Вопрос №30

Металлы со средним значением температуры плавления - Это металлы с 500°С<Тпл<1600°С. Примеры: Железо (Тпл = 1453°С); Кобальт (Tпл = 1500°С) - пластичный блестящий белый металл с сероватым оттенком; Никель (Тпл = 1453°С) - серебристо-белый ковкий и тягучий металл.

Вопрос №31

Легкоплавкие металлы - металлы, имеющие температуру плавления Тпл ниже 500°С. Наиболее широкое применение среди легкоплавких металлов получили цинк Zn (Тпл 419оС), свинец Pb (Тпл 327оС), кадмий Cd (Тпл 321оС), таллий Tl (Тпл 303оС), висмут Bi (Тпл 271оС), олово Sn (Тпл 232оС), индий In (Тпл 157оС), галлий Ga (Тпл 30оС), ртуть Hg (Тпл - 39оС) и другие. Эти металлы широко применяются в элекро- и радиотехнике. Их используют в качестве антикоррозионных покрытий, в составе антифрикционных сплавов, в качестве проводниковых материалов. Свинец применяют для изготовления подшипниковых сплавов, в плавких предохранителях, мягких припоях, свинцовых аккумуляторах и в кабельных оболочках. Кадмий используется в производстве фотоэлементов, щелочных аккумуляторов, в качестве защитного антикоррозионного электролитического покрытия.

Вопрос №33

Полупроводники - широкий класс веществ, характеризующийся значениями удельной электропроводности, лежащей в диапазоне между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков. Свойства: * С повышением температуры удельное сопротивление полупроводников уменьшается, в отличие от металлов, у которых удельное сопротивление с повышением температуры увеличивается; *Свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводников. Именно это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.; *Контакты различных полупроводников в определенных условиях при осве-щении или нагревании являются источниками фото - э. д. с. или, соответственно, термо - э. д. с. Полупроводниковые материалы по химическому составу и кристаллической структуре подразделяют на неорганические и органические полупроводники. Широкое практическое применение получили неорганические полупроводниковые материалы, к которым относятся кристаллические и аморфные (стеклообразные) полупроводники.

Вопрос №34

Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов — вытягивание из расплава по методу Чохральского (Выращивание монокристаллов). Этим методом получают монокристаллы Ge, Si. Для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов также широко используют методы направленной и зонной кристаллизации расплава в контейнере. Для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов, обладающих подходящим сочетанием плотности и поверхностного натяжения расплава, используют метод бестигельной зонной плавки. Для получения монокристаллов ряда тугоплавких разлагающихся полупроводниковых соединений (например, CdS, ZnS, SiC, AlN и др.) используют кристаллизацию из газовой фазы (методы сублимации и химических транспортных реакций). Широко распространено получение полупроводниковых материалов в виде монокристаллических пленок на разного рода монокристаллических подложках.