- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
При представлении информации в цифровой форме используется принцип положительной или отрицательной логики, при этом полярность напряжения имеет вид:
Положительная полярность
полярность напряжения питания:
положительная логика |
отрицательная логика |
|
Отрицательная полярность
полярность напряжения питания:
положительная логика |
отрицательная логика |
|
Вся техника использует положительную логику и положительную полярность питания. Также принято соглашение о том, какой диапазон входного или выходного напряжения соответствует уровню логического «0» или логической «1».
Зона порога – интервал напряжения, при котором небольшые изменения напряжения вызывают срабатывание схемы.
2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
Ненасыщенный биполярный ключ используется как метод повышения быстродействия для обычного биполярного ключа.
Транзистор не попадает в состояние глубокого насыщения. Цепь обратной связи ключа содержит диод.
Если диод и транзистор сделаны по одинаковой технологии UБЭнас≈UД.пр и диод не откроется, схема неработоспособна. Для этого в качестве диода применяют диод Шотки, степень насыщения транзистора будет небольшой.
Комбинация диода Шотки и транзистора называют транзистором Шотки.
Достоинство: отсутствие интервала рассасывания.
Ненасыщенный биполярный ключ
Входная характеристика
Передаточная характеристика
Выходная характеристика
3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
Динамическая
нагрузка – нагрузка, которая изменяет
свое внутреннее сопротивление в
зависимости от состояния ключевого
транзистора.
Сопротивление
нагрузки большое и ток через нее не
протекает. Когда нагрузка включена, ее
сопротивление очень маленькое. В
качестве нагрузки используется
биполярный транзистор.
VT2-ключевой транзистор.
VT3-динамическая нагрузка.
Каскад на первом транзисторе – фазоразчепительный каскад.
Режим работы ключа.
При 0<Uвх<Uбэ1 первый транзистор закрыт.
При Uвх>Uбэ1 первый транзистор переходит в активный режим. Появляется ток коллектора первого транзистора и появляется ток базы второго транзистора.
При Uвх1>Uбэ2 открывается второй транзистор. Изменяется ток базы первого транзистора. Коллекторный ток первого транзистора насищается. В некоторых случаях схема неработоспособна.
Входная характеристика