- •Государственное образовательное учреждение
- •Электроника
- •Часть 1
- •140211 «Электроснабжение»,
- •190702 «Организация и безопасность движения»
- •Составители в.В. Демьянов
- •Протокол № 6 от 2.12.2008
- •Протокол № 6 от 4.12.2008
- •Основные свойства полупроводниковых триодов
- •Параметры транзисторов
- •Описание лабораторного стенда
- •Порядок выполнения работы
- •Усилительный каскад с общим эмиттером на биполярном транзисторе
- •Усилительный каскад с общим коллектором
- •Порядок выполнения работы
- •Генераторы гармонических колебаний
- •Порядок выполнения работы
- •Описание лабораторного стенда
- •Порядок выполнения работы
- •Электроника
- •Часть 1
- •140211 «Электроснабжение»,
- •190702 «Организация и безопасность движения»
Ф едеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Кузбасский государственный технический университет»
Кафедра электропривода и автоматизации
Электроника
Часть 1
Методические указания к лабораторным работам по курсам
«Физические основы электроники»,
«Физические основы промэлектроники»
и «Информационно-измерительная техника и электроника»
для студентов специальностей 140604 «Электропривод
и автоматика промышленных установок
и технологических комплексов»,
140211 «Электроснабжение»,
190702 «Организация и безопасность движения»
всех форм обучения
Составители в.В. Демьянов
С.В. Сидельцев
Утверждены на заседании кафедры
Протокол № 6 от 2.12.2008
Рекомендованы к печати
учебно-методической комиссией
специальности 140604
Протокол № 6 от 4.12.2008
Электронная копия находится
в библиотеке главного корпуса
ГУ КузГТУ
Кемерово 2008
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: Исследование входных и выходных характеристик биполярного транзистора типа МП 42.
Приборы: Стенд типа ЭС-4, электронный осциллограф, вольтметр.
Основные свойства полупроводниковых триодов
Рис. 1. Включение
биполярного транзистора по схеме с
общим эмиттером
Основной схемой биполярного транзистора считают схему, в которой общим электродом для входной и выходной цепи по переменному току является эмиттер (рис. 1).
Для анализа усилителей используются семейства входных и выходных характеристик транзистора. Для схемы с общим эмиттером входными являются зависимости Iб = f(Uб) при UК = const, а выходными – IК = f(UК) при Iб = const.
В схеме с общим эмиттером происходит не только усиление по напряжению, но и усиление по току, и большое усиление по мощности.
Параметры транзисторов
, при UКЭ = const, где – статический коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером.
, при UКб = const, где – коэффициент усиления по току для схемы с общей базой; и связаны между собой соотношением .
Максимально допустимые значения токов коллектора и эмиттера, устанавливаемые исходя из опасности возникновения теплового пробоя перехода при больших токах, IК доп. и IЭ доп.
Максимально допустимые величины напряжения на коллекторном и эмиттерном p-n-переходах, устанавливаемые исходя из опасности пробоя перехода, UК доп. и UЭ доп.
Описание лабораторного стенда
Принципиальная схема стенда изображена на рис. 2. Питание транзистора осуществляется от выпрямителя. Постоянное напряжение питания коллектора измеряется вольтметром ИП3. Ток коллектора измеряется прибором ИП2, ток базы – ИП1. Измерение постоянного напряжения база-эмиттер в статическом режиме, а также переменных напряжений на входе и выходе транзистора в усилительном режиме производится универсальным цифровым вольтметром ЦВ. Измеряемое постоянное напряжение на базу транзистора поступает от делителя напряжения R12 , включенного к источнику питания коллектора.
Рис. 2. Принципиальная схема лабораторного стенда
Переменное напряжение на базу транзистора в усилительном режиме снимается с отдельной обмотки силового трансформатора и регулируется потенциометром R12. Резистор R1 ограничивает ток базы транзистора.
Изучение работы транзистора в статическом режиме производится в соответствии со схемой рис. 3, где из общей схемы исключаются все резисторы и конденсаторы. Регулирование постоянного входного напряжения производится посредством потенциометра R12 . Величина напряжения контролируется цифровым вольтметром ЦВ, установленным в режиме постоянного тока и включенным между гнездами Г1 и корпусом (Г3, Г4, Г5). Ток базы регистрируется прибором ИП1, который для постоянного тока базы включен последовательно с диодами VD2, VD3 и ограничен резистором R1. Коллекторное напряжение с помощью резистора R11 поддерживается постоянным.
Рис. 3. Схема для исследования статических характеристик
транзистора