Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методика РГР №1.doc
Скачиваний:
15
Добавлен:
22.11.2018
Размер:
439.81 Кб
Скачать

Приложение е

Севастопольский национальный университет ядерной энергии и промышленности

Кафедра Автоматизации технологических процессов и производств

Пояснительная записка

к расчетно-графической работе по дисциплине

_____________________________

студента _( № ) класса ___________­( Ф И О )_________

________________________________________________

Тема: Графоаналитический расчет полупроводникового

Усилительного каскада Вариант № ___

Выполнил ……………………… (…………………………)

Проверил ……………………….. (…………………………)

Севастополь

20___г.

Литература для выполнения ргр

  1. Герасимов В. Г. Основы промышленной электроники. - М.: Высшая школа, 1986.

  2. Гершунский В.С. Основы электроники и микроэлектроники. Киев. Высшая школа 1987.

  3. Мисонжник В.А. Элементы систем автоматического управления и вычислительная техника. Часть 2, Л., ВВМИОЛУ, 1978.

  4. Усатенко С.Т. и др. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник. - М.: Изд-во стандартов, 1989. - 325 с., ил.

  5. Цыкина А.В. Усилители. М: Связь, 1972.

  6. Терещук Р.М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя. Киев: Наук.думка, 1989.

  7. Фролов В.В. Язык радиосхем. М.: Радио и связь, 1989.

1 Знак параметра (“+” или “–”) на соответствующей оси координат определяется типом транзистора. Например, у транзисторов типа p-n-p напряжение на коллекторе UКЭ всегда отрицательно по отношению к эмиттеру, а у транзисторов типа n-p-n – положительно. Это же касается напряжения UБЭ (только в усилительных каскадах, поскольку в ключевом режиме работы транзистора это условие может не выполняться).

2 Абсолютные значения здесь взяты для того, чтобы не учитывать знак параметра для конкретного типа

транзистора (см. сноску 1 на стр. 7).

8