Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ТЕК_методичка

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
17.03.2016
Размер:
901.51 Кб
Скачать

Таблиця Б.12–Врахування g-параметрів триполюсника в вузловій моделі

Таблиця Б.13–Назви та нумерація полюсів транзисторів

81

Таблиця Б.14–Нормалізовані сигнальні графи

82

Таблиця Б.15–Еквівалентні перетворення сигнального графа

83

Таблиця Б.16–Залежні та незалежні величини на сторонах системи

84

Таблиця Б.17–Врахування сторін системи в розширеній вузловій моделі

85

Таблиця Б.18–Заміна компонентів при переході від початкової схеми до приєднаної

86

ДОДАТОК В

Відповіді до завдань та вправ

Розділ 1.

1.3: i1=–0,545 А; i2=2,185 А; i3=–1,273 А; i4=–0,180 А.

1.5: а) Um =10 В; ω=0,314 рад/с; φ=–0,785 рад; б) Um=10 В; τ=13 с;

τп=3 с; τз=2 с. 1.6: d<< 6∙109 м.

Розділ 2.

2.1: Rαγ=14/9 Ом.

2.2: Rαβ=5/8 Ом; Rαγ=1 Ом; Rγβ=5/8 Ом. 2.4: Rx=8064 Ом; e=8,01 В.

2.5: Rx=7990 Ом; e=8 В.

2.6: Uv=Rv / (0,101Rv +1); Rx=103Rv /(Rv +103).

2.7: Rx,розрахункове=RA + Rx,істинне.

2.8: iR1=–0,54 А; iR2=2,18 А; iR3=1,27 А; iR4=1,82 A; e =–7,89 В або

e=2,29 В. 2.9: iR4=1,82 A.

2.10: Rx=2 Ом. 2.11: Rv=61 Ом.

2.12: Rе=5,0005 Ом; eе=10,0005 В; RA=3,33 Ом. 2.13: e2=2 В.

2.14: R5=5/3 Ом.

Розділ 3.

3.2: iR1=0,95 А; iR2=3,09 А; iR3=0,36 А; iR4=1,28 А. 3.3: iR1=0,42 А.

3.4: pJ1=–24 Вт; pJ2=–6 Вт; pE=–4 Вт.

87

3.5:

iR1=–0,975

 

А;

 

 

iR2=–3,804

А;

iR3=–0,457 А; iR4=–2,392 А;

 

iR5=–1,415 А.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.7:

u=–0,32 B.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.8: R3=–2 Ом (це значення фізично неможливе).

3.9:

e2=0,83 В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Розділ 4.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.1:

Ku=0,71;

Yпер=0,18 См; Yвх=0,48 См.

 

4.2:

pR4=0,1 Вт;

pmax=0,104 Вт.

 

 

 

4.3:

pE=–15,38 Вт; pJ=–2,88 Вт (обидва джерела віддають енергію).

4.4:

iR1=10/3 А.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.5:

iJ=9,85 А;

uE=8,86 В.

 

 

 

 

 

4.6:

uR6=0,56 В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.7:

R6=2,3 Ом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.8:

12;

-33; 0;

 

6;

 

0.

 

 

 

 

 

 

4.9:

-6; 0; 0; 6; -12.

 

 

 

 

 

 

 

Розділ 5.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.1:

iQ=1,411 А;

uQ=0,706 В.

 

 

 

 

 

5.3:

iн1=0,14 А;

 

iн2=0,49 А.

 

 

 

 

 

5.4:

iд,max=1,72 .10-6

А; iд,min=–0,632.10-6А.

5.6:

Q1: i1=1,52 А;

 

 

u1=3,51 В;

 

 

 

 

 

Q2: i2=0,44 А;

 

 

u2=0,66 В;

 

 

 

 

 

Q3: i3=1,10 А;

 

 

u3= 0,66 В.

 

 

 

 

5.7:

j=–0,3 А.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Розділ 6.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=5.10-4 См;

6.1:

h

=1 кОм;

h

12

=0,025; h

21

=100;

h

22

 

11

 

 

 

 

 

 

 

6.4:

u=0,07 В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.5:

Ku=–99,5; Ki=–4,32; Zпер=–475,2 Ом; Yпер=–0,9 См; Zвх=4,8 Ом;

Zвих=0.

