- •1. Радиоэл-ка как обл-ть науки и техники. Осн напр-я соврем радиоэ-ки;
- •4. Активные компоненты радиоэлектроники. Полупроводниковые электронные приборы. Интегральные микросхемы;
- •6. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Типы электрических переходов. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •8. Прямое смещение p-n перехода.
- •9. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода.
- •10Устройство и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов;
- •11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
- •12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
- •13.Импульсные диоды и диоды с накоплением заряда (днз) Импульсные диоды этот диод, имеющий малую длительность перех проц-в и предназн для работы в импульсных устройствах.
- •Параметры импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •14.Туннельные и обращенные диоды
- •15. Определение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов;
- •19. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •20. Принцип действия транзистора
- •Токи в транзисторе ток эмиттера имеет две составляющие: электронную и дырочную
- •21. Формальная модель биполярного транзистора. Система h-параметров биполярного транзистора
- •22. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Влияние температуры на вах биполярного транзистора
- •23. Дифференциальные параметры биполярного транзистора. Определение h-параметров транзистора по статическим вах
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •24.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала;
- •25.Малосигнальная модель биполярного транзистора;
- •26 Частотные свойства биполярного транзисторов
- •27 Физические параметры биполярного транзистора. Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора.
- •28.Основные параметры биполярного транзистора;
- •29. Классификация сигналов. Гармонический анализ сигналов
- •30. Спектральный анализ периодических сигналов. Комплексная форма ряда Фурье
- •31. Спектральный анализ непериодических сигналов
- •32. Амплитудно-модулированные сигналы
- •33. Частотно-модулированные сигналы
- •34. Фазомодулированные сигналы
- •35. Случайные сигналы
- •36. Моментные функции второго порядка;
- •37)Спектральный анализ случайных сигналов. Помехи
- •38. Характеристики линейных цепей. Комплексный коэффициент передачи;
- •39. Амплитудно-частотная характеристика.
- •40. Переходная характеристика;
- •41. Импульсная характеристика;
- •42. Методы исследования линейных электрических цепей;
- •43. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •Классификация аналоговых электронных устройств
- •44. Основные параметры аналоговых электронных устройств;
- •45. Основные характеристики аналоговых электронных устройств;
- •46. Классификация усилительных устройств;
- •47. Понятие рабочей точки;
- •48. Способы задания рабочей точки;
- •49. Способы стабилизации рабочей точки;
- •50. Основные режимы работы усилительных каскадов;
- •51. Обратные связи в усилительных каскадах;
- •52. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером;
- •Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
- •53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
- •54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
- •55.Усилительный каскад с ои
- •56.Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
- •57. Двухтактный усилительный каскад
- •58. Резонансный усилитель
- •59. Усилители постоянного тока (упт)
- •60.Дифференц усил каскад
- •61. Операционные усилители
- •62. Понятие автоколебат с-мы. Принцип возникновения колебаний.
- •63. Основные теории процессов в автогенераторе;(без линейной теории)
- •64. Основные схемы lc-генераторов;
- •65. Трехточечные схемы генераторов. Кварцевые генераторы;
- •67. Режимы работы автогенератора. Автоген-ры с автоматич смещением.
- •1 .10.1. Однокаскадная схема rc-генератора
- •1.10.2. Двухкаскадная схема -генератора rc
- •69. Модуляция электрических сигналов;
- •70. Амплитудные модуляторы;
- •71. Частотные модуляторы;
- •72. Фазовые модуляторы;
- •73. Детектирование электрических сигналов;
- •74. Амплитудные детекторы
- •Основные хар-ки и параметры амплитуд. Детектора(из инета).
- •75. Фазовые детекторы;
- •76. Частотные детекторы
- •77. Электронные ключевые схемы. Электронные ключи на биполярных транзисторах;
- •78. Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах;
- •79. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •80. Алгебра логики и ее основные законы(дописать)
- •81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
- •82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
- •83. Эмиттерно-связанная логика (эсл);
- •84. Интегральная инжекционная логика.
- •86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
- •87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
- •88. Триггеры.
- •Параметры триггеров
86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
Основными параметрами являются:
– реализуемая логическая функция;
– быстродействие;
– коэффициент объединения по входу;
– коэффициент разветвления по выходу (нагрузочная способность);
– помехоустойчивость;
– потребляемая мощность;
– устойчивость против внешних воздействий;
– степень интеграции, надежность.
Если цепь состоит из N последовательно включенных однотипных логических ИМС, то время прохождения сигнала по цепи
,(одной ИС) тогда
и зависит от режима работы транзистора в микросхеме и потребляемой мощности.
По среднему времени задержки ИС делятся на:
– сверхбыстродействующие tзд ср < 5 нс;
– быстродействующие 10 нс > tзд ср > 5 нс;
– среднего быстродействия 100 нс > tзд ср > 0 нс;
– низкого быстродействия tзд ср > 100 нс.
Коэффициент объединения по входу m – макс. число входов, кот. может иметь логический элемент. Чаще всего коэффициент объединения по входу не превышает 8, что определяется ограниченным числом выводов ИС.
Коэффициент разветвления по выходу n – нагрузочная способность, определяется числом схем этой же серии, входы которых могут быть присоединены к выходу данной схемы без нарушения ее работоспособности. Чем выше n, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение n, т.е. увеличение числа нагрузок, ухудшает помехоустойчивость и быстродействие.
Помехоустойчивость Uп макс – наибольшее значение напряжения на входе микросхемы, при котором еще не происходит изменение уровней выходного напряжения.
Помехи бывают статические и динамические.
Потребляемая мощность. Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания, определяется выражением
, где Uипj – напряжение j-го источника питания; Ij – ток в соответствующем выводе схемы.
Потребляемая схемой мощность в любой момент времени не является постоянной, а зависит от логического состояния и типа логического элемента и изменяется при переключении схемы. Поэтому в качестве основного параметра используют не мгновенное, а среднее значение мощности, потребляемой микросхемой за достаточно большой промежуток времени
,где P0 и P1 – мощности, потребляемые схемой в состоянии логического нуля "включено" и в состоянии логической единицы "выключено".
Надежность интегральных логических элементов определяет их свойство выполнять заданные функции при сохранении эксплуатационных показателей в заданных пределах в течение требуемого промежутка времени или требуемой наработки на отказ.
87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент–цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению: 1,5,6,7 - полупроводниковые ИМС; 2,4,8 - гибридные; 3 - прочие (пленочные, вакуумные, керамические). Второй элемент - две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС.
Первый и второй элемент образуют серию микросхем.
Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.
Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.
В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:
К - для аппаратуры широкого применения; Э - на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
Р - пластмассовый корпус второго типа; М - керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа;
Е - металлополимерный корпус второго типа; А - пластмассовый корпус четвертого типа;
И - стеклокерамический корпус четвертого типа Н - кристаллоноситель.
Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:
1 - с гибкими выводами; 2 - с ленточными выводами;
3 - с жесткими выводами; 4 - на общей пластине (неразделенные);
5 - разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку); 6 - с контактными площадками без выводов (кристалл).