2.2. Порядок выполнения работы

1) Ознакомиться с параметрами транзистора, предложенного для исследования (табл. 2), и его конструктивными особенностями. Внешний вид и габаритные размеры транзистора приведены на рис. 10.

2) Собрать схему включения транзистора p-n-p-типа с общей базой в соответствии с рис. 11 и снять для нее семейства входных и выходных характерис-тик. При исследовании схемы с ОБ измерение входного и выходного токов производится соответственно амперметрами РА1 и РА2 с пределом измерения 200 мА. Необходимо установить для вольтметра PV1, измеряющего U_Э-Б, предел измерения 2 В, а для вольтметра PV2, измеряющего U_К-Б,  20 В. При этом переключатели источников питания Е1 и Е2 должны находиться соответственно в положении «1 В» и «25 В».

Таблица 2

Основные параметры биполярного транзистора p-n-p-типа кт816в (г)

Параметр	Значение параметра	Параметр	Значение параметра
IК max, А	3	h21э (β)	25
IК. и max, А	6	UК-Э. нас, В	0,6
UК-Э. о. гр, В	60 (100)	IК-Б. о, мA	0,1
UЭ-Б. о max, В	5	fh21, МГц	3
РК, Вт	25	СК, пФ	60
ТК (T), ºС	25	СЭ, пФ	115
Тп max, ºС	125

а б

Рис. 10. Транзистор большой мощности низкой и средней

частоты КТ816В

3) Входные характеристики транзистора снять при постоянных значениях напряжения U_К-Б, равных 0, 5, 7 В. Рекомендуемый диапазон измерения входного напряжения U_Э-Б  от 0,45 до 0,65 В.

Выходные характеристики транзистора снять при постоянных значениях тока I_Э, равных 5, 10, 15 мА. Рекомендуемый диапазон измерения выходного напряжения U_К-Б  от +1 до –3 В.

Результаты измерений оформить в табличной форме.

4) Собрать схему включения транзистора p-n-p-типа с общим эмиттером в соответствии с рис. 12 и снять для нее семейства входных и выходных характеристик. При исследовании схемы с ОЭ измерение входного и выходного токов производится соответственно амперметрами РА1 и РА2 с пределами измерения 20 и 200 мА. Необходимо установить для вольтметра PV1, измеряющего U_Б-Э, предел измерения 2 В, а для вольтметра PV2, измеряющего U_К-Б, 20 В. При этом переключатели источников питания Е1 и Е2 должны находиться в положении соответственно 1 и 25 В.

Рис. 11. Схема включения транзистора p-n-p-типа с общей базой

Рис. 12. Схема включения транзистора р-n-p-типа с общим эмиттером

5) Входные характеристики транзистора снять при постоянных значениях напряжения U_К-Э, равных 0, 1, 2 В. Рекомендуемый диапазон измерения входного напряжения U_Б-Э – от –0,45 до –0,65 В.

Выходные характеристики транзистора снять при постоянных значениях тока I_Б, равных 0,1; 0,2; 0,3 мА. Рекомендуемый диапазон измерения выходного напряжения U_К-Б – от 0 до 5 В.

Результаты измерений оформить в табличной форме.

6) По полученным экспериментальным значениям построить семейства входных и выходных характеристик на отдельных рисунках.

7) Построить на входных и выходных характеристиках различных схем характеристические треугольники (см. рис. 6).

8) Рассчитать сопротивление входной и выходной цепей, коэффициенты усиления и h-параметры для схемы включения транзистора с ОБ и ОЭ. Параметры, найденные по характеристическим треугольникам, являются малосигнальными, так как они справедливы лишь для прямолинейных участков характеристик. Сравнить рассчитанные параметры, полученные для различных схем включения транзистора, отметить достоинства и недостатки схем.

9) Оформить отчет по лабораторной работе.