Обозначения на схемах электрических принципиальных:

На принципиальных схемах резисторы изображаються в виде прямоугольника с указанием величины сопротивления, мощности и порядкового номера.

Величина мощности указывается наклонными, продольными или поперечными линиями внутри прямоугольника: а) 0,125 Вт; б) 0.25 Вт; в) 0,5 Вт; г) 11 Вт; д) 2 Вт. Изображение переменных резисторов показано на рис. 2.9, е, а подстроечных - на рис. 2.9,ж

1. "R" — резистор — RK — терморезистор;

RP — потенциометр;

RS — шунт измерительный;

RU — варистор;

2. "R" одного номинала, соединенных:

— параллельно (рис. 8) — последовательно (рис. 9)

3. Обозначения единиц измерения около условных графических обозначений (рис. 10).

4. Обозначения: Ом — без обозначений;

кОм — "К";

МОм — "М";

ГОм — "Г".

5. Обозначения в перечне элементов (рис. 11).

6. Обозначения в спецификациях (рис. 12).

Тема 1.2 Схема замещения резисторов постоянного и переменного сопротивления.

На рисунке 1.1 приведена схема замещения резистора, анализ которой позволяет охарактеризовать частотные свойства резисторов.

Рисунок 1.1 Схема замещения резистора.

Такая схема может использоваться всегда, если только резистор не используется на СВЧ.

Св1 и Св2 - емкость выводов;

Сr – эквивалентная емкость «паразитная» зависящая от его размеров и конструкции выводов. Для малогабаритных резисторов она не велика и достигает десятки долей пикофарад.

Lr – индуктивность резистора, зависящая от его размеров и размеров выводов. Она не велика для пленочных резисторов и увеличивается с повышением номинального сопротивления. Допустимое значение «паразитной» индуктивности не должно превышать значения 3*10^-9 Гн/Ом.

Пленочные резисторы обладают меньшими собственными индуктивностью и емкостью по сравнению с проволочными, что обеспечивает их лучшее применение на высоких частотах.

Rиз – сопротивление изоляции, определяемое началом диэлектрика, используемого для основания и обволакивания резистора(имеет значение для высокоомных резисторов).

Rr – сопротивление резистивного элемента.

Rк – эквивалентное сопротивление контактов, имеет существенное значение для низкоомных резисторов. Зависит от следующих факторов, увеличивающих его:

• перегрев;

• некачественный контакт;

• повышенная влажность;

• наличие интерметаллических контактов.

Общее сопротивление резистора состоит из активной и реактивной составляющей. Активная включает Rr, Rк, Rиз, а реактивная – емкостную и индуктивную составляющие.

Сопротивление резистора определяется отношением:

Резисторы, используемые в условиях высокой частоты, колебательных контурах должны обладать только активной составляющей, т.е. быть безреактивными по возможности и сохранять свой параметр по всему требуемому диапазону частот.

Эквивалентные схемы используются для выбора сопротивления в схемах, работающих на высоких частотах.

Для таких схем вводится понятие критической частоты, ограничивающей использование резисторов на высоких частотах.

Для низкоомных (R<300 Ом), схема замещения приведена на рисунки 1.2., критическая частота рассчитывается :

при этом L<10^-9 Гн/Ом.

Рис.1.2 – Эквивалентная схема замещения низкоомных резисторов.

Для высокоомных резисторов (схема замещения на рис.1.3.), у которых R>3000 Ом:

причем паразитная емкость не должна превышать 1пФ.

Рисунок 1.3. –Схема замещения высокоомных резисторов.

При работе резисторов в импульсном режиме, когда через резистор проходят периодически повторяющие импульсы тока, необходимо учитывать то, что паразитные емкость и индуктивность изменяют форму импульса и уменьшают максимальное значение сигнала; электрическая энергия, рассеиваемая в резисторе, расходуется на его нагрев, её значение ограничивается допустимой температурой резистивного элемента.

Для сохранения формы импульса необходимо, чтобы

f_{max 0,35 /} τ_ф, где

f_max – высокочастотная граница пропускания резистора;

τ_ф - длительность фронта импульса.