6.7: необоротний; gm=–0,69 См; G1=–1,28 См; G2=0,319 См; G3=4,847 См.

88

6.9: u23=3,96 В; u23=1,92 В.

6.10: Ku=99,5; Ki=82,2; Zпер=9042 Ом; Yпер=0,9 См; Zвх=91 Ом; Zвих=0.

Розділ 7.

7.2: uR2=33,3 В.

7.3: а) iн=–39 мА; б) iн=0,47 мА; в) iн=29 мА. 7.4: Кu=–R2/R1.

7.6: iR2=2 мА; μ=–2,004. 7.7: iн=1581 мА.

7.8: Rузг.=1887 Ом.

7.9.а) Ku=–125 мВ; uн=–125 мВ; б) Ku =1225; uн=1,23 B; в) Ku=0,93; uн=0,93 мВ.

Розділ 8.

8.1: uн1=1,31 В; iн2=–1,16 A. 8.2: uн=0,65 В.

8.4: uн1=4,9988.10-4 В; uн2=–5.10-4 В. 8.5: Матричне гібридне рівняння системи:

89

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

Основна література

1.Сигорский В.П., Петренко А.И. Основы теории электронных схем.- Киев: Выща школа, 1971. - 610 с.

2.Сигорский В.П. Моделирование электронных схем. - Киев: КПИ, 1982. -122 с.

3.Матханов П.Н. Основы анализа электрических цепей. Линейные цепи. - М.: Высш. шк., 1981. - 333 с.

4.Матханов П.Н. Основы анализа электрических цепей. Нелинейные цепи.- М.: Высш.шк., 1977. - 272 с.

5.Сигорский В.П., Витязь О.А., Минаков В.В. Алгоритмы моделирования резистивных цепей. - Киев: УМК ВО, 1988. - 114 с.

6.Данилов Л.В., Матханов П.Н., Мерзлютин Ю.Б. и др. Сборник задач по теории электрических цепей: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. Матханова П.Н., Данилова Л.В.- М.: Высшая школа, 1980. - 224с.

7.Шебес М.Р. Задачник по теории линейных электрических цепей.- М.: Высшая школа, 1982. - 488с.

8.Бессонов Л.А. ТОЭ. Электрические цепи. - М.: Юрайт, 2011.-704 с.

9.Сигорский В.П. Математический аппарат инженера.-Киев.:Техника,1977.-766 с.

Додаткова література

10.Лосев А.К. Теория линейных электрических цепей.- М.: Высшая школа, 1987. - 511с.

11.Попов В.П. Основы теории цепей. - М.: Высшая школа, 1985. - 496 с.

12.Сигорский В.П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем.- М.: Сов. радио, 1976. - 608 с.

13.Анисимов В.И. Топологический расчет электронных схем. - Ленинград: Энергия, 1977. - 24 с.

14.Норенков И.П., Маничев В.Б. Системы автоматизированного проектирования электронной вычислительной аппаратуры. - М.: Высш. шк., 1983. - 272 с.

15.Сешу С., Рид М.Б. Линейные графы и электрические цепи. - М.: Высш. шк., 1970. - 446 с.

16.Остапенко А.Г. Анализ и синтез линейных радиоэлектронных цепей с помощью графов. - М.: Радио и связь, 1985. - 280 с.

17.Чуа Л.О. Пен-Мин-Лин. Машинный анализ электронных схем. - М.: Энергия. 1980. - 483 с.

18.Картавов С.А. Математические термины.- К.: Вища школа, 1988. - 295с.

19.Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник /Под ред. Б.Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981.

20.Трохименко Я.К., Любич Ф.Д. Инженерные расчеты на микрокалькуляторах. - Киев: Технiка, 1980.

21.Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемноусилительные устройства: Справочник радиолюбителя. - К.: Наукова думка, 1981. - 671 с.

22.Резисторы. Справочник / В.В. Дубровский, Д.М. Иванов, Н.Я. Патрусевич и др.: под ред. И.И. Четверткова и В.Н. Терехова. 2-е изд. перераб и доп. – М.: Радио и связь, 1991.-224 с.

90