Билет 23.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ , в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Уд. электрич. проводимость а при 300 К составляет 104-10~10 Ом-1·см-1 и увеличивается с ростом т-ры. Для П. м. характерна высокая чувствительность электрофиз. св-в к внеш. воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т.п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей. П. м. по структуре делятся на кристаллич., твердые аморфные и жидкие.

Поликристаллический кремний (ПКК) - стратегическое сырьё полупроводниковой промышленности. В основном ПКК используется для получения монокристаллического кремния (МКК) и мультикремния (МК). По качеству ПКК разделяют на кремний «солнечного» качества и «электронного» качества.

 

ПКК «электронного» качества с массовой долей примесей - 10-7 ÷ 10-8 % используется в современной микроэлектронике, промышленной и силовой электронике.

 

ПКК «солнечного» качества используется в энергетике для производства солнечных батарей.

Монокристаллический кремний - это слиток, полученный методам Чохральского или методом бестигельной зонной плавки, имеющий единую кристаллическую структуру, ориентированную в определённой кристаллографической плоскости. Самый совершенный и стабильный тип кремния. Используется в электронной промышленности и при производстве солнечных батарей.

Карбид кремния (SiC) обладает исключительным набором свойств, таких как:

• Высокая твердость (3-й после алмаза)

• Высокая теплопроводность

• Отличная коррозионная стойкость

• Низкий коэффициент термического расширения

• Низкая плотность

• Полупроводниковые свойства

• Сохранение прочности в широком диапазоне температур

• Низкий коэффициент трения

Карбид кремния- это высокотемпературный радиационно-стойкий полупроводниковый материал с большой шириной запрещенной зоны.