Вопрос №11

Стёкла – неорганические, аморфные, термопластичные вещества, представляющие собой смесь оксидов и получающиеся путём переохлаждения расплавом. По составу стёкла бывают: *оксидные (на основе SiO2,GeO2,B2O5;P2O5); *галогоминадные (на основе BeP2); *халькогемидные (на основе силиноидов, циллюлидов, сульфидов). Электрофизические свойства стёкл в сильной мере зависят от его состава и технологии варки. Слюда – природный кристаллический минерал с высокими электрическими свойствами и нагревостойкостью. Обладает анизотропией свойств. Основными представителями являются мусковик и фторфлогонит, к-ые широко применяются для производства конденсаторов.

Вопрос №12

Керамика – неорганический материал, полученный путём спекания измельчённых и тщательно перемешенных различных минералов и окисных металлов. Изменяя состав и технологию изготовления можно получать конденсаторную, установочную, низкочастотную, высокочастотную, высокой нагревостойкости и керамику для ИМС. Ситаллы – материалы средние по свойствам между стёклами и керамикой. Полукристаллические, непрозрачные, полученные путём направленной кристаллизации стёкл специального состава. Различают термо и фото ситаллы.

Вопрос №13

Активные диэлектрики - диэлектрики, свойства которых существенно зависят от внешних условий - температуры, давления, напряженности поля и так далее. Такие диэлектрики могут служить рабочими телами в разнообразных датчиках, преобразователях, генераторах, модуляторах и других активных элементах. К активным диэлектрикам относят сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты, материалы квантовой электроники, суперионные проводники и др.

Вопрос №14

Требования, предъявляемые к диэлектрикам:

Диэлектрические материалы, используемые в микроэлектронике, делятся на тонкопленочные (с толщиной до 1 мкм) и толстопленочные (с толщиной свыше 1 мкм). Диэлектрические тонкие пленки должны удовлетворять следующим требованиям: *высокая механическая прочность, *минимальное количество дефектов и примесей, *слабая чувствительной к влаге, *большая ширина запрещённой зоны, *аморфная структура. Специальные диэлектрические материалы с полупроводящими свойствами могут иметь кристаллическую структуру, добавки примеси и малую ширину запрещённой зоны.

Вопрос №15

Конструктивной основой гибридных интегральных тонкопленочных микросхем(ГИМС) (пленки до 1 мкм.) является подложка из диэлектрического материала, на поверхности которой формируются пленочные элементы и межэлементные соединения. В качестве подложек применяют электровакуумные стекла, ситаллы, керамику и др. В тонкопленочных ГИМС в качестве резистивного материала используются металлы и их сплавы (тантал, хром, титан, нихром и др.), а также специальные резистивные материалы – керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика.

Вопрос №16

Конструктивной основой гибридных интегральных толстопленочных микросхем(ГИМС) (пленки около 10 мкм.)является подложка из диэлектрического материала, на поверхности которой формируются пленочные элементы и межэлементные соединения. В качестве подложек применяют электровакуумные стекла, ситаллы, керамику и др. В толстопленочных ГИМС для изготовления резисторов используют резистивные пасты, наносимые на подложку через трафареты; эти пасты после термообработки превращаются в твердые пленки толщиной 20-40 мкм.