Условное обозначение, структура и характеристики выпрямительного диода.
Пропускает
ток при U>0
U 0- напряжение отпирания. Выпрямительными называют диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока
2. Условное обозначение, структура и характеристики стабилитрона.
Стабилитрон-
диод предназначенный
для работы в режиме электрического
пробоя
3. Условное обозначение, структура и характеристики биполярного транзистора.
Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными pn - переходами.
транзистор состоит из трех основных областей: эмиттерной, базовой и коллекторной. К каждой из областей имеется омический контакт. Для того, чтобы транзистор обладал усилительными свойствами, толщина базовой области должна быть меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, т.е. большая часть носителей, инжектированных эмиттером, не должна рекомбинировать по дороге к коллектору.
Характеристики
4. Режимы работы биполярного транзистора. Соотношения между токами.
Втянутые
в коллекторную область электроны
образуют ток ik=αiээ
Где α=0.9
…0.999 – коэф передачи тока эмиттера
(u – это к)
Активный
инверсный режим можно получить поменяв
точки подключения эмиттера и коллектора.
При этом открыт переход «база-коллектор»
, задающий ток коллектора, а эмиттера
Iэ =ik+ib: ik=βib+(1+β).
5. Условное обозначение, структура и характеристики полевого транзистора.
Принцип полевого транзистора базируется на изменении удельной электрической проводимости n/n материала
Полевой транзистор, канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. З – металл алюминий, Si – кремний, П – диэлектрик (окись кремния SiO2). 1 –проходная характеристика, 2 – выходная хар-ка.
6. Принцип действия полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход.
Электронно-дырочный переход - основной элемент биполярных приборов, pn - переход создают в кристалле изменением типа его проводимости, путем введения акцепторной и донорной примеси.
В зоне металл контакта наблюдается разность концентраций + и – зарядов . Диффузия электронов в р-слой и дырок в n-слой приводит к рекомбинации.
Приложение внешнего напряжения прямого направления снижает потенциальный барьер и приводит к возникновению тока.