- •Оглавление
- •Классификация мэт
- •Проводниковые материалы
- •Физическая природа электропроводности металлов
- •Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- •Электрические свойства металлических сплавов
- •Сопротивление проводников на высоких частотах
- •Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- •Контактные явления в металлах
- •Материалы высокой проводимости. Медь
- •Алюминий
- •Сверхпроводящие металлы и сплавы
- •Специальные сплавы
- •Сплавы для термопар
- •Сплавы для корпусов приборов
- •Тугоплавкие металлы
- •Благородные металлы
- •Неметаллические проводящие материалы
- •Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- •Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- •Электрофизические явления в полупроводниках.
- •Кремний
- •Физико-химические и электрические свойства Si
- •Марки кремния.
- •Германий
- •Физико-химические и электрические свойства германия
- •Карбид кремния (SiC)
- •Полупроводниковые соединения аiii вv
- •Твердые растворы на основе аiii вv
- •Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- •Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- •Диэлектрики, классификация, основные свойства
- •Электропроводность диэлектриков
- •Потери в диэлектриках
- •Пробой диэлектриков
- •Полимеры в электронной технике
- •Композиционные пластмассы и пластики
- •Электроизоляционные компаунды
- •Неорганические стекла
- •Ситаллы
- •Керамики
- •Активные диэлектрики
- •Сегнетоэлектрики
- •Пьезоэлектрики
- •Пироэлектрики
- •Электреты
- •Жидкие кристаллы
- •Материалы для твердотельных лазеров
- •Магнитные материалы. Их классификация
- •Магнитомягкие материалы
- •Магнитотвердые материалы
- •Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- •Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- •Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- •Создание вакуума в вакуумных установках
- •Измерение вакуума
- •Вакуумные установки термического напыления
- •Катодное вакуумное распыление (диодное)
- •Ионно - плазменное распыление
- •Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- •Механизм процесса эпитаксии
- •Автоэпитаксия кремния
- •Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- •Температурно - временной режим эпитаксии
- •Эпитаксия SiC
- •Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- •Элионные технологии
- •Ионно-лучевые установки
- •Механическая обработка полупроводниковых материалов
- •Шлифование и полирование пластин
- •Химическая обработка поверхности полупроводника
- •Методы отчистки поверхности
- •Фотолитография (операции, материалы)
- •Нанотехнология, определения и понятия
- •Инструменты для измерения наноструктур
- •Наноструктуры и наноустройства
- •Методы нанотехнологий
Нанотехнология, определения и понятия
Термин «нанотехнология» возник от присоединения приставки «нано» и объединяет различные направления в физике, химии, практическое использование их достижений, когда идет речь о размерах частиц в диапазоне 1-100 нм, 1 нм -10-9м (в 100 тысяч раз меньше человеческого волоса).
Наука и технология в наномасштабе – это фундаментальное понимание и получаемые технологические преимущества в использовании новых физических, химических, биологических свойств систем промежуточных по размерам между атомами и молекулами и массивными материалами.
История: 1959 г Нобелевский лауреат Р. Фейнман в лекции «Внизу полным полно места» высказал идею создания отдельных деталей и устройств способом «атомной укладки».
1986 г Эрик Дрекслер в книге «Машины творения» предложил создать «молекулярные машины» и раскрыл их удивительные возможности.
С другой стороны к этому подвинуло развитие и уменьшение элементной базы микроэлектроники и достижения инструментальной техники исследования веществ:
1. Уменьшение размеров БИС до 100 нм и увеличение плотности магнитной записи до 100 Гбит/дюйм2 привело к пределу возможностей существующих технологий – «глухой кирпичной стене». Так плотность 1 Терабита/см2 требует промежутка 20 нм на 1 бит информации, что для существующих материалов невозможно.
2. Плотность записи на DVD в несколько десятков Гбит лимитируется диной волны используемого излучения для считывания (при более плотной записи оптическое считывание невозможно). Т.е. по быстродействию и степени интеграции функциональных элементов в ближайшие годы будет достигнут предел, определяемый известным законом физики.
3. С другой стороны появляются новые инструментарии для «манипуляции» атомами и молекулами.
1981 г – изобретение сканирующего электронного микроскопа. Суть его работы: супертонкий золотой зонд подводят на 1 мкм к поверхности. При этом возникает туннельный ток, величина которого зависит от рельефа и однородности поверхности. Это позволяет получать прямое «изображение».
Далее была сделана попытка использовать зонд в качестве «резца», подавая на него потенциал. В результате сотрудники ИМБ первыми могли сделать «атомную укладку», написав из 35 атомов Хе название фирмы.
С уменьшением размеров частиц до 100 нм и меньше изменится сопротивление, показатель преломления, прочность, Тпл, магнитные свойства, оптические свойства. Появляются новые свойства (взрываемость, увеличивается каталитическая и реакционная способность и т.д.).
Это позволяет осуществить технологически прорывы и пробить возникшие «глухие стены» в таких областях как:
― получение новых конструкционных материалов;
― новые полупроводниковые материалы и функциональные элементы;
― создание интеллектуальных (самовосстанавливающихся) материалов;
― малоразмерные сверхчувствительные сенсоры;
― новые устройства записи информации;
― преобразование и хранение энергии;
― решение проблем рака, других заболеваний, путем доставки микрокапсул лекарственных веществ к очагу болезни;
― создание генетически измененных сельскохозяйственных культур и пород животных;
― регенерирование органов человека и т.д.