Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЭЛ._Метод по прат зан Электротехника и Эл. doc.doc
Скачиваний:
16
Добавлен:
15.11.2018
Размер:
4.71 Mб
Скачать

15

Федеральное агентство по образованию

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра телевидения и управления (ТУ)

В.Ф. Коновалов

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

(Часть 2)

Учебно - методическое пособие по проведению практических

Занятий

2007

Введение

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с рабочей программой курса «Электротехника и электроника»(часть 2), читаемого студентам, обучающимся по специальностям 090103 (075300) «Организация и технология защиты информации» и 090104 (075400) «Комплексная защита объектов информатизации» на основании ГОС ВПО по специальности от 14.04.02, № Гос. регистрации 330 инф./сп.

Программой предусмотрено проведение практических занятий по следующим темам:

1. ВАХ диодов и определение по ним основных параметров диодов. Эквивалентные схемы диодов и их использование при расчете схем.

2. ВАХ, параметры и эквивалентная схема биполярного транзистора при включении его по схеме с ОБ и ОЭ.

3. ВАХ, параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов.

4. Динамические характеристики и режимы работы усилительных каскадов.

5. Анализ работы усилительных каскадов при включении транзистора по схеме с ОЭ, ОБ и ОК.

6. Расчет ключей на биполярных транзисторах.

Целью проведения практических занятий является закрепление теоретического материала и знакомство с основными свойствами, характеристиками и параметрами полупроводниковых приборов и устройств на их основе.

На практических занятиях студенты решают ряд задач. На подготовку к практическим занятиям и работу над выводами к задачам, решёнными во время аудиторных практических занятий, отводится 8 часов самостоятельной работы.

Задачи по курсу «Электротехника и электроника» (часть 2)

Задача 1. Рассчитать статические вольт-амперные характеристики для идеализированных кремниевого и германиевого диодов для трех значений температуры . Максимальное значение прямого тока диода задавать равным 20 – 30 мА. Построить вольт-амперные характеристики и дать физическое объяснение.

Для одного из диодов при комнатной температуре рассчитать сопротивление по постоянному току и дифференциальное сопротивление . Построить график и дать физическое объяснение.

Для расчета использовать данные таблицы 1 по заданному варианту.

Табл. 1.

вари-анта

Тепловой

ток ,µка

ºС

ºС

вари

анта

Тепловой

ток ,µка

ºС

ºС

Si

Ge

Si

Ge

1

0,0002

20

- 40

40

11

0,01

10

- 60

40

2

0,0004

19

- 50

50

12

0,0002

9

- 70

50

3

0,0008

18

- 60

60

13

0,0004

8

- 40

60

4

0,0016

17

- 70

70

14

0,0008

7

- 50

70

5

0,002

16

- 40

40

15

0,0016

6

- 60

40

6

0,003

15

- 50

50

16

0,002

5

- 70

50

7

0,004

14

- 60

60

17

0,0002

4

- 40

60

8

0,005

13

- 70

70

18

0,0004

3

- 50

70

9

0,006

12

- 40

40

19

0,0008

2

- 60

40

10

0,007

11

- 50

50

20

0,0016

1

- 70

50