Объект и средства исследования

В работе предлагается для исследования следующие объекты:

а) стенд для исследования полупроводниковых приборов с установленным биполярным транзистором;

б) набор соединительных проводников.

ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ

Изучить принцип работы биполярного транзистора. Ознакомиться с расположением и назначением органов управления, измерительных приборов и коммутационных гнезд на передней панели стенда исследования полупроводниковых приборов и с принципом сборка схем для исследования.

Стенд позволяет собрать схему для снятия входных и выходных характеристик транзистора.

ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА

1. С помощью соединительных проводников собрать схему рис. 7 для снятия статических характеристик транзистора.

2. Измерить токи базы транзистора при различных сопротивлениях в цепи базы. Результаты измерений записать в таблицу 1.

2. Снять семейство входных статических характеристик I_б=f(U_эб) при U_кэ=const. Первую входную статическую характеристику снимают при U_кб1 =0 (для гарантированного обеспечения U_кэ =0 достаточно подключить коллекторную цепь не к источнику, а к общему проводнику, т.е. "закоротить на землю).

Результаты измерений занести в табл. 2. Повторить опыт для других значений напряжения U_кэ.

Построить в масштабе графики входных характеристик при различных значениях U_кб. Проанализировать влияние напряжения U_кэ на входные характеристики.

3. Снять семейство выходных статических характеристик I_к = f(U_кб) при I_б=const. Первую выходную статическую характеристику снимают при I_б = 0 (для гарантированного обеспечения I_б=0 достаточно разомкнуть базовую цепь транзистора). Результаты измерений занести в табл.3.

Повторить опыт при других значениях тока базы.

Построить в масштабе графики выходных характеристик транзистора при различных значениях тока базы. Проанализировать форму характеристик и их взаимное расположение.

Рис. 7.

Табл. 1

Iб1	Iб2	Iб3

Табл. 2

	Ib	Iб=0	Iб1	Iб2	Iб3
Uкэ=0	Uбэ
Uкэ=2	Uбэ
Uкэ=5	Uбэ
Uкэ=10	Uбэ

Табл. 3

	Uce	0	0,5	1	1,5	2	5	10	15
Ib=0
Ib1
Ib2
Ib3

4. По построенным статическим характеристикам транзистора определить его h- параметры при U_кб= 5 В, I_б = 0,1 мА.

Определить приращения напряжений на входе транзистора между эмиттером и базой и на выходе - между коллектором и эмиттером для двух значений:

;

Рассчитать коэффициент усиления по напряжению транзистора по формуле

УКАЗАНИЕ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ОТЧЕТА

Отчет должен содержать цель работы, исследуемые схемы, выполненные в соответствии с требованиями ГОСТов, таблицы с экспериментальными результатами, графики полученных характеристик, построенные в масштабе. Характеристики одного типа строятся для сравнения в одних координатах. Приводятся результаты расчетов, выводы, сделанные при исследовании.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Объяснить принцип действия биполярного транзистора.

2. Объяснить входные и выходные статические характеристики транзистора в схеме с ОБ (ОЭ).

3. Каково влияние "модуляции базы" на статические характеристики?

4. Сравнить входные и выходные сопротивления транзисторов в схеме с ОБ и с ОЭ.

5. Усилительные свойства транзистора по току в схеме с ОБ (ОЭ).

6. Привести Т-образную схему замещения транзистора, дать характеристику ее элементам.

7. Малосигнальные h -параметры транзистора для схемы с ОБ и ОЭ, их физическая сущность и взаимосвязь между собой и с параметрами Т-образной схемы замещения.

8. Определение h-параметров по статическим характеристикам.

9. Схема замещения транзистора в h- параметрах.

10. Работа транзистора с нагрузкой в коллекторной цепи.

11.Построение нагрузочной прямой, определение усилительных свойств по напряжению транзистора с нагрузкой по статическим характеристикам.

12. Влияние коллекторного сопротивления R_к и напряжения питания Е_к на положение нагрузочной прямой и усилительные свойства транзистора с нагрузкой.

13. Анализ усилительных свойств транзистора с нагрузкой по схеме замещения в h -параметрах.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Дудин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977. 424 с.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высш. школа, 1991. 622 с.