- •Новосибирский государственный технический университет
- •Алгоритм расчета
- •Задача №2 транзисторный инвертор
- •Методические указания
- •Задача №3 интегратор
- •Задача №4 формирователь импульсов на имс
- •Указания к пункту 2 алгоритма
- •Указания к пункту 3 алгоритма
- •Указания к пункту 4 алгоритма
- •Оценка нестабильности выходного импульса Для варианта а (формирователь коротких импульсов)
- •Для варианта б (формирователь коротких импульсов)
- •Литература
Новосибирский государственный технический университет
Электроника
Методические указания к расчетно-графической работе для студентов II курса
факультета автоматики и вычислительной техники (направления 550200, 552800;
специальности 220100, 220220) дневного отделения
Новосибирск 2004
Составили: к.т.н., доцент Ерушин В.П., к.т.н. доцент Кляуз А.П., ст. преподаватель Мальцев В.А.
Рецензент: к.т.н., доцент Цапенко П.М.
СОДЕРЖАНИЕ
Определение режима работы транзистора………………………….3
Транзисторный инвертор…………………………………………….4
Интегратор……………………………………………………………11
4. Формирователи прямоугольных импульсов………………………...18
ЗАДАЧА №1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА
Алгоритм расчета
Рассчитать один из неизвестных токов (или , или , или ,) по первому закону Кирхгофа: сумма токов втекающих в узел (транзистор) равна сумме вытекающих токов.
Обозначить знаки падений напряжения на резисторах (ток всегда течет от точки с более высоким потенциалом к точке с более низким потенциалом).
Рассчитать напряжения на электродах транзистора ( , , ) относительно общей точки (потенциал этой точки равен нулю) по второму закону Кирхгофа и закону Ома с учетом знаков падений напряжения на резисторах и знаков внешних источников напряжения (в тех цепях, где они присутствуют).
Определить величины и знаки напряжений на переходах транзистора:
,
Определить режим работы транзистора по таблице режимов или по
комбинации направления смещения переходов.
6. Определить схему включения транзистора.
Пример
+
2мА к56
_
к11
+ 5В
22мА _
9В
82Е
+
Рис. 1
1. ; .
2. ; ;
3. ;
4. Транзистор типа n-p-n, поэтому при , и эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении, что соответствует режиму отсечки. Схема включения транзистора – с общим коллектором.