16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.

Схема с общей базой (ОБ)

kUб »1, так как RН »RВХб

Схема с общим эмиттером (ОЭ)

С хема с общим коллектором (ОК)

Система Н-параметров

Для схемы с ОЭ

I₁=I_Б I₂=I_К U₁=U_БЭ U₂=U_КЭ

DU_БЭ=h_11Э D_IБ+h_12ЭDU_КЭ

DI_К=h_21ЭD_IБ+h_22ЭDU_КЭ

Для схемы с ОБ

I₁=I_Э I₂=I_К U₁=U_ЭБ U₂=U_КБ

DU_ЭБ=h_11Б D_IЭ+h_12БDU_КБ

DI_К=h_21БDI_Э+h_22БDU_КБ

Система Y-параметров

для схемы с ОЭ

I1=IБ I2=IК U1=UБЭ U2=UКЭ

ΔIБ=y11Э Δ UБЭ+y12Э Δ UКЭ Δ IК=y21Э Δ UБЭ+y22Э Δ UКЭ

Переход от h-параметров схемы с ОБ к Y-параметрам схемы с ОЭ

y11Э=(1-h21Б)/h11Б y12Э=h22Б-h12Б(1-h21Б)/h11Б y21Э=h21Б/h11Б y22Э=h22Б+h12Бh21Б/h11Б

Основные параметры биполярных транзисторов

-Емкость коллекторного перехода Ск -Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода r_эдиф -Объемное сопротивление базы r_б

-постоянное напряжение коллектор-база U_кбmax -постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_кэmax -постоянный ток коллектора I_кmax -импульсный ток коллектора I_к.и.max -рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax

Классификация транзисторов

1. Малой мощности Рк<0.3 Вт

2. Средней мощности 0.3<Pк<1.5 Вт

3. Большой мощности Pк>1.5 Вт

1. Низкочастотные fa<3 МГц

2. Среднечастотные 3 МГц<fa<30 МГц

3. Высокочастотные 30МГц<fa<300 МГц

4. Сверхвысокочастотные fa>300 МГц

17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.

Uз = 0; Ic1 = 0;

Uз < 0; Ic2 = 0;

Uз > 0; Ic3 > 0.

При напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал отсутствует, и ток стока будет равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, как не основные носители заряда подложки p-типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки. В результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, т. е. в этом слое полупроводник поменяет тип своей проводимости. Образуется (индуцируется) канал, и в цепи стока потечёт ток. Вывод: МОП – транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения. МОП – транзисторы обладают бόльшим входным сопротивлением, чем транзисторы с управляемым переходом.

Выходные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Характеристика управления МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа(рис.3)

Основные параметры полевых транзисторов

Крутизна характеристики

S=δIС/δUзи при Uси = const; S=0.1¸500 ma/V

Крутизна характеристики по подложке

Sп=δIС/δUпи при Uси = const; Sп=0.1¸1 ma/V

Дифференциальное выходное (внутреннее Ri) сопротивление r_вых=Ri=δUcи/δIС при Uзи = const; Дифференциальное сопротивление участка затвор-сток

Rзс=δU_ЗС/δIС. Максимальная рабочая частота f_max Начальный ток стока Iс.нач Напряжение отсечки Uотс

Входная емкость Свх

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rси Ток утечки затвора Iут Пороговое напряжение Uпор