- •Минобрнауки россии
- •Оглавление
- •Введение
- •Лабораторная работа №1.
- •1.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •1.6 Содержание отчёта
- •2.5 Порядок выполнения лабораторной работы
- •2.6 Содержание отчёта
- •3.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •3.6 Содержание отчёта
- •4.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •4.6 Содержание отчёта
- •5.6 Содержание отчёта
- •6.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •6.6 Содержание отчёта
- •7.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •7.6 Содержание отчёта
- •8.5 Порядок проведения лабораторной работы
- •8.6 Содержание отчёта
- •Приложение
- •Литература
6.6 Содержание отчёта
Схема виртуальной установки.
Выражения для расчёта основных характеристик.
Регулировочные характеристики при трёх заданных э.д.с. нагрузки.
Энергетические характеристики при трёх заданных э.д.с. нагрузки.
Выводы по работе.
Лабораторная работа № 7.
Исследование мостового широтно-импульсного преобразователя с несимметричным законом управления
7.1 Цель работы
Исследование мостового широтно-импульсного преобразователя (ШИП) с несимметричным законом управления при работе на активно-индуктивную нагрузку с противо-э.д.с.
7.2 Указания к выполнению работы
К выполнению лабораторной работы следует приступить после изучения соответствующих разделов теоретического введения учебного пособия. В качестве дополнительной литературы рекомендуется воспользоваться [1, 3, 17].
7.3 Содержание работы
Исследование регулировочных и энергетических характеристик мостового широтно-импульсного преобразователя (ШИП) с несимметричным законом управления при работе на активно-индуктивную нагрузку с противо-э.д.с.
7.4 Описание виртуальной лабораторной установки
Виртуальная лабораторная установка для исследований показана на рис. 7.1. Она практически полностью повторяет модель ШИП с симметричным законом управления (рис. 6.1, лабораторная работа № 6). Отличие состоит в блоке управления (Control system) и в настройке блока Multimeter.
Модель блока управления показана на рис. 7.2. Окно настройки параметров блока Multimeter показано на рис. 7.3.
Здесь в отличие от лабораторной работы № 6, в правое поле перенесены напряжения верхних по схеме силовых модулей и ток верхнего по схеме силового модуля, т. к. именно этот модуль наиболее загружен по току.
Рис. 7.1. Модель широтно-импульсного преобразователя
Рис. 7.2. Модель блока управления
Рис. 7.3. Окно настройки параметров блока Multimeter
7.5 Порядок проведения лабораторной работы
Исследование регулировочных и энергетических характеристик
мостового широтно-импульсного преобразователя (ШИП) с несимметричным законом управления при работе на активно-индуктивную нагрузку с противо-э.д.с. проводится на виртуальной установке (рис. 7.1), подробное описание которой приведено выше.
Параметры источника питания, нагрузки и тиристорного моста задаются преподавателем. При самостоятельном изучении их целесообразно задать такими же, как на рис. 6.2, 6.3, 6.6. Параметры моделирования задаются на вкладке Simulation/рarameters (рис. 6.8).
При снятии характеристик параметры R, L нагрузки остаются без изменений, изменяется напряжение управления от -2 В до 2 В с шагом 0,5 В. Характеристики снимаются для трёх значений э.д.с. нагрузки 0, 100, 200 В.
При этом моделирование проводится для каждого значения напряжения управления и э.д.с. Результаты моделирования и последующих вычислений заносятся в табл. 7.1.
Табл. 7.1
Данные |
Измерения |
Вычисления | |||||||||||
Е |
RMS | ||||||||||||
град |
В |
А |
В |
А |
А |
А |
В |
А |
|
Вт |
Вт |
Вт | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Средний ток в источнике питания определяется по показаниям Display 1. На блоке Display (рис. 7.1) измеряемые величины представлены в следующей последовательности: (1) Средний ток нагрузки. (2) Среднее напряжение на нагрузке. (3) Средний ток в силовом полупроводниковом модуле. (4) Действующий ток в силовом полупроводниковом модуле. Мгновенные значения тока питания, нагрузки и напряжения на нагрузке можно наблюдать на экране осциллоскопа (рис. 7.4).
Рис. 7.4. Осциллограммы тока питания, ток нагрузки и напряжения на нагрузке
В графическом окне блока Multimeter (рис. 7.5) наблюдаются и определяются максимальные напряжение и ток силового полупроводникового модуля.
Рис. 7.5. Напряжения и ток силового полупроводникового модуля
Относительная продолжительность импульса напряжения на нагрузке определяется по формуле:
,
где - период напряжения ГПН;определяется по осциллограммеLoad Voltage (рис. 7.4) на горизонтали, соответствующей напряжению В.
Мощность в цепи источника питания рассчитывается по выражению:
(Вт),
где - напряжение питания.
Квазистатические потери в силовом полупроводниковом модуле рассчитываются по выражению:
где ,- параметры силового модуля (рис. 6.3);I, I(RMS) – его средний и действующий ток (табл. 6.1).
Мощность в нагрузке определяется по выражению:
(Вт)
По результатам табл. 7.1 строятся:
регулировочные характеристик ШИП ;
энергетические характеристики ШИП I(RMS), I, =f(),