Заключение

Заключение является неотъемлемой структурной частью пояснительной записки. Оно должно содержать краткие выводы по результатам выполнения индивидуального задания и предложения по совершенствованию методики расчета электрофизических характеристик полупроводниковых структур.

Библиографический список и требования к нему

Оформление списка использованных источников должно соответствовать требованиям действующих стандартов.

В списке должны быть указаны лишь источники, которые действительно были использованы в процессе выполнения индивидуального задания и на которые в тексте пояснительной записки имеются ссылки.

Примером оформления может служить список использованных источников, приведенный в данном учебно-методическом пособии.

4. Варианты индивидуальных заданий

4.1. Электронно-дырочный переход Варианты 1.1 – 1.12

Электронно-дырочный переход, площадью S = 0,1 см², сформирован в кремнии таким образом, что удельные сопротивления дырочной и электронной областей составляют величины _p и _n соответственно.

Объяснить:

– работу p-n-перехода, используемого в выпрямителе;

– причины расхождения между теоретической и реальной вольт-амперными характеристиками p-n-перехода;

– применения пассивной и реактивной компонент полного сопротивления p-n-перехода.

Определить:

– величину контактной разности потенциалов при комнатной температуре;

– рассчитать и построить энергетическую диаграмму p–n-перехода в равновесном состоянии, а также при заданном значении величины прямого напряжения u, В;

– рассчитать и построить теоретическую вольт-амперную характеристику (учесть движение всех носителей заряда через p-n-переход, среднее время жизни которых считать равным τ_p,n = 1 мкс);

– вычислить величину дифференциального сопротивления p-n-перехода при u, B; T, K.

Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 1.1 – 1.9, представлены в табл. 1.

Таблица 1

№ варианта	p, Омсм	n, Омсм	u, B	T, K
1.1	0,01	44,0	0,1	200
1.2	0,012	44,1	0,2	210
1.3	0,013	44,5	0,3	220
1.4	0,015	44,8	0,4	230
1.5	0,18	45,0	0,5	240
1.6	0,2	45,1	0,6	250
1.7	0,22	45,3	0,7	260

Окончание табл. 1

№ варианта	p, Омсм	n, Омсм	u, B	T, K
1.8	0,25	45,8	0,8	270
1.9	0,27	46,0	0,9	280

Задание к вопросу о методе формирования

полупроводниковой структуры

1.1. Изготовление p-n-перехода микроплавлением с помощью электронного луча.

1.2. Механизмы диффузии в полупроводниках.

1.3. Распределение примеси при диффузии из бесконечного источника.

1.4. Распределение примеси при диффузии из ограниченного источника.

1.5. Способы проведения диффузии.

1.6. Радиационно-стимулированная диффузия.

1.7. Силановый метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

1.8. Хлоридный метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

1.9. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

1.10. Гетероэпитаксия.

1.11. Локальная эпитаксия.

1.12. Методы легирования эпитаксиальных слоев.