Лекция по электронике EL-15 #05 JFET
.pdf
10.Передаточные характеристики транзисторов JFET
I |
-I |
C |
C |
-UЗИ |
-UОТС |
UЗИ |
-UЗИ |
U |
ОТС |
UЗИ |
|
|
|
|
|
|
I |
C |
= f(U |
) |
|
|
ЗИ |
Область UЗИ >0 для каналов n-типа и UЗИ < 0 для каналов p-типа считается нерабочей, т.к. при этих напряжениях
открываются управляющие pn-переходы и искажается работа транзистора в целом.
11. Общие выводы по транзисторам JFET
Исходным материалом для создания JFET с каналом любого типа, является подложка (пластина Si) с проводимостью противоположного типа.
Проводящий канал появляется при создания на границе "подложка – поверхность "области с противоположным типом
проводимости
Управляющий pn-переход появляется при создании на границе "канал – поверхность" области с повышенной концентрацией носителей противоположных типу в канале
напряжение питания UСИ должно быть только одного знака,
входное (управляющее) напряжение UЗИ должно иметь знак, противоположный знаку напряжения питания,
при UЗИ=0 ток максимален, при UЗИ = UОТС ток равен 0
выводы И и С являются обратимыми
И – вывод, подключаемый к 0В,
управляющее напряжение подключается между З и И,
П – всегда подключается к 0В.
12. УГО различных типов JFET
|
|
|
|
С |
|
|
|
С |
|
n-тип |
|
|
|
|
|
|
p-тип |
||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
П |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
З |
|
И |
З |
|
И |
|
|||
1) Проще всего запомнить тип – затвор непосредственно взаимодействует с каналом.
2) Стрелка показывает, в какую сторону напряжение на затворе тянет электрон в канале.
Обшая сводка по свойствам ПТ
13.Начальный этап изготовления ПТ с каналом n-типа
p
1) исходная подложка
здесь будет канал
И |
С |
n+ n+
p
2) создание n+- "карманов" для будущих стока/истока
Ток между С-И возможен только при наличии между
карманами носителей n-типа, т.е. пока нигде!!!
14.Следующий этап изготовления ПТ с каналом n-типа
Создали канал n-типа между "карманами"
Ничего не стали создавать между "карманами"
И |
С |
n
n+ n+
p
И |
С |
n+ n+
p
далее
возможно сделать: n-JFET, n-МОП (вст.)
далее
возможно
сделать
только n-МОП (инд.)
Ток между С-И возможен только при наличии между
карманами носителей n-типа, т.е. пока нигде!!!
15.Одинаковые действия при изготовлении n-МОП
П И |
С |
n-МОП(вст.) |
n+ |
n |
n+ |
|
|
||
|
p |
|
|
П И |
С |
n-МОП(инд.) |
n+ |
n+ |
|
p |
|
1)Наносится слой окисла (желтый).
2)Травятся отверстия и металлизируются будущие контакты (И, С, П)
16.Одинаковые действия при завершении n-МОП
П И |
З |
С |
n-МОП(вст.) |
n+ |
n |
n+ |
|
|
||
|
p |
|
|
П И |
З |
С |
n-МОП(инд.) |
n+ |
n+ |
|
p |
|
Наносится слой металла над областью канала, не доходя до карманов
17. Завершение изготовления n-JFET
И
Создали канал |
n |
n-типа между |
n+ |
"карманами" |
p |
П |
И |
З |
|
|
p+ |
+ |
|
ПОЗ |
Создали p n-переход |
|
n |
между "карманами" |
n+ |
|
|
p |
|
В области между карманами создают pn-переход.
С
n+
С
n+
Поскольку p+ >> n, основная часть pn-перехода получается в n-области, занимая часть канала