- •2. Этапы развития методов и аппаратуры контроля рэс.
- •4. Обобщенная структурная схема аск параметров.
- •12. Сравнительный анализ схем преобразователей параметров линейных двухполюсников.
- •16. Контроль обратного тока и напряжения насыщения биполярного транзистора.
- •18. Контроль дифференциального коэффициента усиления сигнала оу.
- •24. Контроль статических параметров цап методом сравнения с эталоном.
- •25. Контроль погрешности нелинейности цап методом двухтактного интегрирования.
- •26. Контроль статических параметров ацп с использованием образцового цап.
- •27. Контроль переходных уровней ацп.
- •28. Классификация методов функционального контроля цимс.
- •31. Понятие о методах контроля бис зу (контроль блочного типа и афт типа n), контролируемые отказы бис зу.
12. Сравнительный анализ схем преобразователей параметров линейных двухполюсников.
«схема U» «схема I»
линейность преобразования параметров |
справедлива для параметров группы проводимостей и электрической емкости. |
группы сопротивлений и индуктивности |
стабильность преобразования |
контролируемый 2-хполюсник не находиться в цепи ОС, что обеспечивает устойчивость схемы в процессе измерения |
наличие цепи ОС комплексный параметр Zх может привести к самовозбуждению схемы и полной потере мощности |
влияние дестабилизирующих факторов(погрешность термо ЭДС) |
термо ЭДС контактов адаптера включается последовательно с ист Е программируемым, т.о. термо ЭДС участвует как мультипликативная составляющая погрешности, которая устраняется тестовым методом |
контактная разность потенциалов включена в цепь ОС и в функции преобразования участвует как нелинейная составляющая(трудно устранима) |
неразрушающий характер преобразования |
В случае отсутсвия контроля параметра Zx и выбора программируемого источника Е=0,2-0,4В р-п переходы, входящие в Zш1 не разрушаются. Схема обладает свойством неразрушающего контроля |
В случае отсутствия контролир параметра Zx ОУ может перейти в состояние насыщения- к Zш2 м.б. приложены большие напряжения. Не обладает свойством не разрушающего контроля |
16. Контроль обратного тока и напряжения насыщения биполярного транзистора.
В лияние шунтирующих сопротивлений на отсутствует.
18. Контроль дифференциального коэффициента усиления сигнала оу.
Для контроля Kд используется метод электрического деления напряжения.
;
;
24. Контроль статических параметров цап методом сравнения с эталоном.
В схеме имеются 2 интегратора, выполняющие функцию аналоговой памяти. 1. Контроль аддитивной составляющей ЦАП. Nx = 0…0. УУ формирует нулевое кодовое слово на входе обоих преобразователей. Т.о. подав на оба входа нулевое значение мы получим разностный сигнал, пропорциональный аддитивной составляющей. 2. Контроль мультипликативной составляющей ЦАП. Nx = F…F. После этого осуществляется корректировка мультипликативной составляющей. Недостатком данного способа является использование дорогостоящего эталонного ЦАП.
25. Контроль погрешности нелинейности цап методом двухтактного интегрирования.
26. Контроль статических параметров ацп с использованием образцового цап.
С труктурная схема контроля параметров АЦП с использованием ЦАП. Работа схемы: формирователь кодов в диапазоне n(0) до Nmax выдает любое произвольное значение . Это значение подается на два устройства: 1. Эталонное ЦАП; 2. Цифровое вычитающее устройство. После завершения цикла преобразования, выдается импульс на начало преобразования АЦП. Чтобы текущие коды не нарушили работу схемы, на выход АЦП ставится регистр памяти. Эталонный ЦАП – это ЦАП, который минимум на 4 разряда должен превышать разрядность контролируемого ЦАП.