 - 12000 |
- |
Кристалл |
HMMC-3028 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1/25 |
8 |
- |
0 - 12000 |
- |
Кристалл |
HMMC-3102 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
4 |
2 |
- |
0 - 16000 |
- |
SOIC-8 |
HMMC-3104 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
4 |
4 |
- |
0 - 16000 |
- |
SOIC-8 |
HMMC-3108 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
4 |
8 |
- |
0 - 16000 |
- |
SOIC-8 |
HMMC-3122 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1 |
2 |
- |
0 - 12000 |
- |
SOIC-8 |
HMMC-3124 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1 |
4 |
- |
0 - 12000 |
- |
SOIC-8 |
HMMC-3128 |
- |
- |
- |
0,1 - 10 |
1 |
8 |
- |
0 - 12000 |
- |
SOIC-8 |
Примечание: Для микросхем HMMC – имеют встроенный пред- и пост- усилитель; диф вход/выход.