Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
лекция по тепл пр-ам.doc
Скачиваний:
26
Добавлен:
17.07.2019
Размер:
849.41 Кб
Скачать

Параметры отечественных болометров

Марка болометра

Материал входного окна

Габаритные размеры чувствительного элемента мм х мм

Спектральный диапазон

м х м

Интегральная чувствительность, В/Вт

Пороговый поток, Вт/(см*Гц1/2)

Сопротивление, Ом

Постоянная времени, мс

Частота модуляции, Гц

Полоса пропускания измерительного тракта, Гц

Эквивалентная мощность шумов, 10-10 Вт/Гц1/2

Интервал допустимых температур, оС

Габаритные размеры,

мм х мм

БКМ-2

KBr

0,85Х2

-

170

1,2*10-9

-

2,2

10

-

-

-

-

БКМ-4

0,9Х1,8

124

1,6*10-9

1.3*106

5,6,

БКМ-5-1Х1

-

1Х1

100

5*10-9

-

4

-

1

50

БМК-3

1,9Х0,4

0,3-25

15

-

120-300

20±10

9

-

0,4±2

БММ-1Х2

1Х2

-

4

3*10-6

-

-

30

1030

БГМ-1Х1

1Х1

60

5*10-9

1

БО-1Х2

1Х2

50

3*10-8

12

3

БОК-1Х2

4

3*10-6

30

1030

БОС-0,35Х2,8

0,35Х2,8

500

5*10-6

10

1

БОС-0,5Х2

0,5Х2

250

1*10-9

12,5

БМИ-1

1,9Х0,4

0,3-25

-

-

120-300

10

2

БМИ-2

140-250

(2÷3)10-2

150

БМЦ-3

1,9Х0,6

0,3-50

100-200

20±10

0,4±2

БМ6-К1

KBr

1,9Х0,4

0,3-25

100-400

-

9

1

1

-20-+50

Ø44; l=110

БМ6-К2

2

БМ-Ц1

Cl

1,9Х0,6

0,3-50

90-260

1

БМ7-КО5

KBr

1,4Х0,2

0,3-25

150-500

8

1±0,1

0,5

-

115Х70Х30

БМ7-ЦО5

Cl

0,3-50

БВЦ-0,3Х3

-

0,3Х3

-

25

0,6*10-10

-

5

0,25

-

-

БВЦ-1,0Х3,5

1,0Х3,5

1,0

2*10-6

560

БН-0,4Х4

0,4Х4

0,5

-

9

1

БКМ-5

1Х1

100

1.5*106

4

-

-

5

НБГ-1

Кварц

1,8Х1,2

0,7-2,8

1,5

10-9

6-8

3

9

0,5

Ø16;l=18

НБГ-2

KRS

2-25

0,5

80

1

БП-1 (с пред-усилителем)

-

-

-

1500

10-8

(3.5±1) 106

Rвых=104

2

20

-

1-55

-

БП1-2

Ø14

50

-

2,5*104

-

5000

-60-+60

Ø17.6;l=28.5

БП2-4

-

1-15

10

1,8*10-6

Rвых≤104

20

-

-

1-40

Ø21;l=70

БП2-5

30

5*10-7

Ø34;=60

БП2-1

0,78

-

50

2,2*10-7

-

-

10

-

-

БП2-2

300

ФМ-6

2Х10

1

2,2*10-11

150

35

-

БН-1

1Х0,3

50-100

5*10-9

200

100

0

БСГ-2

(Ge:Sb)

2,5Х0,5

500-3000

5*10-10

(1,5÷4)106

13-20

20

РТН-30Г

-

3Х3

1,8-15

0,5-2,5

5*10-8

300

150

-

Ø19; l=70

Германиевый

(Ge:Ga)

7Х0,7

-

1,1*104

2,6*10-12

105

1,1*10-2

12,5

4,23 К

-

Стеклоуглеродный

-

6,2Х9

1,3-3,5

1,7-1,3 мм

105

10-11

6,6*106

6

-

3 К

Примечание: для болометров НБГ максимально допустимый поток, падающий на приемную площадку, составляет 10-7 Вт; для болометров БМ6- 10-3 Вт; для болометров БМ7- 10-5 Вт. Для болометров БМ6, БМ7 ресурс равен 1000 ч; для БП2-5 -5000 ч;

для БП1-2 -10 000 ч; для БП1-2 – 20 000 ч.

Пороговый поток тепловых приемников существенно уменьшается при глубоком охлаждении чувствительного элемента, а также при ограничении поля зрения и спектрального диапазона принимаемого излучения с помощью охлажденных диафрагм и фильтров.

Монокристаллические полупроводниковые болометры. Проводимость по проводникового приемника связана с температурой зависимостью

где σ и T — проводимость и температура полупроводника; е — заряд электрона; U — подвижность носителей заряда; n — концентрация носителя заряда. Таким образом, проводимость меняется при изменении подвижности или концентрации носителей, поэтому монокристаллические полупроводниковые болометры делятся на электронные и обычные.

Работа электронных болометров основана на изменении подвижности носителей от температуры (болометры на «горячих> электронах), наблюдающейся в полупроводниках с малым количеством примесей и с высокой подвижностью носителей, взаимодействие которых с решеткой оказывается слабым. В этих полупроводниках состояние, близкое к состоянию теплового равновесия, легко нарушается перераспределением энергии за счет взаимодействия с излучением. Если излучение перекрывается, например диском модулятора, то носители охлаждаются до температуры решетки. Теплоемкость этой системы состоит из удельной теплоемкости носителей заряда, а теплопроводность определяется взаимодействием носителей с решеткой. служащей массивной тепловой ванной. Электронные болометры изготавливают на основе n — InSb, они низкоомны, чувствительны в далекой ИК-области, селективны, обладают достаточно высокой чувствительностью или малой постоянной времени и возможностью расширения спектральной характеристики чувствительности в более коротковолновую область при помещении чувствительного элемента в магнитное поле.

7