- •Структура
- •Свойства
- •Классификация
- •Разновидности
- •Изоморфизм
- •История
- •В современной технике
- •Добыча слюды
- •Микалекс
- •Лаки, клеи.
- •По типу склеивания
- •По составу
- •По назначению
- •Какие вещества называют проводниками? Какие материалы называют проводниковыми? Определение дать в соответствии с гост. Дать определение проводников по зонной теории.
- •Какие вещества называются полупроводниками? Какие материалы называются полупроводниковыми?
- •Дать определение в соответствии с гост .
- •Дать определение полупроводников по зонной теории.
- •В соответствии с гост
- •Что такое магнитные потери?
- •Литература
По типу склеивания
высыхающие клеи (силикатный клей, казеин, столярный клей, клей ПВА, крахмальный клейстер, наирит, 88-НТ …)
невысыхающие адгезивы (например, на основе канифоли), клеи-расплавы,
связки на основе полимеризующихся композиций — неорганические, например алюмофосфатные связки (АФС) и органические, полимеризующиеся композиции (циакрин, эпоксидная смола)
Некоторые клеи, например клей БФ, относятся одновременно и к категории высыхающих, и полимеризующихся композиций.
По составу
неорганические (растворы, расплавы, а также припои, в частности — полимерные композиции типа «клей-припой»)
органические (растворы, расплавы, полимеризующиеся)
Основой органического клеяслужат главным образом синтетическоеолигомерыиполимеры(например, феноло-формальдегидные, эпоксидные,полиэфирные смолы,полиамиды,полиимиды,полиуретаны,кремнийорганические полимеры,каучукии др.) образующие клеевую пленку в результате затвердевания при охлаждении (термопластичные клеи), отверждения (термореактивные клеи) иливулканизации(резиновые клеи); этим процессам иногда предшествует улетучивание растворителя.
К неорганическим клеямотносят алюмофосфатные, керамические (основа —оксидымагния, алюминия, кремния, щелочных металлов), силикатные (основа — калиевое или натриевое жидкое стекло), металлические (основа — жидкийметалл, напримерртуть).
По физическому состоянию клеи могут быть жидкими (растворы,эмульсии,суспензии) или твёрдыми (пленки, прутки, гранулы, порошки); последние используются в виде расплава или наносят на нагретые поверхности.
По назначению
токопроводящие высокоомные с порошком графита
для бытовых нужд
для кожи
для древесины
канцелярские
универсальные
Какие вещества называют проводниками? Какие материалы называют проводниковыми? Определение дать в соответствии с гост. Дать определение проводников по зонной теории.
Определение в соответствии с ГОСТ.
Проводник – вещество, основным электрическим свойством которого является электропроводность.
Проводниковый материал – материал, обладающий свойствами проводника и предназначеный для изготовления кабелейных изделий и токоведущих деталей.
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ
Проводники — зона проводимости и валентная зона перекрываются, образуя одну зону, называемую зоной проводимости, таким образом, электрон может свободно перемещаться между ними, получив любую допустимо малую энергию. Таким образом, при приложении к твердому телу разности потенциалов, электроны смогут свободно двигаться из точки с меньшим потенциалом в точку с большим, образуя электрический ток. К проводникам относят все металлы.
Какие вещества называются полупроводниками? Какие материалы называются полупроводниковыми?
Дать определение в соответствии с гост .
Дать определение полупроводников по зонной теории.
В соответствии с гост
Полупроводник – вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от воздействия внешних факторов. Прим. к внешним факторам в данном случае следует отнести температуру, электрическое поле, свет и т.д.
Полупроводниковый материал – материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств.
Зонная теорияобъясняет полупроводниковые свойства твердых тел на основе одноэлектронного приближения и распределения электронных энергетических уровней в виде разрешенных и запрещенных зон. Энергетические уровни электронов, участвующих в ковалентной связи, образуют верхнюю из заполненных разрешенных зон (валентную зону). Следующая по энергии разрешенная зона, уровни которой не заполнены электронами, - зона проводимости. Энергетический интервал между "дном"Ес(минимумом энергии) зоны проводимости и "потолком"Еу(максимумом) валентной зоны наз. шириной запрещенной зоны DE(см. рис.). Для разныхполупроводниковширина запрещенной зоны меняется в широких пределах. Так, приT: 0 К DE= 0,165 эВ в PbSe и 5,6 эВ в алмазе.
Валентная зона (кружки с плюсом - дырки) и зона проводимости (кружки с минусом -электроны проводимости): Eс- дно зоны проводимости,EV-потолок валентной зоны, DE - ширина запрещенной зоны, D иA-донорные и акцепторные уровни соответственно.
Тепловое движение переносит часть электронов в зону проводимости; в валентной зоне при этом появляются дырки - квантовые состояния, не занятые электронами. Обычно электроны занимают уровни, расположенные вблизи дна Ес зоны проводимости, а дырки-уровни, расположенные вблизи потолкаEV валентной зоны. Расстояния от этих уровней соответственно доЕс иЕV порядка энергии теплового движенияkТ, т. е. гораздо меньше ширины разрешенных зон (k-постоянная Больцмана). Локальные нарушения идеальности кристалла (примесные атомы, вакансии и др. дефекты) могут вызвать образование разрешенных локальных уровней энергии внутри запрещенной зоны.
При температурах вблизи 0 К все собственные электроны полупроводниканаходятся в валентной зоне, целиком заполняя ее, а примесные электроны локализованы вблизи примесей или дефектов, так что свободные носители заряда отсутствуют. С повышением температуры тепловое движение "выбрасывает" в зону проводимости преимущественно электроны примесных атомов-доноров, поскольку энергия ионизации донора меньше ширины запрещенной зоны. Концентрация электронов в зоне проводимости при этом во много раз больше концентрации дырок в валентной зоне. В таких условиях электроны называются основными носителями вполупроводникеn-типа, аналогично дырки - основными носителями вполупроводникер-типа. После полной ионизации всех доноров доминирующим процессом оказывается выброс из валентной зоны в зону проводимости собственных электронов. При некоторой температуре их концентрация в зоне проводимости становится сравнимой с концентрацией примесных электронов, а потом и во много раз большей. Это - температурная область собственной проводимостиполупроводника, когда концентрации электроновп и дырокр практически равны.
Возникновение пары электрон проводимости - дырка называется генерацией носителей заряда. Возможен и обратный процесс - рекомбинация носителей заряда, приводящая к возвращению электрона проводимости в валентную зону и исчезновению дырки. Рекомбинация носителей может сопровождаться выделением избыточной энергии в виде излучения, что лежит в основе полупроводниковых источников света и лазеров.
Электроны проводимости и дырки, возникновение которых явилось следствием тепловых флуктуации в условиях термодинамического равновесия, называются равновесными носителями заряда. При наличии внешнего воздействия на полупроводники(освещение, облучение быстрыми частицами, наложение сильного электрического поля) может происходить генерация носителей заряда, приводящая к появлению избыточной (относительно термодинамически равновесной) их концентрации. При появлении вполупроводникенеравновесных носителей возрастает число актов рекомбинации и захвата электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещенной зоне ("захват" носителей). После прекращения внешнего воздействия концентрация носителей приближается к равновесному значению.