Министерство образования и науки Украины

Севастопольский национальный технический университет

Кафедра технической кибернетики

Пояснительная записка к Курсовому проекту по дисциплине

«ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОСХЕМОТЕХНИКА»

Студент Наумов А.В.

Группа А-32д

Руководитель ст. пр. Осадченко А.Е.

Дата защиты Оценка______

Севастополь

2009г.

Содержание

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ 3

ВВЕДЕНИЕ 4

1 РАСЧЕТ ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА 5

К0 = =0,82; Uвх max= =9,63 В; Iвх max= =0,068 А; 8

Табличные значения транзистора KT809А и диода КД103А из «Справочника полупроводниковых приборов» Лавриненко В.Ю. 1984г 8

8

2 РАСЧЕТ ВХОДНОГО КАСКАДА 9

Параметры выбранного усилителя 10

3 РАСЧЕТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ 11

4 РАСЧЕТ НАДЕЖНОСТИ 14

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 15

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК 16

ПРИЛОЖЕНИЕ А 17

Задание на курсовой проект

Основание для разработки, ее назначение и область применения.

Основанием для разработки является задание по курсу “Электроника и микросхемотехника”. Разработка предназначена для усиления электрических сигналов низкой частоты. Область применения - радиоэлектронная аппаратура.

1.Условия эксплуатации системы:

а) температура окружающего воздуха от -10 до +35⁰ С;

б) относительная влажность до 95% при температуре +20⁰ С;

в) атмосферное давление 750  30 мм рт. ст.

2.Эксплуатационно - технические характеристики системы:

а) источник сигнала............................................Eвх=2*10^-3 В;

б) нагрузка...........................................................P_вых=5Вт,R_н=9Ом;

в) частотный диапазон..............................…f_гр.н.=0 Гц, f _гр.в.=10 кГц;

г) линейные искажений ……………………… K_л-3дб;

д) нелинейные искажения................................... К_н =2 %.

Введение

Усилительные устройства находят применение в самых различных областях науки, техники и производства, являясь либо самостоятельными устройствами, либо частью сложных приборов и систем.

В настоящее время основными элементами большинства радиоэлектронных устройств являются полупроводниковые приборы. Техника усиления электрических сигналов непрерывно развивается. Это связано в первую с развитием и совершенствованием радиоэлектроники и технологии, разработкой новых усилительных приборов. Появление новых полупроводниковых приборов и технологических процессов позволило объединить множество транзисторов, диодов, резисторов в одно устройство – интегральную микросхему (ИМС). Всё это значительно повысило надёжность электронной аппаратуры.

При развитии линейных ИМС значительно расширились возможности использования усилительных устройств. Применяя в качестве усилительного прибора ИМС, можно решать ряд задач, связанных с аналоговой обработкой сигналов.

В то же время не утратили актуальность и многие проблемы проектирования усилителей на дискретных элементах, в которых в качестве усилительного прибора используется транзистор. Умение проектировать усилители на таких элементах позволяет решать многие схемотехнические задачи, возникающие при проектировании самих ИМС.

Однако реализовать достоинства полупроводниковых приборов можно только при знании их физических свойств, параметров, характеристик и эксплуатационных особенностей.

Полупроводниковые приборы способны работать с большой эффективностью при низком напряжении источников питания и в отдельных случаях при малом рабочем токе. В то же время они весьма чувствительны к перегрузкам, поэтому при проектировании схемы необходимо правильно выбирать рабочие режимы.

Большая чувствительность транзисторов и диодов к изменению температуры и режимов, а также разброс параметров. изменение их величин во время хранения и работы являются особенностями полупроводниковых приборов.

Данный курсовой проект посвящен разработке усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов.

В данном случае применение дорогостоящих технических средств оказывается невозможным, да и вряд ли целесообразным, поскольку упрощённый расчёт типовой электронной схемы позволяет получить достаточно надёжные данные, а выполнение расчётов способствует углублению теоретических знаний, развитию технической интуиции, формированию интеллектуальных и практических умений и навыков.