Основные параметры igbt-транзистора типа irg4bc20u

при температуре Т_j = 25 ºС

Максимально допустимые		Характеризующие
параметр	значение параметра	параметр	значение параметра
UК-Э к. проб (U(BR) CES), В	600	UК-Э. нас (UCE (ON)), В	2,27
IК max (IС), А	13	ТК (ТС), ºС	25
IК. и (IСM), А	52	tвкл (tON), нс	21
UЗ-Э (UGE), В	±20	tвыкл (tOFF), нс	86
PК (PС), Вт	60	tнар (tR), нс	14
Тп max (Тj max), ºС	150	tсп (tF), нс	140

2) Собрать схему включения IGBT-транзистора с общим эмиттером в соответствии с рис. 27 для снятия семейства выходных и передаточной характеристик. При исследовании схемы измерение тока коллектора производится амперметром РА2 с пределом измерения 20 мА. Для вольтметра PV1, измеряющего напряжение U_зэ, необходимо установить предел измерения 20 В, а для вольтметра PV2, измеряющего U_кэ,  20, затем – 200 В. При этом переключатели источников питания Е1 и Е2 должны находиться соответственно в положении «10 В» и «25 В».

Рис. 26. Внешний вид и габаритные размеры IGBT-транзистора

типа IRG4BC20U

Рис. 27. Схема включения IGBT-транзистора с общим эмиттером

3) Снять семейство выходных характеристик транзистора при постоянных значениях напряжения U_З-Э, равных от 4,4 до 5 В с шагом 0,1 В. Рекомендуемый диапазон измерения выходного напряжения U_К-Э – от 0 до 25 В. Результаты измерений оформить в табличной форме.

4) Снять передаточную характеристику IGBT-транзистора, результаты измерений оформить в табличной форме.

5) По полученным экспериментальным значениям построить семейство выходных характеристик и передаточную на отдельных рисунках.

6) Построить на передаточной характеристике характеристический треугольник (см. рис. 24, б) и рассчитать ее крутизну по выражению (16).

7) Для исследования процессов переключения IGBT-транзистора собрать схему в соответствии с рис. 28.

Рис. 28. Схема для исследования динамических процессов переключения

Igbt-транзистора в ключевом режиме

На схеме рис. 28 обозначено: G1 – генератор низкой частоты, включенный в режиме генерации синусоидальных импульсов; N – двухканальный электронно-лучевой осциллограф С1-137.

Переключатель источника Е2 должен находиться в положении «25 В».

8) Подать напряжение U_К-Э = 25 В от источника питания Е2, установить максимальный размах синусоидальных импульсов, подаваемых от генератора G1 (см. рис. 28). При этом IGBT-транзистор будет включаться и выключаться в соответствии с частотой следования синусоидальных импульсов. С помощью осциллографа зарегистрировать процессы.

9) Произвести измерение времени включения t_вкл (t_ON) и выключения t_выкл (t_OFF) IGBT-транзистора с помощью осциллографа.

10) Оформить отчет по лабораторной работе.