- •Основы схемотехники
- •Часть II
- •Основы схемотехники
- •Часть II
- •Глава V Операционный усилитель (оу) .
- •Глава VI Дифференциальный каскад .
- •Сокращения и обозначения.
- •Глава V
- •Коррекция фазо-частотных характеристик (фчх) оу
- •Условие устойчивости оу.
- •Коррекция чфх интегрирующего типа.
- •Коррекция чфх дифференцирующего типа.
- •Коррекция чфх двухкаскадным оу.
- •Глава VI
- •Дифференциальный каскад.
- •Коэффициенты усиления.
- •Метод анализа симметричного дк.
- •Эквивалентная полусхема для синфазного сигнала.
- •Эквивалентная полусхема для дифференциальной составляющей сигнала.
- •Анализ несбалансированного дк.
- •Точностные параметры дк.
- •Список рекомендуемой литературы.
Эквивалентная полусхема для дифференциальной составляющей сигнала.
Если на дифференциальный вход схемы (рис 6.3) подать только разностный сигнал , то токи в каждом плече будут изменяться в противофазе. При этом напряжение Uэ, лежащее на соединительных линиях Uэ1 и Uэ2 не будет изменяться, что равносильно тому, что эта линия, фактически, заземлена. Тогда эквивалентная полусхема для дифференциальной составляющей сигнала может быть представлена в следующем виде:
а)
б)
рис 6.5 Эквивалентная полусхема для дифференциального сигнала.
Тогда
Если ; , то
.
Способность схемы ДК усиливать дифференциальные сигналы и ослаблять синфазные (Ксс << 1) определяется коэффициентом ослабления синфазного сигнала
Анализ несбалансированного дк.
В реальной ДК величины параметров транзисторов и резисторов правой и левой половины не одинаковы из-за технологического разброса при изготовлении интегральных микросхем (ИС).
Введём следующие технологические разбросы
рис 6.6
Из рис 6.6 видно, что входной синфазный сигнал является причиной появления нежелательного дифференциального сигнала.
, если .
Такой же эффект можно получить из-за разброса , т.е. если .
(Влияние относительных разбросов и достаточно полно изложены в [?] )
Влияние технологического разброса можно проиллюстрировать следующим образом (рис 6.7.)
рис 6.7
где - коэффициент передачи (трансформации) синфазного сигнала в дифференциальный.
Теперь можно представить, что выходной (нежелательный) сигнал U’выхд как бы возник под действием некого входного дифференциального сигнала U’вхд (рис 6.8).
Из сравнения рис 7 и рис 8 находим коэффициент подавления синфазных сигналов K’осл ф несбалансированного ДК.
- коэффициент ослабления синфазного сигнала реального ДК.
рис 6.8
Рассматривая эквивалентную схему ДК с учётом влияния разбросов µэк и Ук, покажем, что именно эти параметры вносят основной вклад в величину Кдс.
рис 6.9
Входной синфазный сигнал приводит к модуляции ширины базы. Этот эффект на эквивалентной схеме на рис 6.9 (?) представлен в виде эквивалентного источника тока.
тогда
Точностные параметры дк.
В статистическом решение из-за разброса коллекторных токов появляется дифферинциальный сигнал
Приведя его ко входу, получим напряжение смещения нуля
.
Напряжение обусловлено тремя составляющими:
- разбросом ширин баз транзисторов ,
- разбросом разбросом коэффициентов усиления
Список рекомендуемой литературы.
[1]